芯片范文10篇

我们经常听说某某芯片采用什么什么的封装方式，在我们的电脑中，存在着各种各样不同处理芯片，那么，它们又是采用何种封装形式呢?并且这些封装形式又有什么样的技术特点以及优越性呢?在本文中，作者将为你介绍几个芯片封装形式的特点和优点。

一、DIP双列直插式封装

DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点：(1)适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存和早期的内存芯片也是这种封装形式。

二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装

QFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。PFP方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。

[摘要]封装技术就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。

[关键词]芯片封装技术技术特点

我们经常听说某某芯片采用什么什么的封装方式，在我们的电脑中，存在着各种各样不同处理芯片，那么，它们又是采用何种封装形式呢?并且这些封装形式又有什么样的技术特点以及优越性呢?在本文中，作者将为你介绍几个芯片封装形式的特点和优点。

一、DIP双列直插式封装

DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点：(1)适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存和早期的内存芯片也是这种封装形式。

摘要：当前多个全球卫星导航系统（GNSS）信号的频率及体制不同，传统的基于超外差或低中频架构的无线接收机需要在模拟域通过复杂的模拟电路进行下变频、滤波、放大、模数转换等信号处理，且需要多个模拟通道来处理多模信号，这给多模导航一体化SoC芯片的设计带来了极大的挑战。针对上述情况，文中基于模拟最小化、数字最大化的思想，通过芯片内部集成高增益射频放大器、低功耗的高速模数转换器、低抖动的时钟锁相环以及数字信号处理的基带处理及CPU电路，创新性地提出一种基于软件无线电架构的多模导航SoC芯片。然后，进行55nmCMOS工艺电路设计、版图设计、仿真及硅流片验证。测试结果表明，文中的SoC芯片具备多模导航功能，定位精度可达到2.5m，授时精度为55.9ns，测速精度为0.06m/s，功耗为81mW，芯片面积大小为6230μm×4480μm。所提出的多模导航SoC芯片与市场主流产品性能相当，可满足导航系统需求。

关键词：SoC芯片；多模导航；软件无线电架构；GNSS；无线接收机；信号处理；仿真验证

随着集成电路技术的快速发展，导航系统终端经历了从第一代的分立器件及模块为主的多芯片设计到第二代的导航射频前端芯片和数字基带处理芯片为主的两片系统设计，目前已经演变成第三代基于导航SoC芯片的单芯片系统设计[1⁃4]。单芯片导航SoC芯片内部集成了导航射频前端模拟电路模块、大规模的数字基带处理以及CPU处理器模块。目前，大多数单芯片导航SoC芯片是基于超外差或低中频的无线接收机架构，通过在模拟域进行混频将接收的射频导航信号转换成中频信号；然后经过中频滤波放大，进而通过模/数转换器ADC将模拟中频信号转换成对应的数字信号；从而进入基带处理电路及CPU在数字域进行数字信号处理，得到期望的导航电文信息[5⁃7]。然而这种基于模拟域混频完成频率变换的导航SoC在期望满足多模导航信号的接收时，往往需要多个模拟通道来完成不同模式的导航信号模拟与转换，非常不利于在单片集成。本文基于模拟电路最小化、数字电路最大化的设计思想，创新性地提出了一种基于软件无线电架构的多模导航SoC芯片架构，通过低功耗高速模数转换器直接对导航信号进行射频采样量化转换，在数字域完成频率变换及信号处理。数字电路随着集成电路工艺的进步，面积和功耗可以不断降低，由于内部集成了宽带的射频放大器和高速ADC，可以对不同模式的导航信号全部进行采样量化转换，实现了单个模拟通道完成多模导航信号的处理，从而实现了系统终端的最优化设计。

1电路设计

1.1多模导航

SoC芯片的系统架构设计如图1所示，本文设计的高性能多模系统导航SoC芯片内部集成高增益射频放大器、低功耗高速ADC、锁相环、数字下变频、大规模的相关器、16个跟踪环路、AMBA总线和外设等。外围只需要搭载天线连接低噪声放大器（LNA）、声表射频滤波器（SAW）、时钟和电源，即可构成多模导航系统终端，实现实时位置及时间信息的获取[8]。图1多模导航SoC芯片的系统架构

[摘要]封装技术就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。

[关键词]芯片封装技术技术特点

我们经常听说某某芯片采用什么什么的封装方式，在我们的电脑中，存在着各种各样不同处理芯片，那么，它们又是采用何种封装形式呢?并且这些封装形式又有什么样的技术特点以及优越性呢?在本文中，作者将为你介绍几个芯片封装形式的特点和优点。

一、DIP双列直插式封装

DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点：(1)适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存和早期的内存芯片也是这种封装形式。

内容摘要：本文针对芯片生产活动的特殊经济现象，以数学模型为基础，研究芯片厂商的分级生产和动态调整过程，以及约束条件下的利润最大化问题，并进一步考虑CPU和ChipSet的生产组合模式。试图初步从生产者理论角度给予分析解释。

关键词：分级生产质量控制成本控制定价模式生产组合模式

作者简介：周小康上海财经大学经济学院00级经济学（基地班）

信息产业（IT）提供什么样的产品？简言之，不外乎硬件（hardware）、软件（software）和服务（service）[1]。在1970年代末、1980年代初信息产业雏形生成阶段，IBM（国际商用机器公司）是最大的硬件提供商、最大的软件提供商和最大的服务提供商。随着时间的推移，信息产业开始进化，硬件、软件和服务的提供商日益专门化，并且各自形成了相对独立的市场。[2]各种半导体集成电路芯片是主要的硬件产品之一。我们选取目前最知名也是最大的半导体集成电路芯片提供商Intel作为分析对象，展开面向芯片市场的生产者理论的研究。

一、Intel的分级生产过程

Intel生产多种半导体集成电路芯片，面向个人电脑（PC）的两种主要产品是中央处理器（CPU）和芯片组（ChipSet），两者是互补品。两者都拥有完整的产品线，前者采取分级生产，后者不采取分级生产。Intel在生产80486处理器时首次引入分级生产，随后该生产策略成为行业通行的惯例，也包括Intel最主要的竞争对手AMD。

[摘要]封装技术就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。

[关键词]芯片封装技术技术特点

我们经常听说某某芯片采用什么什么的封装方式，在我们的电脑中，存在着各种各样不同处理芯片，那么，它们又是采用何种封装形式呢?并且这些封装形式又有什么样的技术特点以及优越性呢?在本文中，作者将为你介绍几个芯片封装形式的特点和优点。

一、DIP双列直插式封装

DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点：(1)适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存和早期的内存芯片也是这种封装形式。

我们经常听说某某芯片采用什么什么的封装方式，在我们的电脑中，存在着各种各样不同处理芯片，那么，它们又是是采用何种封装形式呢？并且这些封装形式又有什么样的技术特点以及优越性呢？那么就请看看下面的这篇文章，将为你介绍个中芯片封装形式的特点和优点。

一、DIP双列直插式封装

DIP(DualIn－linePackage)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点：

1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。

2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。

我们经常听说某某芯片采用什么什么的封装方式，在我们的电脑中，存在着各种各样不同处理芯片，那么，它们又是采用何种封装形式呢?并且这些封装形式又有什么样的技术特点以及优越性呢?在本文中，作者将为你介绍几个芯片封装形式的特点和优点。

一、DIP双列直插式封装

DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点：(1)适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存和早期的内存芯片也是这种封装形式。

二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装

QFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。PFP方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。

1国内外代工厂最新研究动态

目前，国内外有很多代工厂的产品和技术的更新速度极快，让人们不得不对最新的发展进行全面了解，进而可以与时俱进地进行研究。下文是几个比较大的代工厂相关技术的最新进展。现在国内外正致力于用标准工艺开发更多的产品，一些业界领袖公司还开发出了可完全用标准CMOS技术生产的微机电系统（Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS）产品。目前，akustica利用CMOS制造设施和MEMS代工厂生产出了基于MEMS的麦克风芯片，该公司可以使用x-fab半导体公司工厂生产0.6μmCMOS晶片。台积电早在2012年就开始了14nm工艺的研发，并于2015年投入批量生产。使用450mm（18英寸）新晶圆来制造14nm工艺芯片，而不是当时主流的300mm，这是由于更大尺寸的晶圆将有助于降低生产成本。技术的发展总是日新月异，有西班牙媒体报道称，台积电计划于5年后部署2nm技术的工厂，厂址拟定选在中国台湾新竹。即将落户在新竹的3nm研发厂房的环评也在近期得以顺利通过，一旦环评大会的结论得以确认，3nm晶圆的生产将会很快开展，预计可以顺利赶上量产时程。1.1深亚微米CMOS工艺。近几年来，随着集成电路生产工艺的不断发展，CMOS集成电路的特征尺寸也随着摩尔定律不断减小。人们通常把特征尺寸－MOS管的栅长在1~0.5µm的集成电路设计技术，称为亚微米设计[2]，而将0.5~0.1µm的集成电路设计称为深亚微米设计。中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司由中芯国际控股，华为、imec，Qualcomm各占一定股比。目前以14nm先进逻辑工艺研发为主。随着深亚微米工艺的发展，CMOS制造工艺对设计的影响也越来越大。在0.18µm以前都可以忽略的工艺影响，在工艺一步步发展的情形下，制造工艺所带来的影响变成了芯片设计中不可忽视的因素。中芯国际首席执行官邱慈云表示：“经过15年的努力经营和技术积累，中芯国际成为国内规模最大的集成电路企业，有能力进行14nm技术的量产”。1.2多项目晶圆服务。众所周知，集成电路在过去50年的迅猛发展中，无论是在电路规模、制造工艺，还是产业结构等方面都发生了重大变革，发展的速度更是可以用惊人来形容。多项目晶圆（MultiProjectWafer，MPW）的实质是将多个相同工艺的集成电路设计放在同一圆片上流片，这样按面积来分担流片费用，就可以降低研发成本和风险，从而降低中小集成电路设计企业在搞研发时的门槛，降低因单次实验流片失败而造成的资源浪费。由此看来，MPW加工服务可以降低培养人才的成本和进行该领域科研工作的成本，也使得企业在科研持续性以及创新性上有着深远的意义。

2芯片设计流程

芯片设计绝不是可以一次性完成的简单工程，一般都需要经过反复的优化和修改才能满足最终的设计指标，例如芯片的速度、性能等。与一般超大规模数字集成电路采用自顶向下的设计方法不同，用于光接入网的发射和接收核心电路属于高速模拟集成电路，必须采用全定制的设计方法，而无法使用半定制设计。首先，根据系统总体要求确定系统指标，比如时间延迟、运作速率、电源电压、动态范围、误差范围、输出摆幅、功耗等。在对系统各项指标研究分析的基础上再来确定系统各个部分的功能和电路结构原理。根据各个部分的功能特点来确定所采用的工艺技术，不同需求应选择合适的工艺，并取得精确的器件模型参数。其次，电路的设计与仿真，借助仿真软件如Aos，HsPice，smartspice等通用模拟电路仿真器（SimulationProgramWithIntegratedCircuitEmphasis，SPICE）工具，选取合适的器件参数进行仿真，根据仿真的结果对电路性能进行优化[3]。优化完成后就是芯片版图的设计。版图设计是在仿真完成后的电路几何物理实现，版图设计的好坏直接影响到芯片的最终性能。所以在版图设计过程中需要进行设计规则检查、对每个小模块都要进行检测，如版图电路图对照和寄生参数提取等步骤。在版图设计基础上进行电路的后仿真，也就是将提取的版图寄生参数等值加入电路网表进行仿真，根据仿真结果来修改原电路和版图的设计，确定后仿真结果达到性能指标后即可生成标准版图数据。最后，是芯片制造，即将设计好的GDSII格式或CIF格式的标准版图数据，交付芯片制造商流片。拿到设计好的芯片后需要进行芯片测试，即对流片制造完成的芯片进行品圆或键合封装测试，针对测试结果进行分析，并反馈出现的问题和进行相应的修改和完善。综合上述步骤，在对光接入网各种接入技术研究的基础上，结合应用于光接入网中的光发射和接收模块所需性能，通过对各类集成电路的工艺进行比较，采用全定制的设计方法和混合信号工艺参数，对光接口模块中的复接器、激光驱动器、前置放大器、限幅放大器和时钟与数据恢复电路设计进行全面的分析，针对这5种核心电路选择最佳的芯片设计工艺，在满足基本功能的前提下，达到系统的最高性价比。

3超高速电路中各种器件的比较

目前用于超高速领域的器件主要有：SiGeHBT，SiBJT，SiCMOS，Si和GaAsHBT。这几种器件的比较如表1所示。从表1可知，想要制作出高频特性优良的器件可以使用GaAsHBT技术，因为其拥有相对较宽的线条（3µm）。这一原理和性质SiGeHBT也同时具备，它的高频性能跟一般的Si器件比起来要好得多，与GaAs技术相比也有着和成熟的Si工艺兼容、较易集成的优点，所以在这一领域有很高的利用价值。目前市场上已经有成熟的产品。相对SiGeHBT而言，GaAsHBT的击穿电压比较高，更为适合于功率放大器的制作[4]。技术的不断革新，也使得工艺日趋成熟，规模化生产GaAs器件的成本不断下降。相比而言，HBT技术具有阈值较易控制、增益高、驱动能力强等优点，且无需亚微米工艺，因而具有很强的竞争力。

1内部结构及引脚

串行时钟芯片的内部结构如图1所示。它包含I/O控制器、移位寄存器、命令及逻辑控制器，表态RAM、实时时钟、计数器、晶振等部分。

图2为RTC-4553的引脚图。CS0为片选脚，低电平选中；WR为读写使能口，高为读，低为写；L1～L5为工厂出厂调整精度和测试用，使用中悬空；CS1为芯片掉电检查口，可直接与系统电源连接，芯片测到该口为低时，自动进入低功耗状态；SCK为时钟口，SIN为数据输入口，SOUT为数据输出口。另外，芯片还有1个时钟信号输出口TPOUT，该口可输出1024Hz或1/10Hz的信号，以供检测芯片的时钟精度所用。

2功能及控制

2.1寄存器

RTC-4553共有46×4bit寄存器。这些寄存器分3页，第1页共16个，分别为时钟寄存器和控制寄存器，如表1所列，用来存放秒、分、时、日、月、年、星期和3个特殊寄存器；第2页、第3页各有15个，共30个SRAM寄存器，页面的选择通过操作控制寄存器3的MS1、MS0位来实现。