半导体范文10篇
时间:2024-01-06 22:40:37
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半导体材料研究论文
摘要本文重点对半导体硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格、量子阱材料,一维量子线、零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光子晶体材料,量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
半导体材料研究分析论文
摘要本文重点对半导体硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格、量子阱材料,一维量子线、零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光子晶体材料,量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
半导体材料研究论文
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
从提高硅集成电路成品率,降低成本看,增大直拉硅(CZ-Si)单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ-Si发展的总趋势。目前直径为8英寸(200mm)的Si单晶已实现大规模工业生产,基于直径为12英寸(300mm)硅片的集成电路(IC‘s)技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm,0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产,300mm,0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功,直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。
从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看,研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外,SOI材料,包括智能剥离(Smartcut)和SIMOX材料等也发展很快。目前,直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功,更大尺寸的片材也在开发中。
半导体材料研究论文
摘要本文重点对半导体硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格、量子阱材料,一维量子线、零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光子晶体材料,量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
高校半导体物理教学改革研究
摘要:大学半导体物理课程是一门理论性与实践性并重的课程,随着核心素养理念培养的不断深入,要求大学半导体物理课程改革现有的教学模式,以培养学生的社会适应能力作为目标,提升学生的实践操作能力与知识应用能力。通过对核心素养内涵进行分析,从高校人才培养的角度出发,探究了核心素养下高校半导体物理教学改革创新策略。
关键词:核心素养;半导体物理;教学改革
大学半导体物理学课程不仅是对半导体材料进行研究的一门理论性课程,还是对微电子器件、集成电路实际应用的一门实践性课程。要求学生能够熟练掌握理论性知识,还要具备熟练的实践操作能力。在具体的教学过程中,需要以理论指导实践,运用实验来验证理论,特别是在核心素养的视角下,如何将培养学生的核心实践技能与半导体物理课程素养,是高校半导体物理教学改革的重要内容。由于半导体物理课程的知识点繁多,理论计算与推导比较复杂,通过培养大学生学科的核心素养,增强学生的实践操作能力与知识应用能力,是促进高校半导体物理课程教学改革的重要途径。
一、大学生核心素养内涵分析
核心素养是指当代大学生通过学习应该具备终身学习能力、适应能力、科学思维以及能够满足社会发展需要的必备品格与素质,能够熟练掌握与运用各个学科知识的能力,它突出强调大学生的个性素养、情感态度与人文素质在实践操作中的应用,同时在学习过程中应该更加注重自我的发展,能够合作参与,创新实践,具有很强的团队合作精神。核心素养是大学生终身学习必备的素养,它能够反映学生发展的新动态,也是高校人才培养的关键指标,对教育改革具有很强的指导作用[1]。由于核心素养具有可培养性、可塑造性、可维持性与可发展性,而且通过学校的教育是动态发展的,它要求在大学课程教学过程中,需要将各个学科的核心知识融合在一起,形成一个完整的知识体系,是高校大学生核心素养发展的基本要求。因此,核心素养的基本内容就是培养大学生使用工具与技术的能力、人际交往的能力与团队合作的能力、自主学习的能力与解决问题的能力,并在学习的过程中能够对自己的未来发展、职业发展进行合理的规划,可以用新思想、新技术与新方法来解决学习过程中遇到的问题,具有一定的创新能力与意识,并在学习的过程中能够形成稳定的知识结构,具有利用实验验证理论知识的能力、问题意识与问题导向的思维能力以及良好的执行能力。在人类科学的发展史中,物理学作为科学发展的基础内容,一直推动着科学技术的发展与进步。目前,大学半导体物理已经渗透到自然科学、社会科学与生物科学等学科中,成为人们科学思维的重要组成部分。这就要求在半导体物理教学的过程中,以培养学生的物理思维能力为主,将学生的实践能力、知识应用、社会适应能力结合在一起,培养大学生的学科素养,将大学生的逻辑思维、空间想象能力、推理运算能力、数据处理能力、社会交往能力、人文知识、半导体物理学科的基本方法与思想、创新能力等结合在一起,来培养大学生的半导体物理学科的核心素养[2]。半导体物理的核心素养,具体说来,就是要求学生能够从物理学的角度来处理分析问题,有条理地进行理性思维、严密求证;能用半导体知识进行有效的推理与论证,能够清晰地对半导体知识进行表达与分析;从专业的角度讲,大学半导体物理核心素养主要是指大学生善于抓住半导体物理知识的背景与问题的本质,能够熟练地运用准确、简明、规范的语言知识来表达自己的物理逻辑素养,并能够以良好的物理学科态度来对待半导体物理问题,能够以合理的新思想、新方法、新概念来分析半导体物理知识,从多个角度来分析大学半导体物理问题,形成科学的解决问题的方法,并能对半导体物理现象与过程进行科学的建模,养成良好的学习习惯。
二、基于核心素养下的高校半导体物理教学改革实施路径分析
半导体物理实验教学论文
摘要:为适应新时期人才培养需要,在我校教学项目的支持下,对大四专业实验课程半导体物理实验进行一系列的教学改革,旨在侧重于学生的实践动手能力、创新能力和综合素质的培养和提高。通过两年的实践,教师和学生普遍感觉到新实验教学体系的目的性、整体性和层次性都得到了极大的提高,教学内容和教学方式的调整,使学生理论联系实际的能力得到增强,大大提高了学生的积极性和主动性。
关键词:半导体物理实验;教学改革;专业实验
实验教学作为高校教学环节中的一个重要组成部分,不仅因为其是课堂教学的延伸,更由于通过实验教学,可以加深学生对理论知识的理解,培养学生的动手能力,拓展学生的创造思维[1,2]。实验教学分为基础实验和专业实验两部分[3,4]:基础实验面向全校学生,如大学物理实验、普通化学实验等,其主要任务是巩固学生对所学基础知识和规律的理解,旨在提高学生的观察、分析及解决问题的能力,提供知识储备[5,6];与基础实验不同,专业实验仅面向某一专业,是针对专业理论课程的具体学习要求设计的实验教学内容,对于学生专业方向能力的提高具有极强的促进作用[7~8]。通过专业实验教学使学生能够更好的理解、掌握和应用基础知识和专业知识,提高分析问题的能力并解决生活中涉及专业的实际问题,为学生开展专业创新实践活动打下坚实的基础[9~11]。
1半导体物理实验课程存在的问题与困难
半导体物理实验是物理学专业电子材料与器件工程方向必修的一门专业实验课,旨在培养学生对半导体材料和器件的制备及测试方法的实践操作能力,其教学效果直接影响着后续研究生阶段的学习和毕业工作实践。通过对前几年本专业毕业生的就业情况分析,发现该专业毕业生缺乏对领域内前沿技术的理解和掌握。由于没有经过相关知识的实验训练,不少毕业生就业后再学习过程较长,融入企事业单位较慢,因此提升空间受到限制。1.1教学内容简单陈旧。目前,国内高校在半导体物理实验课程教学内容的设置上大同小异,基础性实验居多,对于新能源、新型电子器件等领域的相关实验内容完全没有或涉及较少。某些高校还利用虚拟实验来进行实验教学,其实验效果远不如学生实际动手操作。我校的半导体物理实验原有教学内容主要参照上个世纪七、八十年代国家对半导体产业人才培养的要求所设置,受技术、条件所限,主要以传统半导体物理的基础类实验为主,实验内容陈旧。但是在实验内容中添加新能源、新型电子器件等领域的技术方法,对于增加学生对所学领域内最新前沿技术的了解,掌握现代技术中半导体材料特性相关的实验手段和测试技术是极为重要的。1.2仪器设备严重匮乏。半导体物理实验的教学目标是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法,为半导体材料与器件的开发设计与研制奠定基础。随着科学技术的不断发展,专业实验的教学内容应随着专业知识的更新及行业的发展及时调整,从而能更好的完成课程教学目标的要求,培养新时代的人才。实验内容的调整和更新需要有新型的实验仪器设备做保障,但我校原有实验教学仪器设备绝大部分生产于上个世纪六七十年代,在长期实验教学过程中,不少仪器因无法修复的故障而处于待报废状态。由于仪器设备不能及时更新,致使个别实验内容无法正常进行,可运行的仪器设备也因为年代久远,实验误差大、重复性低,有时甚至会得到错误的实验结果,只能作学生“按部就班”的基础实验,难以进行实验内容的调整,将新技术新方法应用于教学中。因此,在改革之前半导体物理实验的实验设计以基础类实验为主,设计性、应用性、综合性等提高类实验较少,且无法开展创新类实验。缺少自主设计、创新、协作等实践能力的训练,不仅极大地降低学生对专业实验的兴趣,且不利于学生实践和创新创业能力的培养,半导体物理实验课程的改革势在必行。
2半导体物理实验课程改革的内容与举措
半导体材料研究进展论文
摘要本文重点对半导体硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格、量子阱材料,一维量子线、零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光子晶体材料,量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
半导体材料研究发展论文
摘要本文重点对半导体硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格、量子阱材料,一维量子线、零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光子晶体材料,量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
半导体材料研究进展分析论文
摘要本文重点对半导体硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格、量子阱材料,一维量子线、零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光子晶体材料,量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料