大规模集成电路范文

导语：如何才能写好一篇大规模集成电路，这就需要搜集整理更多的资料和文献，欢迎阅读由公务员之家整理的十篇范文，供你借鉴。

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1、大规模集成电路:LSI （Large Scale Integration ），通常指含逻辑门数为100门~9999门（或含元件数1000个~99999个），在一个芯片上集合有1000个以上电子元件的集成电路。

2、超大规模集成电路：VLSI（Very Large Scale Integration） 通常指含逻辑门数大于10000 门（或含元件数大于100000个)。是一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路，其集成度大于大规模集成电路。集成的晶体管数在不同的标准中有所不同。尤其是数字集成电路，通常采用电子设计自动化的方式进行，已经成为计算机工程的重要分支之一。

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采用大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）为主要电子器件。美国ILLIAC-IV计算机，是第一台全面使用大规模集成电路作为逻辑元件和存储器的计算机，它标志着计算机的发展已到了第四代。

1975年，美国阿姆尔公司研制成470V/6型计算机，随后日本富士通公司生产出M-190机，是比较有代表性的第四代计算机。英国曼彻斯特大学1968年开始研制第四代机。1974年研制成功ICL2900计算机，1976年研制成功DAP系列机。1973年，德国西门子公司、法国国际信息公司与荷兰飞利浦公司联合成立了统一数据公司。共同研制出Unidata7710系列机。

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摘　要：航天器件在空间环境中存在着单粒子效应,根据研究可知高温会提升单粒子效应的敏感性,因此为了更好地评估器件的抗辐射性能,有必要建立一套高温单粒子效应测试系统.通过建立高温单粒子效应测试系统,选择ASIC和SRAM进行高温测试实验,完成了电路高温下的单粒子效应检测,证明了温度提升单粒子效应敏感性的事实.

关键词：单粒子效应； 线性能量传输； 可编程逻辑； 大规模集成电路；

随着半导体技术的迅猛发展,航天器用微电子器件的集成度不断提高,超大规模集成电路(VLSI)越来越多地应用在航天器中.航天器在空间中飞行,一直处在带电粒子构成的辐射环境中,空间辐射环境中的高能粒子可能导致航天器电子系统中的半导体器件发生单粒子效应.由于器件的特征尺

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【关键词】EDA技术;QuartusⅡ;电子设计;VHDL

1.引言

集成电路设计不断向超大规模、低功率、超高速方向发展，其核心技术是基于EDA技术的现代电子设计技术。EDA（Electronic Design Automation，电子设计自动化）技术，以集成电路设计为目标，以可编程逻辑器件（如CPLD、FPGA）为载体，以硬件描述语言（VHDL、VerilogHDL）为设计语言，以EDA软件工具为开发环境，利用强大计算机技术来辅助人们自动完成逻辑化和仿真测试，直到既定的电子产品的设计完成。其融合了，大规模集成电路制造技术、计算机技术、智能化技术，可以进行电子电路设计、仿真，PCB设计，CPLD/FPGA设计等。简言之，EDA技术可概括为在开发软件（本文用QuartusⅡ）环境里，用硬件描述语言对电路进行描述，然后经过编译、仿真、修改环节后，最终下载到设计载体（CPLD、FPGA）中，从而完成电路设计的新技术。

以EDA技术为核心的现代电子设计方法和传统的电子设计方法相比有很大的优点，两种设计方法的流程如下图：

图1 传统电子设计流程图

图2 基于EDA的现代电子设计流程图

比较两种设计方法，基于EDA技术的现在电子设计方法采用自上而下的设计方法，系统设计的早期便可进行逐层仿真和修改，借助计算机平台，降低了电路设计和测试的难度，极大程度地缩短了电子产品的设计周期、节约了电子产品的设计成本。DEA技术极大的促进了现代电子技术的发展，已成为现代电子技术的核心。

2.QuartusⅡ软件开发环境介绍

QuartusⅡ软件是Alter公司开发的综合性EDA工具软件，提供了强大的电子设计功能，充分发挥了FPGA、CPLD和结构化ASIC的效率和性能，包含自有的综合器及仿真器，支持原理图、VHDL、VerilogHDL等多种设计输入，把设计、布局布线和验证功能以及第三方EDA工具无缝的集成在一起。QuartusⅡ与Alter公司的上一代设计工具MAX+plusⅡ具有一定的相似性，和继承性。使熟悉MAX+plusⅡ开发环境的设计人员可以快速熟练应用。相比之下，QuartusⅡ软件功能更为强大、设计电路更为便捷，支持的器件更多。增强了自动化程度，缩短了编译时间，提升了调试效率。从而缩短了电子产品的设计周期。利用QuartusⅡ软件进行电子电路设计流程如图3所示。

图3 QuartusⅡ设计流程图

3.在QuartusⅡ环境下的EDA方法设计实例

下面本文在QuartusⅡ环境下，以下降沿D触发器的设计为例来说明基于EDA技术的现代电子设计方法（本文以QuartusⅡ9.0为例）。

3.1 在计算机上安装QuartusⅡ9.0版本软件

QuartusⅡ9.0对计算机硬件配置要求不高，现阶段的主流配置完全可以满足其要求。QuartusⅡ9.0安装过程很简单，按照提示操作即可。

3.2 D触发器功能分析

从D触发器真值表可以看出，当时钟信号clk不论是高电平还是低电平，其输出q的状态都保持不变，当时钟信号clk由高电平变为低电平时，输出信号q和输入信号d的状态相同。

表1 D触发器真值表

输入d 时钟clk 输出q

× 0 不变

× 1 不变

0 下降沿 0

1 下降沿 1

3.3 D触发器的VHDL描述设计

下面给出D触发器的VHDL描述：

library ieee;

use ieee.std_logic_1164.all;

entity dff1 is

port（d，clk：in std_logic;

q：out std_logic）;

end dff1;

architecture bhv of dff1 is

begin

process（clk）

begin

if clk='1' then

q<=d;

end if;

end process;

end bhv;

上面程序在QuartusⅡ9.0环境下，经保存后进行编译，然后可进行波形仿真。

3.4 设计仿真

VHDL描述程序编译后，建立矢量波形文件，之后可以进行波形仿真，得到如下波形仿真图（如图4所示）：

图4 D触发器仿真波形图

此仿真波形符合D触发器真值表，说明电路设计正确。如果波形仿真不符合真值表，说明电路设计有问题，此时可以回到3.3步骤修改VHDL描述程序，直至仿真结果正确为止。

波形仿真正确后，可得出相应的逻辑电路图，D触发器电路图（如图5所示）如下：

图5 D触发器逻辑电路图

3.5 配置下载测试

整个电路设计、编译仿真无误后，按照FPGA开发板说明书进行引脚锁定，重新进行编译后，然后通过下载电缆线，将产生的sof文件下载至FPGA中，对电路进行测试、验证，完成电路的最终设计。

4.结束语

本文以QuartusⅡ开发环境下的实际电路设计为例，介绍了基于EDA技术的现代电子设计方法。通过设计过程可知，DEA技术在现代电子电路设计中的重要性。在电子技术飞速发展的信息时代，EDA技术也在不断发展。电子产品设计者有必要熟练掌握硬件描述语言、可编程逻辑器件以及各种主流软件开发环境，这样才可以在最短的时间内完成高质量的电子产品设计任务。

参考文献

[1]阎石.数字电子技术基础[M].北京：高等教育出版社（第五版），2006.

[2]刘江海.EDA技术[M].武汉：华中科技大学出版社，2009.

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1、单片机（Single-ChipMicrocomputer）是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。

2、从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。

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如果是8051系列的单片机，下载一个stc-isp软件，将编译生成的.hex文件下载单片机中就好了，但有一点注意的是，这个软件是需要驱动程序的，否则是不能运行的。

单片机(Microcontrollers)是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。

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关键词：ADF4360-7；U波段频率源；设计

Abstract:The frequency synthesis technology is a modern means to generate a frequency source. It has been widely used in communication, navigation, electronic reconnaissance, jamming and anti-jamming, and remote control technology. The rapid development of wireless communication technology, the frequency synthesis technology in the communication increasingly significant role. This paper mainly introduces the design and implementation of an U band frequency source based on ADF4360-7.Keywords:ADF4360-7; U band frequency source design;

中图分类号：TN91文献标识码： 文章编号:

1 概述

频率合成技术是产生频率源的一种现代化手段，它已广泛应用于通信、导航、电子侦察、干扰与反干扰、以及遥控遥测技术中。无线通信技术的快速发展，使得频率合成技术在通信中的作用日益显著。

以往的频率合成器都是用分立元件和小规模集成电路组装起来的，技术复杂，可靠性低、功耗大、体积大、成本高。随着半导体工艺和集成电路技术的快速发展，出现了许多用于频率合成的大规模集成电路。在这些大规模集成电路中，把频率合成器的主要部件如参考分频器、程序分频器、鉴相器、锁定指示器、甚至压控振荡器等集成在同一芯片上。再配上参考振荡器、环路滤波器，即可构成完整的频率合成器。这使得频率合成器的成本、体积和功耗都大大下降，简化了设计和生产调试，可靠性明显提高。

2 ADF4360-7的U波段频率源的设计

ADF4360-7是一款集成式整数N分频频率合成器和电压控制振荡器(VCO)，中心频率由外部电感设置，频率范围为350 MHz至1800 MHz。此外，该器件还提供2分频选项，用户可以利用它获得175 MHz至900 MHz的RF输出。所有片内寄存器均通过简单的三线式接口进行控制。该器件采用3.0 V至3.6 V电源供电，不用时可以关断。

该芯片主要由低噪声数字鉴相器，精确电荷泵，可编程参考分频器，可编程A、B 计数器及双模前置分频器(P/P + 1) 等部件组成。数字鉴相器用来对R 计数器和N 计数器的输出相位进行比较，然后输出一个与二者相位误差成比例的误差电压。精确电荷泵采用可编程电流设置完成输出。可编程参考分频器实际上是一个14bit 的R 计数器， 主要完成对外部恒温晶振进行分频，分频比的范围是1~16383， 从而得到参考频率。可编程A、B 计数器及双模前置分频器(P/P + 1) 共同完成主分频比N (N = B P+ A )， 双模前置分频器(P/P + 1) 也是可编程的， P 的取值有几种模式： 8/9，16/17， 32/33，64/65。芯片通电后，锁存器的输入顺序是这样的：1，R计数锁存器；2，控制锁存器；3，N计数锁存器。

使用ADI公司的仿真设计软件ADIsimPLL可以很方便的进行环路参数的设计修改以及频谱仿真。我们使用该软件设计一个单点频率为500MHz的U波段频率源参数。外置参考频率为10MHz。软件启动后选择器件ADF4360-7，根据提示，选择单点频设置。

然后依次设置输出频率为500MHz，鉴相频率1MHz,参考频率选用10MHz外置晶振。外部环路选择无源环路，设置环路带宽为10KHz，相位裕度为45°，最后形成的环路参数如图1所示

图1

最后的频谱仿真图如图2所示

图2

ADI公司为ADF4360系列提供了丰富的软件支持，使用单片机置数时我们不需要在进行繁杂的计算，使用ADF4360-xevaluation软件可以非常方便快速的计算出所需置数。如图3所示

图3

图中可见N计数器 ，控制锁存器，R计数器的数值都已给出。

至此，我们已得出通过ADF4360-7实现500MHz单点频频率源的所有重要参数。

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单片机应用系统是由硬件系统和软件系统组成的，包括由运算器、控制器、存储器、输入输出设备。

单片机是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。单片机又称单片微控制器，它不是完成某一个逻辑功能的芯片，而是把一个计算机系统集成到一个芯片上。相当于一个微型的计算机，和计算机相比，单片机只缺少了I/O设备。概括的讲：一块芯片就成了一台计算机。它的体积小、质量轻、价格便宜、为学习、应用和开发提供了便利条件。同时，学习使用单片机是了解计算机原理与结构的最佳选择。

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1物理学的发展过程

1.1 宏观低速阶段

研究宏观低速的理论是牛顿力学,研究对象为宏观低速运动的物体。例如:汽车、火车的运动,地球卫星的发射。在牛顿力学中,牛顿认为:质量、时间、空间都是绝对的。也就是说,对于时间来讲不存在延长和收缩的问题,即时间是在一秒钟,一秒钟地或一个小时,一个小时地均匀流失。对于空间和质量来讲也不存在着变大或变小的问题。牛顿力学的三大定律,就是在这样的基础上建立的。

1.2 宏观高速阶段

研究宏观高速的理论是爱因斯坦的相对论力学,爱因斯坦在1905年发表了论文相对论力学。爱因斯坦认为空间、质量、时间都是相对的。并且找出了动质量和静质量之间的关系:其中m0为静质量;m为动质量。

1.3 微观低速阶段

其理论是薛定谔,海森堡两个创立的量子力学。研究对象为分子、原子、电子、粒子等肉眼所看不见的物质。

1.4 微观高速阶段

理论是量子场论,研究对象为宇宙射线,放射性元素。例如:“镭”。量子场论就是粒子通过相互作用而被产生,湮灭或相互转化的规律。例如:通过对天外射线射向地球宇宙射线的研究发现“反粒子”,即电子的反粒子正电子。负电子与正电子相互作用湮没—— 转化为二个γ光子,例如“闪电”。

2物理学与工程技术的关系

物理学与工程技术有着密切的关系,他们之间是相互促进共同发展的。我们平时常说科学技术,实际上科学和技术是两个不同的概念。科学解决理论问题,而技术解决实际问题。科学是发现自然界当中确实存在的事实,并且建立理论,把这些理论和现象联系起来。科学主要是探索未知,而技术是把科学取得的成果和理论应用于实际当中,从而解决实际问题。所以技术是在理论相对比较成熟的领域里边工作。科学与工程技术相互促进的模式主要有以下两种。

2.1 技术—— 物理—— 技术

例如:蒸汽机的发明和蒸汽机在工业当中的应用形成了第一次工业革命—— 热力学统计物理—— 蒸汽机效率的提高,内燃机,燃气轮机的发明。这一次主要是这样:由于蒸汽机的发明,在当初工业应用上,出现了很多应用技术的问题。例如蒸汽机发明的初期热效率很低,大概不到5％。这样,就对物理提出了很尖锐的问题。那就是热机的效率最高能达到多少？热机的效率有没有上限？上限是多少？再一个就是通过什么样的方式来提高热机的效率？由于这些问题就促进了物理学的发展,正是在这些问题解决的过程当中,逐渐形成和建立了热力学统计物理。而热力学统计物理很好地回答了提高热机效率的途径,以及提高热机效率的限度等等这些理论上的问题。

2.2 物理—— 技术—— 物理

例如:(1)电磁学—— 发电机,电力电器,无线电通信技术—— 电磁学;电磁学从库仑定律的发现,以及法拉第发现电磁感应定律,直到1865年麦克斯韦建立电磁学基本理论,这些都是科学家在实验室里边逐渐形成的,这都是理论建立的过程,而这些理论应用于实际就发明了电动机、发电机等其它电器以及无线电通信技术,而这些实用技术的进一步发展又给电磁学提出来了许多需要解决的实际问题。正是这些问题的逐步解决,使得电磁学更加的完善和在理论上进一步得到了提高。(2)量子力学,半导体物理—— 晶体管超级大规模集成电路技术,电子计算机技术,激光技术—— 量子力学,激光物理;量子力学是20世纪初期为了解决物理上的一些疑难问题而建立起来的一种理论,这种理论应用于解决晶体的问题就形成了半导体技术,而半导体技术的进一步发展就发明了大规模集成电路和超大规模集成电路,而超大规模集成电路的发明是产生电子计算机的主要物质基础,而正是由于电子计算机技术的发展又向量子力学提出了一些其他更加深刻需要解决的问题,而这些问题的解决就促进了量子力学的进一步发展和完善。(3)狭义相对论,质能关系E=mc2,E=mc2—— 原子弹及核能的利用—— 核物理,粒子物理,高能物理;狭义相对论是20世纪初期爱因斯坦建立的一种理论,他是为了解决电磁学等其他物理学科上的一些经典物理当中理论上的一些不协调和不自恰这样一种矛盾而提出的一种理论,这种理论当中有一个很重要的理论结果,那就是质能关系E=mc2,E=mc2。而这种质能关系被我们称为打开核能宝库的钥匙,这一理论结果的应用直接导致了或者指导了核能的应用,而对于核能的进一步应用又提出了许多新的问题,而这些新问题的进一步解决使得理论更加完善而得到进一步提高,从而形成像核物理,粒子物理,以及高能物理等等,那么实际技术上问题的解决又进一步促进了物理学的发展。

3结语

应该说物理和技术有着密切的联系,物理原理及理论的初创式开发和应用都形成了当时的高新技术,物理学仍然是当代高新技术的主要源泉。所有新技术的产生都在物理学中经历了长期酝酿。例如:1909年卢瑟福的粒子散射实验—— 40年后的核能利用;1917年爱因斯坦的受激发射理论—— 1960年第一台激光器的诞生等,整个信息技术的产生、发展,其硬件部分都是以物理学为基础的。

参考文献

[1] 张启仁.经典场论[M].北京:科学出版社,2003.

[2] 井孝功.量子力学[M].哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2004.

[3] 关洪.空间:从相对论到M理论的历史[M].北京:清华大学出版社,2004.

[4] 保罗·贝内特[著],苏福忠[译].时间[M].上海:上海人民美术出版社,2003.

[5] G.司蒂文逊,C.W.凯尔密司特.狭义相对论[M].上海:上海科学技术出版社,1963.

[6] 赵展岳.相对论导引[M].北京:清华大学出版社,2002.

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关键词：等离子体刻蚀；金刚石膜；进展

1 引言

化学气相沉积(CVD)金刚石膜拥有许多卓越的化学和物理性质，如良好的化学稳定性、高硬度、高弹性模量、高热导率、宽光谱透过范围、宽禁带宽度和极高的载流子迁移率等，因而在机械、微电子、通讯和国防工业中都有着广泛的应用[1]。目前，工业合成的CVD金刚石膜一般是表面非常粗糙的圆片形多晶金刚石厚膜，因此需要经过抛光、刻蚀图形化、切割以及金属化和焊接等加工过程，才能实现其具体的工业应用。例如，把金刚石膜用作刀具表面的超硬涂层时，需要先将所制备的金刚石膜进行抛光和切割，才能焊接到各种刀具上。用作大功率集成电路的散热片和红外光学窗口时，抛光可以降低表面传热损失和光的漫反射。而把金刚石膜用作微电子机械器件时，需要将其进行抛光和表面微刻蚀图形化。

低温等离子体微细加工手段是材料微纳加工的关键技术，它是微电子、光电子、微机械、微光学等制备技术的基础[2]。特别是在超大规模集成电路制造工艺中，有近三分之一的工序是借助于等离子体加工完成的。如等离子体薄膜沉积、等离子体刻蚀及等离子体去胶等，其中等离子体刻蚀成为最为关键的工艺流程之一，是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到硅片和金刚石膜上不可替代的工艺[3]。

2 主要设备与研究方法

等离子体刻蚀在金刚石膜的加工中可以起到很多方面的作用，是非常重要的基础技术之一。例如，将金刚石膜用作微机械、微电子、微传感器和微光机电系统等方面的微纳尺度器件时，需要对所制备的CVD金刚石膜进行微加工以使其图形化。除了采用离子源产生的离子束来研究微加工，如Kaufman离子源[4]，目前主要采用等离子体来研究金刚石膜的刻蚀和微加工，所采用的刻蚀系统主要有射频感应偶合等离子体刻蚀和电子回旋共振等离子体刻蚀。

射频感应偶合等离子体刻蚀系统(Inductively Coupled Plasma, ICP)[5]，是集成电路刻蚀中广泛采用的技术，因而在金刚石膜的刻蚀图形中，也被研究者们广泛采用。如图1所示，感应偶合等离子体刻蚀系统包括真空系统、冷却水系统和电源系统。它采用射频电磁波偶合加速电子，被加速的电子碰撞低压气体来激发产生低温等离子体。同时在水冷却基片上加上偏压来促进离子在等离子体鞘层中的加速，以加强等离子体的各向异性刻蚀。通常，感应线圈可以环绕在石英管上，也可以由内到外地盘绕在石英窗口面上，以产生所需的更大面积高密度的等离子体。

电子回旋共振等离子体刻蚀系统(ECR, Electron Cyclotron Resonance)[6]，是应超大规模集成电路(VLSI)技术的发展而开发的新型大面积高密度等离子体技术。它具有无金属电极污染、均匀性好、极低气压下高离化率、工艺设备简单等优点，被认为在集成电路的刻蚀中拥有美好的应用前景。因此，在金刚石膜的刻蚀图形中，也被研究者们所采用。如图2所示，在电子回旋共振等离子体刻蚀系统中，油扩散泵或分子泵将真空维持在10-5～10-2Pa， 2.45GHz的微波通过矩形波导传入到反应腔中。在磁场87.5mT处，电子发生回旋谐振，充分吸收微波能量，使气体充分电离，从而产生低气压下高密度等离子体。对于刻蚀来说，较低气压时，离子体自由程更长，更有助于离子的加速。因而，可以在较低气压下产生大面积高密度等离子体的ECR系统，更容易产生各向同性刻蚀，甚至垂直刻蚀。图形化金刚石膜中，普遍所采用的工艺流程如图3所示。

其制备工艺为：

（1） 利用溅射沉积或蒸发镀一层金属掩体，如Al或NiTi；

（2） 利用传统掩模光刻技术制作光刻胶掩模图形；

（3） 采用专门化学刻蚀液图形化金属掩体，并去掉光刻胶；

（4） 采用各向异性等离子体刻蚀图形化金刚石膜(如O2或Ar+O2)；

（5） 去掉金属掩体。

3 金刚石膜的研究现状

上世纪末，国外主要将重点放在实验室内刻蚀方面的基础研究。利用传统刻蚀装置研究不同等离子体下刻蚀参数对刻蚀的影响和不同掩体对刻蚀的影响。普遍关注的是反应参数对刻蚀的速率、刻蚀的各向异性以及刻蚀后的表面粗糙度的影响。例如早在1996年，H. Buchkremer-Hermanns等人[7]就以空气为气源，采用ECR产生等离子体，研究了微波功率和气压对CVD金刚石膜刻蚀的影响。研究发现:微波功率一定时，刻蚀速率将随气压的增大先变大后变小；气压一定时，刻蚀速率将随微波功率的增大而显著增加。次年，美国的Gopi M.R. Sirineni等[8]采用射频放电技术，研究了不同放电条件下的氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响。研究发现，氧等离子体刻蚀会导致金刚石膜表面出现大量刻蚀深坑，同时会导致表面平均粗糙度降低一半。而且射频功率一定时，刻蚀速率随气压的升高而增加。气压一定时，刻蚀速率随功率的升高而增加。但他们不能对刻蚀的影响机制给出解释。2001年，澳大利亚的P. W. Leech等人[9]利用离子源技术，研究了不同混合气体下刻蚀工艺对刻蚀后金刚石膜表面粗糙度以及刻蚀速率的影响。他们发现，以纯O2为气源时，表面粗糙度随功率的增加而变大。而添加适量的Ar或CF4可以抑制表面粗糙度增加，甚至使表面粗糙度几乎不变。并且以O2和Ar为气源时，刻蚀速率将随含氧比例的增加而升高。国内在这方面只有上海交通大学的姚翔[10]等人于2000年以氧气和氩气为混合气源，研究了射频功率和工作气压以及氧气比例对热丝CVD金刚石膜刻蚀速率的影响，并得到类似上述国外的结论。