集成电路范文
时间：2023-03-19 15:23:03
导语：如何才能写好一篇集成电路，这就需要搜集整理更多的资料和文献，欢迎阅读由公务员之家整理的十篇范文，供你借鉴。
篇1
单端和全差分输入微功耗10位150ks/s ADC ASl528是一款10位超低功耗单通道全差分A/D转换器，ASl529是双通道单端超低功耗A/D转换器。它们在150ks/s最高采样速度下功耗也低于350 u A(3V)。自动关断功能可使器件存转换之间进入休眠模式，从而显著降低较低在采样速度下的功耗。在采样速度降至100ks/s时，功耗可降至245 μA(3V)。如果在几乎静止的1ks/s采样速度时，功耗仅为2.5/μA，而关断期间仅为200nA。
austriamicrosystems
电话：0512-6762-2590
省略
本地数字温度传感器 TMP102采用SOT563封装，包含引脚的高度仅为0.6mm。它在工作模式下的最大静态电流仅为10 μA，关断模式下的最大电流仅为IμA；电源电压范围为1.4～3.6V，因此可充分利用目前的1.8V电源总线，有一个地址引脚，与SDA与SCL配合使用可生成四个不同地址，这样就能在同一SMBus上支持多达四个TMP102传感器。该传感器还具备SMB报警功能。
通常情况下，TMP102在-25～+85℃温度范围内的误差可精确至0.5℃。该传感器支持12位精度，测量精度可达0.0625℃。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
省略
2.4GHz与1GHz以下RF片上系统解决方案
CC2510与CC1110集成了RF收发器(CC2500与CC1101)、业界标准增强型8051微控制器、8/16/32KB系统内可编程闪存，1/2/4KB RAM以及其他功能一所有这些都包含在6mm×6ram 36引脚QLP封装中。其他功能还包括最低功耗模式下的300nA睡眠电流、嵌入式128位高级加密标准(AES)安全协处理器、良好的接收机选择性与阻塞性能、高灵敏度、高达500kB的可编-程速率以及2.0～3.6V的宽范围电源供应。
Texas Instruments
电话：800-820 8682
省略
支持数字扩音器的立体声音频编解码器
四通道TLV320AlC34、TLV320AIC33以及TLV320AIC3106立体声编解码器既能接收来自数字扩音器的数字位流，也能接收来自传统模拟扩音器的差动或单端输入。除了能直接连接于数字扩音器外，新型编解码器还有如下特点：支持8～96ks/s的采样率；数模转换与模数转换的信噪比(sNR)分别达到了102dB与92dB；集成锁相环(PLL)，支持各种音频时钟；支持便携式系统的低功耗耳机、扬声器以及回放模式；可编程数字音效，包括3D音效、低音、高音、EQ以及去加重等。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
省略
单芯片TFT液晶显示驱动器
SSD2220能支持240×432(WQVGA)分辨率的移动设备TFT液晶显示器。其有多个独特之处，如多次编程以供电压校准、分离RGB伽玛校正以提升显示表现，以及电荷分配科技。它可提供262K的真彩色及64个中度电压水平以产生灰阶效果。其他特点：行动产业处理器接口(MIPI)，并只须四条信号线，动态背光控制(DBC)，支持同样的WQVGA解像度TFT液晶显示器；pad坐标(pad coordinates)设计。
晶门科技
电话：0755-8616-9900
省略
双稳态显示驱动控制器
SSD1623支持96段及一个通用输出，以直接驱动显示器，其内置的直流电压转换器可将低电压升至38V。主要特点：灵活的驱动波形，科应对不同显示需求；内置振荡器；提供串行(SPI)微控制器(MCu)接口，以供输入数据及指令；供应类型包括裸芯片、凸出式金属接点芯片(gold bump die)及COF封装。
晶门科技
电话：0755-8616-9900
省略
DUAL SLANT 45 WlMAX基站天线
这种天线完全符合欧洲电信标准协会(ETSI)的EN 301.525 CS图形规范的要求，它的性能一致而且可靠。
新型天线的工作频率范围是2.3～2.省略
省略
超高性能立体声数字模拟转换器 WM8741可提供128dB的信噪比(单声道)，独有高级数字滤波器选择功能。其通过低阶调制器和多位数字模拟转换器(DAC)架构，可获得较低的频段外噪声和世界级的线性度，从而提高声音质量。WM8741采用一个完全差分市体声音频DAC系统，带有一系列音频接口选项，可用于SACD和CD回放的连接。该系统包括1个抖动数字内插值滤波器、精细分辨率音量控制和数字去加重、1个多位∑－调制器以及带有差动电压输出的开关电容多位电路级。 欧胜微电子
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省略
高精度可编程延迟线
DS1124是5.0V、8位可编程延迟线，具有3线串行接口，可级联多个器件实现多级可编程延迟。器件具有0.25ns的标称延迟步进，O级的延迟为20ns，而255级的延迟为83.75ns。在工业级温度范围内，DS1124具有±3ns的积分非线性(INL)―或称为与0级和255级两点所连成的直线的最大偏离值。
DS1124可延迟最高12.5MHz的信号，工作在4.75～5.25V的电压下，采用10引脚μMAX封装，规定工作在―40~+85℃工业级温度范围。
Maxim
电话：010-6211-5199
省略
超小半/全双工Rs-485收发器
MAX13181E和MAXl3184E采用2ram×2ramμDFN封装，相比现有RS-485收发器尺寸可节省50％的电路板空间。其内置增强型±15kV ESD保护(人体保护模型)、上拉/下拉电阻以及1/8单位负载接收输入阻抗，因此可在总线上挂接最多256个收发器。MAXl3181E/MAXl3182E具有摆率受限的驱动器，可降低EMI并在强辐射噪声的环境中实现最高500kbps的无误码传输。另外，MAX13183E/MAXl3184E还具有全速驱动器，可实现高达16Mbps的数据速率。该系列可工作在40～+85℃扩展级温度范围，器件采用10引脚“DFN封装。
Maxim
电话：010-6211-5199
省略
安全非易失sRAM控制器
当检测到篡改事件时，DS3605快速擦除该外部SRAM上的密钥。为了进一步提高安全性，该器件还集成了实时时钟(RTC)、电池备份控制器、系统电源监视器、CPU监控器、温度传感器以及四路通用篡改检测比较器输入。
DS3605还具有四路通用篡改检测比较器输入，用了连接各种篡改检测机械装置。发生主电源掉电时，DS3605将立刻切换到外部电池供电，以保持篡改电路有效。该器件还可以连续监视基底温度以及晶体振荡器。一旦发生篡改事件，器件随后将记录并保存该时间，以便日后分析。
Maxim
电话：010-6211-5199
省略
采用3mm×2mill封装的PC ADC LTC2453在2.7～5.5V的单一电源范围内工作，能够测量高达±Vcc的差分输入。性能特点：50nA动态输入电流：3mm×2mm DFN封装；2LSBINL、无漏码：4LSB满标度误差；2.7～5.5V单电源工作；1.4 u VRMS转换噪声；在60Hz输出变化率时为800uAt在1Hz输出变化率时为15uA,0.省略
省略
纤巧低成本轨至轨放大器 LTC6087和LTC6088采用纤巧DFN封装，实现了最大750uV的失调电压、14MHz GBW和lpA偏置电流，同时每放大器最大仅消耗1.25mA电流。LTC6087和LTC6088还提供最低93dB PSRR，136dB的大信号电压增益确保增益线性度。
其他特点：偏压漂移：最大值为5u/℃；最大输入偏置：lpA(25℃时的典型值)。
40pA最大值(TA≤70℃)大信号电压增益；典型值为135dB,增益带宽积为14MHz,CMRR最小值为70dB,PSRR最小值为93dB；0.1～10Hz噪声：5.8uVp-p；电源电流1.3mAl轨至轨输入和输出；单位增益可稳定；2.7～5.省略
省略
针对802.11n Wi―Fi产品的射频构建模块SE2537L是一款5GHz功率放大器，而SE258lL则是2.4GHz功放。SE2537L和NSE2581L的组合解决方案集成了一个数字接口，可免除昂贵且耗电的模拟参考电压。SE2581L的集成式功率检测器为5GHz输出线的耦合信号提供了一个输入端口，从而让双频带可以共享一个检测器输出端口。 基于SE2537L及SE2581L的系统可达到+20dBm/2.5GHz和+19.5dBm/5GHz。SE2581L是SE2527L器件之功能增强版本，同样也包含了一个动态范围20dB的集成式功率检测器。由于这种高性能可在更大的覆盖距离内优化更高数据率的传输，因此系统可以支持新兴的802.lln应用。
SiGe Semiconductor
电话：00852-3428-7222
省略
PcIe交换解决方案
这四款PCIe交换解决方案分别为24通道、6端口，24通道、3端口，6通道、6端口，以及4通道、4端口。每个交换解决方案都有一个用于器件测试和分析，以及系统仿真的专用评估和开发套件。每个套件包含一个代表上行和下行连接的硬件评估板，以及一个IDT开发的基于GUI的软件环境，有助于设计师调节系统和器件配置来满足系统要求。这些PCIe交换器具有良好的每瓦性能，以及为批量和价值服务器市场优化的功能。
IDT
电话：021-6495-8900
省略
具有温度切换功能的恒温输出IC
该产品有两个系列，一个是检测中心温度及其上+5℃、其下-5℃共3级可切换的BDEXXXOG系列(漏极开路输出、低电平有效)；另一个是检测中心温度及其上4级(每增加25℃为一级)、其下4级(每降低25℃为一级)，共9级可切换的BDFXXXOG系列(漏极开路输出、低电平有效)。
性能特点：检测温度中心及+5℃和-5℃共3级可切换BDEXXXOG系列，检测温度中心及+2.5"C、+5℃、+7.5℃+10℃、2.5℃、-5℃、-7.512、-10℃共9级可切换BDFXXXOG系列。温度检测精度为±4℃，工作电流为16A；检测温度滞后：标准10℃；漏极开路、低电平有效。
罗姆电子
电话：021-6279-2727
省略
具有片上CAN和EEPROM的8位MCU系列
SO8D系列是集成了控制器区域网络(CAN)接口、电子可擦拭可编程只读内存(EEPROM)和片上仿真/调试工具的8位MCU。嵌入式CAN接口为众多汽车和工业控制应用提供理想的连通性解决方案，而嵌入式EEPROM则通过实现数据的轻松写入和擦拭，无须外部串行EEPROM，从而提高了系统
设计灵活性。具有片上调试功能的集成-开发工具能够让设计人员进行实时快速调试，实现产品快速面市。每一种集成功能都可以在-40～125℃的整个汽车温度范围内正常使用。 Freescale Semiconductor 电话：800-990-8188 省略
单电源多路复用器 ISL5945l和ISL59452是用于高端消费视频产品的单电源、缓冲的三重4:1多路复用器。ISL59451具有集成的直流恢复功能，ISL59452专为交流耦合系统而设计。 ISL59451和ISL59452的特性包括：带宽250MHz；针对要求双端负载的多种应用，此器件能够驱动150Ω视频载荷，减少反射；亚像素转换率可以实现无像素损耗的视频信号转换，输出增益可在x1或x2之间选择；可支持高阻抗输出；采用带散热片的紧凑的QFN封装，非常适于当今空间受限的消费类产品应用。
Intersil
电话：021-6335-1198
省略
用于移动设备的低功耗HDMI发射器 VastLane HDMI发射器Sii9022与Sii9024显著地降低了功耗，同时提高了移动设备的可靠性与电池寿命。Sii9022发射器的特别设计可将HDMI的优越性能用于更小的移动设备之上。Sii9024发射器将用于移动设备，进行优质内容的传输，并与一个集成的高带宽数字内容保护(HDCP)引擎和钥匙相结合，从而使内容可以在采用了HDMI的设备间安全传输。Sii9022与Sii9024均可提供85MHz与165MHz的速率。
Silicon Image
电话：0755-8347-5885
省略
低功耗MCU为便携式医疗诊断设备提供完整信号链 MSP430FG4270微控制器能为手持式医疗应用提供完整的信号链，同时促使价格进一步降低。大容量片上存储器与全系列集成模拟外设有助于尽可能降低组件成本，缩小系统占用空间，理想适用于多种便携式应用，如个人血压监控器、肺活量计、搏动器以及心率监控器等便携式应用。 MSP430FG4270的16位RISC架构能够优化性能，延长电池使用寿命――这是便携式应用设计人员最关切的问题。片上功能集成了多种组件，其中包含一个支持内部参考与5个差动模拟输入的高性能16位∑一型ADC、一个12位DAC、两个可配置的运算放大器、一个16位计时器和多个16位寄存器等。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
省略
内含直流转换控制器的单端口PoE接口器件
内含直流转换(DC/DC)控制器以支持以太网供电设备(PSE)的单端口双功能以太网供电(PoE)控制器Si3460把两种功能集成至单颗芯片，协助设计人员大幅简化开发工作量、降低系统成本和避免兼容性问题，适合家庭网关、机顶盒和VoIP系统等新出现的PoE应用。
Si3460支持高速(10/100Mb/s)和吉比特以太网端点装置及中跨设备(midspans)，并能通过管脚设置以输出最大功率(15.4W，Class 0)给PSE设备，或将输出功率限制在IEEE第1到第3类设备的规定范围。
Silicon Laboratories
电话：021-6237-2233
省略
用于智能卡的90nm内置闪存的安全型微控制器
用90nm制造工艺的内置闪存的安全型微控制器ST21F384是ST的ST21智能卡平台内的一款安全型微控制器，是为2.5G和3G移动通信优化的产品。
ST21 F384的内核是一个8/16位CPU，线性寻址宽度16MB，典型工作频率21MHz。芯片内置7KB用户RAM存储器，以及128字节页而的384KB闪存，耐擦写能力与早期安全微控制器的EEPROM存储器相当。电流消耗完全符合2G和3G的电源规格，达到了(U)SIM的应用要求。该微控制器含有一个硬件DES(数据加密标准)加速器和用户可以访问的CRC(循环冗余代码)计算模块。
STMieroelectronics
电话：010 5984-6288
省略
适合智能动力传动应用的4KbFRAM存储器
3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的FRAM器件FM25L04-GA现符合Grade 1AEC-Q100的规范要求，可在40~+125℃的汽车工作温度范围内工作。
这款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM产品的直接硬件替代产品，但功能更强，具有高速的写入能力、几乎无限次的擦写，以及低工作电流。FM25L04-GA可以在高达10MHz的总线速度下进行读写操作，并具有先进的写保护方案以防止意外的写入与数据损坏。在+125℃时保证数据保存9000小时，在55℃时数据更可保存17年，在汽车温度范围内并以3.0V电压运行。
RAMTRON
电话：010-8263-8571
省略
超小型RS-485/RS-422单发射器
ISL329xE系列3.3V电源供电的RS-485/RS 422单发射器具有出色的±16.5kV ESD保护和超低电源电流要求。
该系列发射器的静态电源电流(ICC=150uA，最大值)很低，从而在功耗关键型应用领域取得了重大改进。此外，所有器件均具有Tx使能引脚，该引脚将IC置于低功耗关闭模式(ICC=luA，最大值)来在发射器被禁用的时候进一步将低功耗。
一般暴露在外界的发射器输出上的高级ESD保护，以及125℃的工作温度和TDFN封装选项的增强型散热性能彰显了这些器件的强劲性能。加之1SL328xE系列单RS-485/RS-422接收器，用户可以构建小型、高度可靠的串行通信端口。
Intersil
电话：021-6335-1198
省略
便携设备用记忆卡接口芯片
高集成度的微型记忆卡接口芯片EMIF06-SD02F3采用IPAD(有源和无源器件集成)技术，内置可插拔SD(安全数字)记忆卡接口所需的五个基本功
能，适用于带有SD接口的手机、GPS导航设备、数码相机等各种消费类和工业类产品。该收发器集成了信号调节，双向电平转换、ESD(静电放电)保护、EMI(电磁干扰)过滤单元和一个2.9V稳压器。
该芯片符合标准的和高速SD接口协议标准，以及MiniSD、MMc和uSD/TransFlash标准。此外，该芯片还提供6个高速双向电平转换器，它们的工作频率50MHz，典型传播延迟3ns，能够把2.9V的记忆卡连接到1.8V主处理器。
STMicroelectronics
电话：010-5984 6288
省略
用于摩托车引擎控制的32位MCU
32位的XC2700系列微控制器适合摩托车电子引擎装置，并满足即将颁布的排放标准要求。 XC2700系列以C166SV2高性能微控制器内核为基础，可在80MHz的频率下，通过66MHz五级管线提供单周期执行。它还集成了内存、稳压器和接口等关键外设，以降低系统总体成本，而且该全新的微控制器系列可以采用现有的C166SV2开发软件，使该系列成为经济高效的解决方案。 Infineon Technologies 电话：021 6101 9000 省略
用于北美LCD数字电视的单芯片LSI RSJ66954BG可以实现北美LCD数字电视的主要信号处理功能的，包括从前端信号输入到后端，如LCD面板的信号输出。 芯片功能主要包括：MPEG解码处理电路；降噪电路(从模拟视频信号检测和提取噪声成分以防止屏幕闪烁等的电路)；去隔行扫描电路；Y/C分离电路(分离亮度和色度信号的电路)；数据限幅器功能(诸如隐藏式字幕译码功能)；作为LCD面板控制功能的色彩管理NCM。
Renesas Technology
电话：021-6472-1001
省略.省略
增强性能16位安全MCU
用于需要高级别安全性智能卡应用领域的RS-4系列16位安全MCU可用于银行或信贷公司发出的信用卡或借已卡和身份证。
RS-4系列保持了与其上一代产品的CPU指令代码的兼容，而且可以实现大约五倍的处理性能，能够以高速执行复杂的处理，可以更快地运行如JavaCard或MULTOS的多应用操作系统(OS)，这对在单张智能卡上实现多种功能是非常必要的。此外，其低功耗设计使之适用了非接触操作。RS-4系列有助于开发人员使用一个16位MCU实现高性能和多功能的接触式或非接触式智能卡。
RS-4系列的RS-4CPU内核采用一种新开发的用于安全MCU的专有架构。它有一个16位算术单元和一个16位内部总线。RS-4CPU内核支持较早的代码级兼容的瑞萨AE-416位CPU内核的整个指令集。与AE-4系列相比，RS-4系列旨在提供更高的性能、增强的安全性，以及改善的灵活性的更多的外设功能。RS-4系列的特性概括如下。 Renesas Technology 电话：021-6472-1001 省略.省略
元器件与组件
PPTC电流过载保护器件 picoSMD035F器件是最小的PPTC电流过载保护器件，尺寸为2012mm，符合EIA标准的要求。它的额定电压是6V，保持电流为O.35A，触发电流为0.75A，最大电阻值为1.4Ω。这种器件符合安全机构颁布的标准，其端子涂敷了镍金，因而可焊接性极好。它也符合RollS法规的要求。
泰科电子(上海)有限公司
电话：021-6485 7333
省略
晶闸管浪涌保护器件
44款新的NPxxx器件是大浪涌电流TSPD，保护电压范围是64～350V，提供额定浪涌电流为50、80和100A等不同版本；可限制电压，并将浪涌电流转移至地。它们属于双向保护器件，因此能够在一个封装中提供两个器件的功能，节省出电路板空间。基本上，这些器件在过压发生时进行“消弧”一将可能带来潜在损伤的电能转移出敏感电路或器件。一旦瞬态过压状况过去，这些器件就会恢复到它们正常的“关闭”或透明状态，并且无形地在电路正常工作中发挥功能。这些TSPD没有耗损特性，在快速瞬态情况下提供稳定的性能特征，确保设备可靠持续地操作。 ON Semiconductor 电话：021-5131 7168 省略
基于siGec BicMOs工艺的微波NPN昌体管 BFU725F微波NPN晶体管基于SiGeC BiCMOS工艺，具有高开关频率、高增益和超低噪声等多重特点，适用于各种RF应用。超低噪声可以改善各种无线设备(例如GPS系统、DECT电话、卫星无线电设备、WLAN/CDMA应用)中灵敏的RF接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在lO～30GHz内的各种应用(例如卫星低噪声电路模块)的需求。BFU725F符合RoHS标准，可达到极低的噪声(1.8GHz0.43dB/5.8GHz时0.7dB)和很高的最大稳定增益(1.8GHzN27dB/180Hz时10dB)。
NXP Semiconductors
电话：010-6517-2288
SCn.省略
可单独控制红色、绿色及蓝色的LED芯片
高亮度VLMRGB343..提供了高达285mcd(红色)、560mcd(绿色)及200mcd(蓝色)的光强度，可针对苛刻的高效应用单独控制红色、绿色及蓝色LED芯片，专门针对汽车与运输、消费类及普通应用中的背光及照明进行了优化。该器件为黑色表面，可与所有视频标准兼容，其采用占位面积为3.2mm×2.8mm、厚度仅为1.8mm的小型PLCC-4封装。 VLMRGB343..省略
省略
电源
低功耗系列电压基准产品系列
REF33xx是5uA低功耗系列电压基准产品，具备高精度(最大±0.15％)、低温度失调(最大30ppm/C)、低噪声(输出28uVpp/V)、±5mA的稳定输出驱动电流以及SC70-3封装(比SOT23小40％)等多种特性。
该系列提供6种输出电压：1.25V(REF3312)、1.8V(REF3318)、2.048V(REF3320)、2.5V(REF3325)、3.0V(REF3330)以及3.3V(REF3333)。在具体负载情况下，这些器件还能在高于输出电压110mV的电源电压下工作，REF3312除外，它要求1.8V的最小电源电压。该系列的所有型号均可在40～+125℃的宽泛工业温度范围内工作。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
省略
MR16兼容式LED射灯专用芯片组
该芯片组能够把现有解决方案的元件数目减少多达50％，大幅减少灯颈部分印刷电路板的尺寸和重量。这款高集成度的MRl6芯片组可以提供所有相关的功率整流、LED电流控制和保护功能。MR16是卤素反射灯的标准格式，目前在各种家居、零售或办公室环境中的方向性照明应用中得到了广泛采用。以LED制成的不同类型电灯设备，不论在效率和可靠性方面皆得到显著改善。
Zetex Semiconductors
电话：852-2610-7932
省略
16位12C LED调光器
CAT9532为背光和RGB混色应用提供驱动16个并联LED的能力，并同时提供256缴调光的功能。这个器件也可以单独开启，关闭或闪烁每个LED(闪烁频率有两种可编程方案可选)，此外，该器伴还可以通过laC或SMBus接口实现传感器控制，电源开关，开关按钮和状态指示照明等功能。
产品特性：16个漏极开路输出，每路驱动电流为25mA；两种可编程闪烁频率：频率为0.593～153Hz，占空比为O％～99.6％；I/O町被用做通用I/O口；兼容400kHz I2C总线规范；24引脚SOIC，TSSOP或者24焊点(pad)TQFN封装(尺寸为4mm×4mm)。
Catalyst
电话：021-6249-1349
省略
高度集成照明管理IC MAX8830无须独立的控制IC，内置四路10mA电流调节器，适合于显示背光或指示信号应用的LED驱动。LED亮度可通过VC接口分32级独立调节。它还集成了低压差(75mV，典型值)200mA闪光灯电流调节器，允许用户通过I2C接口独立编程16级电影和闪光灯模式。可编程闪光灯安全定时器可防止由于闪光灯长时间导通引起的手指烧伤或LED损坏。相机模块可以采用简单的逻辑引脚直接控制闪光灯模式，而电影模式可以通过逻辑控制或I2C按口使能。280mA升压转换器同时集成了开关MOSFET和整流管。
MAX8830可自动检测开路和短路LED，并可通过12C接口读取该状态。其他功能还包括DC/DC转换器的过流保护、过热保护，同时还可以工作在－40+85℃扩展级温度范围。
Maxim
电话：010-6211-5199
省略
高电压、高亮度LED驱动器
MAX16812集成了高压侧/差分LED电流检测放大器以及PWM调光MOSFET驱动器。此外，该器件还内置76V额定、0.2 Ω开关MOSFET，具有宽达100～500kHz的工作频率范围。MAXl6812工作在5.5～76V电源电压范围，可满足冷启动和甩负载应用。它具有过压保护、欠压锁定、软启动以及热关断；规定工作在-40-+125℃汽车及温度范围，采用热增强型5mm×5mm、28引脚TQFN封装。
Maxim
电话：010-6211-5199
省略
针对移动设备的低噪声开关稳压器
AAT2120和AAT2158的功率转换效率分别为96％和95％。AAT2120可提供高达500mA的输出电流，而AAT2158可为需要更高水平电能的应用提供高达1.5A的输出电流。两款器件的输入电压范围均为2.7～5.5V，并支持提供低至0.6V的输出电压。为增强保护性能，这两款降压转换器都提供内部软启动、过温和限流保护电路。这两款新型降压转换器还通过增加100％占空比低压降操作，延长系统的运转时间。
AnalogicTech
电话：010-5162-7271
省略
双转换速率可控负载开关
AAT4282A支持运行在1.5-6.5V输入范围内的3V和5V系统，其静态电流仅为1uA。输入逻辑电平为晶体管晶体管逻辑(TTL)或2.5V到5V互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容。
AAT4282A可提供带有不同开与关特点的三个版本。其中，AAT4282A―l是一款带有转换速率限制的负载开关，AAT4282A-2具有少于500ns的开启速度和低于3us典型电流值AAT4282A-3添加了最小转换速率限制开启功能和一个关闭输出放电电路，当开关损坏时可迅速关闭电路。
AnalogieTech
电话：010-5162-7271
省略
升降型DC/DC微型模块稳压器 LTM4605在15mm×15mm×2.8mm焊盘网格阵列(LGA)塑料模制封装中集成了同步升压－降压型DC/DC控制器，4个N沟道MOSFET、输入和输出旁路电容器以及补偿电路。该器件只需要一个电感器、反馈和检测电阻以及大容量电容器就可实现非常扁平、紧凑和高效率的设计。性能特点：单电感器降压－升压型架构；同步4开关工作实现高效率(高达98％)宽输入电压范围：4.5～20V；宽输出电压范围：0.省略
省略
单/双/四/八通道精准电压监视器
LTC2910，LTC2912、LTC2913和LTC2914在汽车温度范围内都具有±1.5％的门限准确度，可以准确监视单通道负载点或多通道应用。性能特点：8个低压可调输入(LTC2910)；4个UV/OV正/负可调输入(LTC2914)；两个UV/OV可调输入(LTC2913)；1个UV/OV可调输入(LTC2912)；保证门限准确度：±1.省略
省略
共阳电流模式高亮度LED驱动器
LM3433可以输出负恒定电流来驱动高功率高亮度的LED，设有两种调节LED亮度的电流控制模式。模拟电流控制模式可以利用输入信号调节电流，以便为不同品牌的LED提供补偿。另一电流控制模式利用逻辑电平调光控制输入信号，以PWM的控制方式控制LED的亮度。PWM的控制模式利用并行开关将LED连接一起，令PWM调光控制频率可以高达40kHz。这款芯片还具备过热停机保护、VCC欠压锁定及逻辑电平停机模式等其他功能。
National Semiconductor
电话：021-5206-2288
省略
内置电压参考电路的微功率比较器
LMP7300的偏置电压只有300uV，而供电电流只有10uA。其供电电压为2.7～12V，最适用于3.3V、5V及±5V的系统。此外，这款芯片又可提供2.0～48V的参考电压，而且误差不超过0.25％，这样准确的参考电压最适宜用来监控输入电压。这款比较器的传播延迟时间不超过5ms，因此可以快速检测信号，而且准确度极高，功耗也极低。
National Semiconductor
电话：021-5206-2288
省略
用于LCD面板的LED驱动器
CAT4139升压转换器提供高达750mA的切换电流，可驱动高达22V的LED串，是数字相框与其他新兴的需要多达40个LED作背光的应用的理想选择；使用固定频率(1MHz)的切换电路架构；内建高压CMOS输出级，可在低输入电压状态下精确驱动5个串联的LED(输出电压可达22V)，转换效率高达87％。
为了抑制上电时产生的浪涌(in-rush)电流，CAT4139集成了软启动控制电路。针对LED开路损坏的情况，片内的过压保护电路通过限制芯片的输出电压来强制芯片进入低功耗模式，无须任何额外器件。上述的两个特性已被完全整合在芯片内，不需增加外部组件和相关成本，还节省了电路板空间。
Catalyst
电话：021-6249-1349
省略
9μVRMS超低噪声LDO ASl358/59/6l/62系列可在2-5.5V电源F工作，其在150mA时的低压降电压为70mV，在300mA时为140mV(仅ASl359/62)，工作时的电流仅为40uA，关断时仅为9nA；可提-供1.4 4.5V范围的预设输出电压，在300mA下的输出电压精度可达到1％；具有电源工作正常输出功能，当输出电压降至规定范围以外时会发出提示信号，导通时间仅为300μs的数字引脚有助干实现系统级的动态电源管理；具有过热和过电流保护功能。该系列有150mA(AS1358/61)和300mA(ASl359/62)两种输出电流供选择，可为各种应用提供足够的功率。
ausiriamicrosystems
电话：0512-6762-2590
省略
具有ESD保护的DC-AC转换器
MAX4990E高压、±15kV ESD保护、DC-AC转换器专门设计用于驱动电致发光(EL)灯。该器件采用基于电感的boost转换器，可产生250Vp-p(最大值)的高电压，实现最大的EL灯亮度。高压全桥输出将这一高电压转换为驱动EL灯所需的交流波形，为实现最大的设计灵活性，MAX4990E具有可减少音频噪声的电阻可调摆率控制，电容可调的开关频率，以及多种选项用于控制出电压。该器件适合用于MP3播放器、PDA、智能电话以及其他需要照明、高效率其至背光的应用。
Maxim
电话：010-621 1-5199
省略
符合VID标准的PWM控制器
ISL884xA是一系列的六个独特脉宽调制(PWM)控制器，在30V的电压下以2MHz的开关频率进行工作。ISL6420BMAEP是一款单独同步降压PWM控制器，它具有宽的输入电压范围-(4.5～28V)，宽输出电压范围(0.6～17.5V)，并能够处理极宽的极度军事温度范围。
Intersil
电话：021-6335-1198
省略
带PWM调光功能的白光LED驱动芯片系列
SB4251l，SB42520和SB4282的输入电压为6～25V，输出电流可达1A；内置温度保护电路，限流保护电路和PWM调光电路；在串接多个LED时的效率可以达到95％以上，可以进行PWM调光，通过外接PWM信号调整LED的输出电流，在100Hz～2kHz范围内可以达到良好的调光效果；另外，SB42511、SB42520芯片内部的自举电路采用独特的控制方法，不需要外接肖特基，在串接多个LED时也可以启动，这相对干采用自举方式工作的其他同类产品在性能上有了很大的提高。SB42821采用恒关断控制技术，不需要进行环路补偿，所需元器件少。此外，SB42821和SB42520内部还集成了使能功能，在关断状态下，静态电流只有25μA。
杭州士兰
电话：0571-8821 0880
省略
测试和测量
万兆以太网线外串扰测试套件
万兆以太网(10GbE)线外串扰测试
套件LANTEKl0GBKIT符合国际测试标准，配合LANTEK 6A和LANTEK7G线缆认证测试仪实现线外串扰测试功能。线外串扰(Alien Crosstalk)是在利用双绞线传输递增频率时所产生的副作用，需要利用传统方式以外的方法来进行测试以确保电缆之间的串扰不会妨碍10Gb正数据的传输。这款LANTEKl0GBKIT由一个双接口线外串扰适配器和12个专用的线外串扰终端组成。双接口线外串扰适配器支持单机测试，无须接入远端机。利用这个套件及一个简单的更新软件，任何LANTEK 6A或LANTEK 7G线缆认证测试仪都可以升级以提供标准兼容的线外串扰测试。
Ideal Industries China LLC
电话：010-8518"3141
省略
具有MSO混合测试功能的虚拟示波器
RIGOL VS5000系列虚拟数字示波器实时采样率高达400MS/s，等效采样率50GS/s，存储深度1M采样点，可提供40MHz至最高200MHz带宽的宽泛选择，VS5000系列采用UltraZoom技术，结合16通道逻辑分析功能，可实现MSO混合测试。
RIGOL VS5000系列虚拟数字示波器突破了传统示波器以硬件为主体的模式，将日益普及的计算机技术与传统的仪器仪表技术结合起来，使用户在操作计算机时，可以全屏幕清晰显示数据/波形，可以方便灵活地完成对被测设备的采集、分析、判断、显示及数据存储等工作。
VS5000系列虚拟数字示波器设计优秀，体积小巧，净重仅0.7kg。采用铝镁合金精密加工的外壳结实、耐用，更完全解决了普通塑料外壳抗干扰性差的缺点。与一些常见的工业板卡式虚拟仪器不同，Vs5000系列支持通用USB2.0高速接口和LAN接口，即插即用，可实现远程控制，让用户的测试更加方便。
RIGOL
电话：010-8070-6688 省略
PXI Exptess定时与同步控制器
PXI Express系统定时拧制器PXIe-6672可以同步具有纳秒精度的多个PXI Express系统。该控制器还便于同步配备GPIB、VXI和其他测量和仪器系统的PXI Express系统。该系统定时控制器生成的高精度的DC～105MHz时钟能够将仪器定时在精确的时钟频串上，并具有高稳定性的TCXO参考时钟。工程师可通过控制器中内外部时钟和触发的板载路由，完全控制PXI触发总线、星状触发线和系统参考时钟。该控制器还可用于实现单个PXIExpress机箱中的复杂同步方案，是高通道数和高性能测试和测量应用的重要功能。
NI
电话：800-820-3622
省略
具备集成化GPS收发器的PXI同步模块
PXI-6682能够在GPS，IRIG(Inter-Range Instrumentation Group)和IEEE 1588上同步PXI系统。PXI-6682可提供GPS的时间、场所和速度，IRIG-B解码和IEEE 1588同步。该模块的设计针对大型物理对象(如：飞机和桥梁)和地理分布式系统(如：电源网络和加速器)中测量或事件的时间标记和触发。工程师还能将该模块用做IEEE 1588网络中的总开关。IEEE1588精度时间协议(P了P)的标准方式能够同步以太网上的PXI、LXI和其他基于IEEE 1588的设备。另外，PXI-6682具有完整的PXI系统定时控制器功能，包括：控制PXI触发总线、星状触发线和系统参考时钟等能力。
NI
电话：800-820-3622
省略
覆盖波长超过2μm的光谱分析仪
AQ6375光谱分析仪利用衍射光栅测量光谱，波长范围覆盖1200～2400nm，波长分辨率在0.05～2.0nm之间，最小接收灵敏度为-70dBm，并可在1s内完成对100nm的扫描。它可以对主要用于环境监测领域2μm波段半导体激光器进行测量，对改善近红外半导体激光器的性能与扩展它的应用提供有效帮助，从而有助于解决环境监测过程中测量分辨率、测量速度、可操作性与维护等问题。1200～2400nm的波长覆盖范围使它不仅可以对激光吸收谱进行测量，也可以对1310mm、1550nm通信波段进行测量，不仅可以用于半导体激光器测量，还可以用于超连续谱(SC)光源的测量。
YOKOGAWA
电话：010-8522 1699
省略/cn-ysh
台式数字万用表
Fluke 8808A型台式数字万用表提供了5.5位的分辨率和多种测量能力，它具有一个双参数显示屏，用户能够同时测量两个不同但相关的参数，其测量功能包括电压、电阻、电流和频率，其直流电压基本准确度为0.01％。仪表采用了低阻抗输入测量电路，能够以100nA的分辨率测量小于200μA的小电流，并且被测电路不产生负载电压。Fluke 8808A的2×4四线欧姆功能采用了专有的分隔端子插头，用户仅利用2根而非4根测试引线即可进行四线欧姆测量。通过可选的2×4测试线，就可以对微型表面贴装元件进行精密的四线欧姆测量。
Fluke 8808A在前面板上提供了6个专用的功能设置按键，其功能类似于汽车收音机上的“预选”按钮，操作人员可快速、简单地执行测试程序。该仪器提供了具有“合格/不合格”指示的“高/低”限值比对模式，提供了测试一致性，可提高制造测试应用中的质量和效率。
Fluke
电话：010-6512-3435
省略
面向高速串行数据的13GHz测试方案
该13GHz测试系统由SDAl3000串行数据分析仪、D13000PS有源差分探头和一套创新的调试和分析工具组成，由于13GHz的带宽、40GS/s的采样率及]OOMpts/ch的内存，SDAl3000可以在开发过程中调试极具挑战性的物理层问题，为针对下一代串行数据标准执行一致性测试提供了完美的解决方案，如FB-DIMM、光纤通道、SAS、SATA、InfiniBand和PCI-Express。调试工具包括眼图违规定位程序和1SI(码间干扰)曲线，可以了解哪个位或哪种位组合导致的错误最多，其他工具包括PJ(周期性抖动)分类功能，帮助工程师了解给总
抖动带来的周期性抖动最多的来源，Eye Doctor、Wavescan和8b/10b解码和搜索等功能进一步增强了SDAl3000的串行数据解决方案。
LeCroy
电话：010-8280-0318
省略
Agilent UsB DAQ家族推出更多独立型和模块化解决方案
Agilent DAQ家族集多功能DAQ和数字输入/输出装置于一体，既可独立使用，也可作为模块使用。当在Agilent U2781A模块化主机中使用时，可扩展到384个通道。主机能装入不同功能的模块，从而帮助用户实现各种装置和应用的同步。
Agilent USB DAQ家族包括：Agilent U2500A系列同时采样多功能DAQ装置，它最适合对相位敏感的应用，Agilent U2300A系列多功能DAQ装置，它提供每通道达3Mpts/s的高采样率，最适合要求电参数和物理参数测量的机电应用，Agilent U2100A和U2600A系列隔离数字=输入/输出装置，它最适合与各种传感器及执行器一起工作，以实现完美的机器控制与自动化；Agilent U2781A6槽模块化仪器主机为U2300，U2500和U2800系列模块提供通道扩展，Agilent U 2802A热偶输入装置与U2355A/U2356A DAQ模块一起进行温度测量。
Agilent Technologies
电话：800-810-0189
省略
M-Type 1GHz示波器使设计验证更快捷
新推出的这两款M-Type 1GHz示波器在1GHz带宽仪器中提供了极高的信号保真度、完整的测量功能和优异的原始性能。每台示波器标配完善的一系列分析工具，包括WaveScan高级搜索和分析功能、WaveStream快速查看模式和独特的文件管理和报告编制工具LabNotebook。
M-Type示波器分成两种型号：WaveSurfer 104 MXs和WaveRunner104MXi。WaveRunner MXi具有10GS/s的最高采样率及12.5Mpts/ch的标配存储器(采用通道复用时可以达到25Mpts/ch)WaveSurfer MXs在每条通道上提供了5GS/s的采样率及10Mpts/ch的存储器，此外，所有M-Type示波器都兼容选配的低速串行触发，其解码软件可以帮助工程师使用易读的透明重叠、搜索/放大功能和表格显示功能，迅速分析I2C、SPI、UART、RS-232、CAN、LIN和FlexRay协议。
LeCroy
电话：010-8280-0318
省略
计算机及外设
PIC Express接口高速图像采集卡PCle-RTV24
PCIe-RTV24是基于PCI Express技术的高速图像采集卡，能提供PCIExpress×1传输速度、4通道输出，与现有PCI接口完全兼容的软件层。它具备4个独立的图像处理IC，模拟方式的图像采集速度达到每通道每秒30帧，支持彩色RGB24、RGBl6与灰阶图像数字输出格式，可读取一般混合式模拟彩色(如：PAL、NTSC)或黑白(如：CCIR、EIA)视讯信号，并提供4CIF、CIF及QCIF等图像分辨率格式，画面不失真。在图像功能之外，凌华PCIe-RTV24图像采集卡还提供4个TTL(数字集成电路)输出、输入及Watch dog定时器，可用于灯源控制。
凌华科技
电话：010-5885-8666
省略
宽温级微型主板
FixBoard-800E能够在-40～+80℃宽温级的环境中稳定运行。其支持1.8GHz的Intel Pentium M uFCPGA478CPU，也可搭配板载IGIIz的Intel超低电压Celeron M CPU，FSB400MHz或1.4GHz的Intel低电压Pentium M CPU；芯片组采用了Intel852GM+Intel ICH4，支持DDR200/266 SDRAM，最高IGB。
FixBoard-800E支持独立双显示功能，显示芯片为Intel852GM集成，最大支持64MB UMA显存。LCD显示可支持18/36 bit LVDS，最高分辨率为1400×1050，CRT显示可支持分辨率1920×1440。
FixBoard-800E带有6个USB2，0接口，2×RS-232/422/485接口，4×RS-232(通过子板SCDB-1293)，1×PCI，1×PC/104&PC/104Plus接口，方便用户自行扩展多种外接功能组件。
ARBOR中国
电话：0755-8343-8567
省略
基于InteL core2 Duo的ETX模块
ETX-NR667符合最新ETX3.02规格，增加了两个SATA端口连接器，可以与早期ETX版本完全兼容。ETX-NR667的CPU可以为ULV IntelCeleron或者Intel Core2 Duo，ETX-NR667具备可支持高达2GB DDR2内存模块的SODIMM插槽。图形支持功能包括单或双通道24位LVDS，AnalogCRT和电视输出(SDTV and HD7V)，ETX-NR667提供一个双端口SA了A控制器，同时支持一个10/100BASE-T以太网络端口，一个PATA EIDE控制器，4个USB 2.0端口，2个串行端口，1个并行端口(SPP/ECP/EPP)，1个PS/2键盘，鼠标，1个AC97音效，以及电源管理功能。ETX-NR667可以支持PCI和ISA，其他嵌入式功能包含Watchdog控制器，RS-232终端以及CMOS EEPROM备份，以防BIOS设定在电力不足时数据失。
此外，ETX-NR667可支持windows XP，Windows XPEmbedded，Linux和Vxworks等软件平台。
凌华科技
电话：010-5885-8666
省略
软件
面向DSP设计的ESL综合流程技术
DSP软件现在可支持FPGA器件，提供高级建模和硬件抽象，能转为RTL的约束限制(constraint-driven)算法综
合，以及为性能、占用面积和多通道化等特性提供系统性优化功能。DSP和FPGA架构的结合有助于设计人员轻松快速地捕获多速率DSP算法。DSP还适用于无线算法设计，数字RF/IF处理、FEC(正向纠错)与数字多媒体(音频和视频)加密以及高性能计算等开发FPGA应用。DSP的矢量支持功能可显著简化多通道无线算法，以及MIMO、视频、雷达和安全应用等多天线算法的创建。通过这些新功能，用户可以将复杂的无线算法(例如WiMAX、802.11a/b/g/n和DVB等标准)快速地描述、验证以及实施到硬件当中。
Synplicity
电话：021-6426-7766
省略
用于高亮度LED设计的在线设计工具
WEBENCH在线设计工具可协助工程师快速筛选二百多款高亮度LED。采用这一系统设计工具，工程师键入设计所要求的大小和效率，就能模拟有关电路的动态特性进行模拟测试，例如启动、稳态、脉冲宽度调制(PWM)光暗控制以及线路瞬态等。经过几分钟的最后微调之后，“建模快线”功能便会为用户编列一份有关LED系统所需的物料清单，而且还可快速完成包含LED，个人电脑电路板、驱动器集成电路及无源元件在内的客户定制化模型套件。
National Semiconductor
电话：021-5206-2288
省略
下一代Wind Rivet商用级Linux平台
面向嵌入式设备软件优化的下，代Wind River Linux平台基于2.6.21Linux内核，为用户提供一个采用eross-build架构环境的基于标准的Linux平台，还专门为用户提供了对64位应用的支持，包括能够支持各种架构下用于内核和用户空间调试的工具等，新的Wind River Linux平台还增加了更多的BSP (B0ard supportPackages)支持，包括用于Wind RiverReal-Time Core for Linux的各种BSP等，新的平台将提供一整套适用于未来商用级嵌入式Linux参考的行业标准。
Wind River
电话：010-6439-8185
httpp://省略
互联网收音机参考设计
RadioPro是一款Wi-Fi互联网收音机参考设计，它基于UniFi单芯片Wi-Fi技术。RadioPro无须PC即可通过Wi-Fi提供互联网无线电广播，并通过一个专门的互联网无线电广播门户网站支持10000多个无线电台，另外其软件可升级。
RadioPro基于CSR公司的两种低功耗芯片：一个是UniFi，它是CSR公司的单芯片Wi-Fi解决方案，另一个是多媒体应用处理器(MAP)，它是由RISe处理器、DSP和立体声编解码器高度集成的芯片。RadioPro利用CSR公司的UniFi-I芯片并通过Wi-Fi接入点来连接专门的互联网无线电广播门户网站。RadioPro的低功耗设计可使一块1500mAH的电池实现长达25小时的使用时间，从而实现真正的便携式互联网无线电产品。
CSR
Emaii：sales＠
省略
晶圆厂设计工具包FDK
Cadence Virtuoso技术有助于加速模拟、混合信号和RF器件的精确芯片设计。FDK能够在设计中发挥UMe65nm工艺和Cadence Virtuoso平台的高级功能，Cadence Virtuoso解决方案5和UMC的65nmRF FDK能够对高速发展的IC市场中的设计师提供支持，例如无线通信等。这些技术为时下数字和混合信号设计前所未有的紧密结合提供了高级工艺。
Cadence公司
电话：010-8287-2200
省略
AMIS-49200参考设计和评估工具包
AMIS-49200参考设计和评估工具包使Fieldbus H1及Profibus PA用户能够将AMIS-49200介质连接单元(MAU)轻松整合进他们的设计中。
AMIS-49200参考设计和评估工具包符合基金会现场总线(FF)要求，在总线布线和实际测量装置之间提供物理接口，针对工业流程自动化应用，尤其是基于FF规格FF-816(31.25Kb/s物理层轮廓规范)的FF H1设备Type 11l和Type112。FF是一种全数字双向通信系统，用于本质性安全传感器率计算机的应用。此种应用中，数据分布和传输、控制环路的完整及整合不同控制系统的能力非常关键。典型应用包括闭环连续控制、序批、高速流程自动化、信息整合、配方管理，数据采集、系统兼容及网络整合。
AMI Semiconductor
Email：021-5407-6116
省略
低成本的CAP可定制微控制器入门级开发工具包
AT91CAP是一种基于微控制器的系统级芯片，内置了高速内存，带有众多外设和接口以及一个金属可编程(MP)模块。AT91CAP9A-STK入门包基于单一的PCB板，含有以AT9lCAP9SARM926EJ-S为基础的微控制器，64MB SDRAM应用内存、512MBNAND闪存、高达8MB的DataFlash(选件)，并提供支持以太网、USB控制器和USB器件、带触屏功能的1/4 VGALCD显示屏、SD卡，4个模拟输入和耳机等的各种外部接口，以及一块作为承载主体的Altera Stratix 2EP2S15F484FPGA和配套的EPCSl6串行配置存储器。板卡上的AT91CAP9S具有64个通用I/O连接，而其卜的FPGA则有两组64个I/O的外设组件。此外，通过ICE-JTAG接口和USB-Blaster-JTAG接口，就可以进行调试。CAP入门工具包还含有AT73C224和AT73C239芯片，用于电源和电池管理。
Atmel Corporation
篇2
英文名称：
主管单位：
主办单位：上海贝岭股份有限公司
出版周期：月刊
出版地址：深圳市
语
种：中文
开
本：16开
国际刊号：
国内刊号：31-1325
邮发代号：
发行范围：国内外统一发行
创刊时间：1984
期刊收录：
核心期刊：
期刊荣誉：
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篇3
半导体技术极其丰富多彩，身陷其景，会有“不识庐山真面目，只缘身在此山中”的感触。为此，既要“近赏细微”，又要“临空浏览”，以期从中领悟到一些哲理。
本演讲根据半导体技术“由简入繁”、又“化繁为简”的螺旋式发展史事，探讨主流半导体技术的发展哲理，供大家参考讨论。
发展历程
根据IC Knowledge的归纳，可以把集成电路(IC)的发展历程划分为四个阶段：即奠定基础、激情创新、昂首阔步和走向成熟，每阶段大约20年。
“奠定基础”发生于上世纪四五十年代，此阶段发明或提出了晶体管、集成电路、平面工艺以及Si材料、CMOS等涉及器件“物理基础”、“基本结构”、“制造工艺”和“集成方法”等一系列基础技术和方法。
“激情创新”发生于上世纪六七十年代，主要是产业技术扩散阶段。诞生了EPKOM、DSP、DRAM、MPU等。当时有两个非常重要的发现，一个是等比例缩小，推动器件小型化；另一个是摩尔定律，推动器件集成化；这两个堪称是半导体技术的发展引擎。这时候制造装备(可视为晶圆制造的“基因”)业开始兴起，设计工具也涌现了出来。
“昂首阔步”发生于上世纪八九十年代，在此之前，大方向都已经定了，这时晶圆尺寸、集成规模、产业规模…等等只是顺续扩大，而产业技术则按“路线图”发展，即在已知规律下推测未来的发展，是一种逻辑的延伸。这里要指出的是，虽然第一代CMOS DRAM是在1983~1984年间推出的，但是CMOs罩在奠定基础阶段就已经“发明”了。
“走向成熟”阶段大致从2000年开始到CMOs技术的“终结”。近年来，在认识上大多共识到硅技术寿限大约在2020年前：而在实践中则从“拜速度论”向“应用为王”思路转移，发生了一些重大事件，例如出现了“双核年”，Fabless(无生产线的公司)模式由怀疑到肯定并成为产业亮点等等。
发展哲理
从发展的前两个历程，我们可以看到IC产业“确定了器件缩小(等缩比)、集成做大(摩尔定律)两大引擎，即如何做到又小又好!”而后两个历程则“全部基于冯・诺依曼范式和固体能带论”，“抬头拉车”，阔步向前，“即如何化繁为简，做得规则、标准!”
因此，从纯产业技术这个角度看，我们可以把这个产业的“发展哲理”归纳为：“小”就是美(目标)，崇尚“简约”(使命)，倚重“左脑”(思路)三大特点。
“小”就是美
可从机制、性能、成本、功能、融合等五个角度来看。机制是比例缩小，体现了“小(尺寸)与大(规模)螺旋式前进，低(价格)与高(性能)辩证统一”。成本无论从每MIPS成本，或每个晶体管的成本看，都在大幅度下降。芯片功能越来越丰富，尤其是现在的移动多功能装置，具有通信以外、越来越多的功能。融合的前景巨大，现在是硬件与软件融合，今后将是产业的融合。
崇尚“简约”
体现在材料、结构、制程、设计和应用五个方面。大自然恩赐了人类一种奇异的材料，它既便宜又丰富，既简单又复杂。在MOS结构中，“两点一线”构成了一个有源器件，并兼具“低进高出”的优异特性：而CMOS结构则具有“功”尽其用，“耗”节其尽的特点。制程采用基于平台的“印刷”。产品则是基于平台的设计，即把数以万计的以“实”元件为基础的系统设计，简化为按某些约束条件下的“虚”元件的“即插即用”“堆积”。应用方面，由于IC集成的深度、广度与成熟度的演进，使得终端产品和应用本身都大大地“简约化”了，例如手机集成度越来越高，并把“方案”都“集成”进去，不仅仅做手机简单一出现了“山寨”现象，而且使用也“傻瓜”化了。
倚重“左脑”
左脑负责理性推理，属于普通脑；右脑负责感性跳跃，是天才脑。IC发展倚重的是“左脑”，按照逻辑推理思路发展，可以体现在核心结构、核心工具和核心应用(计算模式)三部分。核心结构就是如何把晶体管的特征尺寸做小，原来认为32nm是一个坎，但IBM在E22nm时仍然采用传统的平面栅结构；而把晶体管尺寸缩小的核心工具(图形转移工具)依然依赖于光学方法，遵循简单的瑞利公式：至于核心应用则涉及到计算模式问题，由于冯，诺依曼范式积累了太多的人类知识，不会被轻易抛弃，所以一定会继续延用。
当然，技术革新仍然没有停止，只是这些革新都是在原有“基本模式”中的螺旋前进。例如核心结构没有突破MOS结构，过去是金属铝栅，现在是金属铪栅，是一种在原有模式上的螺旋式上升。其他也类似，都是基于旧原理上的逻辑延伸和传承更新。
几点启示
从发展哲理中看成功的诀窍。即基于最普通的材料、最完美的匹配：采用最巧妙的“缩扩”实现了最辨证的技术与经济“轮回”。
从发展哲理中思考颠覆性突破。Si-CMOS由于本身的物理限制。当它在缩小进程中变得愈来愈繁而又不能“化简”时，就意味着基于CMOs结构在逻辑上不能延伸了，这时就要发挥天才脑(右脑)的作用，寻找颠覆性突破。但是，目前已涌现的“新兴器件”既不成熟又难与Si-CMOS性／价全面匹敌，短时期内还看不到全面替代Si-CMOS的可能。而冯・诺依曼范式也仍将主导SoC设计，这就是说，我们现在还要尽力延伸并充分运用硅技术。主要体现在下面两点。
第一，嵌入设计成为延伸创新主流。长期以来，设计业的增速是整个IDM(集成设备制造商)的4倍，整个半导体业的3倍。即使在半导体业非常箫条时期，设计业仍然是正增长，这就使得Fabless成了2008年半导体产业的最大亮点，有3家Fabless公司进入了半导体的前20名，高通则进入了前8名。
几年前有人认为，CPU和DSP作为一个标准产品将要死亡，而实际上从数量上看，CPUSgDSP等通用产品确实比嵌入式芯片的数量少得非常多。因此有人大胆预测，到2028年，整个半导体市场规模将达到1万亿美元，其中绝大部分的芯片将用于嵌入式系统。
第二，“嵌入”应用离不开SiP／3D封装。就电子装置小型化而言，包括我们现在的手机，IC／SoC只占整个体积的很小一部分，其他的大多数零件(如传感器件、光学元件等)的小型化都要靠封装来解决。因此，2005年国际半导体技术发展路线图提出了在“More Moore(延伸摩尔定，律)”的同时，要关注“More than Moore(超越摩尔定律)”即SiP(系统封装)／3D(三维封装)的发展。
篇4
微电子学是电子学的分支学科，主要致力于电子产品的微型化，达到提升电子产品应用便利和应用空间的目的。微电子学还属于一门综合性较强学科类型，具体的微电子研究中，会用到相关物理学、量子力学和材料工艺等知识。微电子学研究中，切实将集成电路纳入到研究体系中。此外，微电子学还对集成电子器件和集成超导器件等展开研究和解读。微电子学的发展目标是低能耗、高性能和高集成度等特点。集成电路是通过相关电子元件的组合，形成一个具备相关功能的电路或系，并可以将集成电路视为微电子学之一。集成电路在实际的应用中具有体积小、成本低、能耗小等特点，满足诸多高新技术的基本需求。而且，随着集成电路的相关技术完善，集成电路逐渐成为人们生产生活中不可缺少的重要部分。
2微电子发展状态与趋势分析
2.1发展与现状
从晶体管的研发到微电子技术逐渐成熟经历漫长的演变史，由晶体管的研发以组件为基础的混合元件（锗集成电路）半导体场效应晶体管MOS电路微电子。这一发展过程中，电路涉及的内容逐渐增多，电路的设计和过程也更加复杂，电路制造成本也逐渐增高，单纯的人工设计逐渐不能满足电路的发展需求，并朝向信息化、高集成和高性能的发展方向。现阶段，国内对微电子的发展创造了良好的发展空间，目前国内微电电子发展特点如下：（1）微电子技术创新取得了具有突破性的进展，且逐渐形成具有较大规模的集成电路设计产业规模。对于集成电路的技术水平在0.8~1.5μm，部分尖端企业的技术水平可以达到0.13μm。（2）微电子产业结构不断优化，随着技术的革新产业结构逐渐生成完整的产业链，上下游关系处理完善。（3）产业规模不断扩大，更多企业参与到微电子学的研究和电路中，有效推动了微电子产业的发展，促使微电子技术得到了进一步的完善和发展。
2.2发展趋势
微电子技术的发展中，将微电子技术与其他技术联合应用，可以衍生出更多新型电子器件，为推动学科完善提供帮助。另外微电子技术与其他产业结合，可以极大的拉动产业的发展，推动国内生产总值的增加。微电子芯片的发展遵循摩尔定律，其CAGR累计平均增长可以达到每年58%。在未来一段时间内，微电子技术将按照提升集团系统的性能和性价比，如下为当前微电子的发展方向。
2.2.1硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）
CMOS电路将成为微电子的主流工艺，主要是借助MOS技术，完成对沟道程度的缩小，达到提升电路的集成度和速度的效果。运用CMOS电路，改善芯片的信号延迟、提升电路的稳定性，再改善电路生产成本，从而使得整个系统得到提升，具有极高研究和应用价值。可以将CMOS电路将成为未来一段时间的主要研究对象，且不断对CMOS电路进行缩小和优化，满足更多设备的需求。
2.2.2集成电路是当前微电子技术的发展重点
微电子芯片是建立在的集成电路的基础上，所以微电子学的研究中，要重视对集成电路研究和分析。为了迎合信息系统的发展趋势，对于集成电路暴露出的延时、可靠性等因素，需要及时的进行处理。在未来一段时间内对于集成电路的研究和转变势在必行。
2.2.3微电子技术与其他技术结合
借助微电子技术与其他技术结合，可以衍生出诸多新型技术类型。当前与微电子技术结合的技术实例较多，积极为社会经济发展奠定基础。例如：微光机电系统和DNA生物芯片，微光机电系统是将微电子技术与光学理论、机械技术等结合，可以发挥三者的综合性能，可以实现光开关、扫描和成像等功能。DNA生物芯片是将微电子技术与生物技术相结合，能有效完成对DNA、RNA和蛋白质等的高通量快速分析。借助微电子技术与其他技术结合衍生的新技术，能够更为有效推动相关产业的发展，为经济发展奠定基础。
3微电子技术的应用解读
微电子学与集成电路的研究不断深入，微电子技术逐渐的应用到人们的日常生活中，对于改变人们的生活品质具有积极的作用。且微电子技术逐渐成为一个国家科学技术水平和综合国力的指标。在实际的微电子技术应用中，借助微电子技术和微加工技术可以完成对微机电系统的构建，在完成信息采集、处理、传递等功能的基础上，还可以自主或是被动的执行相关操作，具有极高的应用价值。对于DNA生物芯片可以用于生物学研究和相关医疗中，效果显著，对改善人类生活具有积极的作用和意义。
4结束语
微电子学与集成电路均为信息技术的基础，其中微电子学中囊括集成电路。在对微电子学和集成电路的解析中，需要对集成电路和微电子技术展开综合解读，分析微电子技术的现状和发展趋势，再结合具体情况对微电子技术的当前应用展开解读，为微电子学与集成电路的创新和完善提供参考，进而推动微电子技术的发展，创造更大的产值，实现国家的持续健康发展。
作者:胥亦实 单位:吉林大学
参考文献
[1]张明文.当前微电子学与集成电路分析[J].无线互联科技,2016(17):15-16.
[2]方圆,徐小田.集成电路技术和产业发展现状与趋势[J].微电子学,2014(01):81-84.
篇5
建设集成电路设计相关课程的视频教学资源，包括集成电路设计基础理论课程讲授视频、典型案例设计讲解视频、集成电路制造工艺视频等；构建集教师、博士研究生、硕士研究生和本科生于一体的设计数据共享平台。集成电路设计是一项知识密集的复杂工作，随着该行业技术的不断进步，传统教学模式在内容上没法完全展示集成电路的设计过程和设计方法，尤其不能展示基于EDA软件进行的设计仿真分析，这势必会严重影响教学效果。另外，由于课时量有限，学生在课堂上只能形成对集成电路的初步了解，若在其业余时间能够通过视频教程系统地学习集成电路设计的相关知识，在进行设计时能够借鉴共享平台中的相关方案，将能很好地激发学生学习的积极性，显著提高教学效果。
二、优化课程教学方式方法
以多媒体教学为主，辅以必要的板书，力求给学生创造生动的课堂氛围；以充分调动学生学习积极性和提升学生设计能力的目标为导向[3]，重点探索启发式、探究式、讨论式、参与式、翻转课堂等教学模式，激励学生自主学习；在教学讲义的各章节中添加最新知识，期末开展前沿专题讨论，帮助学生掌握学科前沿动态。传统教学模式以板书为主，不能满足集成电路设计课程信息量大的需求，借助多媒体手段可将大量前沿资讯和设计实例等信息展现给学生。由于集成电路设计理论基础课程较为枯燥乏味，传统的“老师讲、学生听”的教学模式容易激起学生的厌学情绪，课堂教学中应注意结合生产和生活实际进行讲解，多列举一些生动的实例，充分调动学生的积极性。另外，关于集成电路设计的书籍虽然很多，但是在深度和广度方面都较适合作为本科生教材的却很少，即便有也是出版时间较为久远，跟不上集成电路行业的快速发展节奏，选择一些较新的设计作为案例讲解、鼓励学生浏览一些行业资讯网站和论坛、开展前沿专题讲座等可弥补教材和行业情况的脱节。
三、改革课程考核方式
改革课程考核、评价模式，一方面通过习题考核学生对基础知识和基本理论的掌握情况；另一方面，通过项目实践考核学生的基本技能，加大对学生的学习过程考核，突出对学生分析问题和解决问题能力、动手能力的考察；再者，在项目实践中鼓励学生勇于打破常规，充分发挥自己的主观能动性，培养学生的创新意识。传统“一张试卷”的考核方式太过死板、内容局限，不能充分体现学生的学习水平。集成电路设计牵涉到物理、数学、计算机、工程技术等多个学科的知识，要求学生既要有扎实的基础知识和理论基础，又要有很好的灵活性。因此，集成电路设计课程的考核应该是理论考试和项目实践考核相结合，另外，考核是评价学生学习情况的一种手段，也应该是帮助学生总结和完善课程学习内容的一个途径，课程考核不仅要看学生的学习成果，也要看学生应用所学知识的发散思维和创新能力。
四、加强实践教学
在理论课程讲解到集成电路的最小单元电路时就要求学生首先进行模拟仿真实验，然后随着课程的推进进行设计性实验，倡导自选性、协作性实验。理论课程讲授完后，在暑期学期集中进行综合性、更深层次的设计性实验。集成电路设计是一门实践性很强的课程，必须通过大量的项目实践夯实学生的基础知识水平、锻炼学生分析和解决问题的能力。另外，“设计”要求具备自主创新意识和团队协作能力，应在实践教学中鼓励学生打破常规、灵活运用基础知识、充分发挥自身特点并和团队成员形成优势互补，锻炼和提升创新能力和团队协作能力。
五、总结
篇6
本文主要采用了红外测量技术来测量整个电路中不同部件的温度变化情况，该方法不需要探测器接触到电路就能直接测出整个电路中各个部分的温度，这种不接触的形式不会对电路内部的温度产生影响，也能得到较为精确的测量结果，这也是该测试方法最具有竞争力的地方。由于在空气中的物体或多或少地都会向外部辐射一定的能量，这种能量往往以红外线的形式存在，因此用红外探测器很容易分辨出不同部分温度之间的差异，并且能够快速鉴别出物体表面的温度。
2有限元建模求解
为了得到较为准确的实验结果，笔者所在的研究团队采用了计算机技术来辅助测试，使用了包括ANSYS、EXCEL等在内的常用测试软件，并围绕核心的有限元法对电源进行了检测与测量,得到了线路中各个节点的温度，并且对其散热性能进行了系统性的分析。一般来说，一个电源模块内部往往包含有数量众多的电子元器件，并且相互之间的关系较为复杂，系统高度集成化，要对其进行建模需要消耗大量的时间与计算，往往得不偿失。在这样的条件下，笔者所在的研究团队适当简化了电源模块，将在红外检测中变化不大的元器件中直接省略，转而研究那些温度变化较大的元器件，并得到了较好的实验结果。
3优化设计
DC/DC电源在工作的过程中自然会产生大量的热量，为了减少发热对电路稳定顺利运行的影响，就需要采用一定的散热处理。散热一般从两个方向进行，其一为减少整体的发热量，其二为提升散热功率。在常用的散热手段中，最为经济的就是加装散热器了，但是这种操作受到很多因素的影响，不仅要控制整个系统的体积，还要考虑成本因素。因此在加装散热器得不偿失的时候，就要考虑提升系统内部的热传导效率了。
3.1对DC/DC电源进行热模拟
在本文设计的模拟实验当中选用的DC/DC电源为金属材质，金属材质传导热量的能力较强，并且电源采用的是真空封闭，因此散热能力较差，难以通过空气的对流来实现散热。除此之外，由于电源材料主要以辐射较低甚至是无辐射的材料制作而成，因此内部的热量主要以热传导的方式向外传递，传导的过程中要通过粘结层、基板以及外壳等部分，然后再在外壳表面对外辐射出热量。为了准确而又有效地展现内部热传导的实际情况，研究人员假设内部的热量并没有辐射的现象。
3.2如何优化电源的设计
本模拟所选用的电源主要以传导的方式来散热，所以选用材料的种类，以及材料自身热传导的优良性都是保证系统内部温度正常的因素。在功率器件VDMOS的核心部分，温度一般处于不断变化的过程中，笔者所在的研究团队分析了外壳、基板等部位采用材料的种类对温度变化的影响，发现电源外壳是直接决定散热能力的因素。由于外壳是电源内部热量与外部空气交换的关键部位，所以要保证电源外壳较高的热传导性能。一般来说，材质的导热系数越高，就能在单位时间内传导并散发出更多的热量，这也是选择散热能力高的材料时首先要考虑的因素。四种不同的材料分别受到芯片温度的影响，而随着温度的不断升高，外壳的导热率也随之增大，在短时间内传导走更多的热量，这也是高热导率的材料传热的原理。
4结论
篇7
在学生愿意主动来到课堂学习的前提下，吸引学生的学习兴趣更为重要。为了可以让学生兴趣盎然地参与到教学过程中来，教师在能讲述知识的前提下，还要能激发学生的学习动机，唤起学生的求知欲望。在这方面，教师可以结合实际应用，讲述一些射频集成电路在日常生活中的应用。比如，美国半导体产业协会（SIA）总裁兼执行长BrianToohey曾指出：“从物联网、智能汽车、智能家居等市场都可以看出，半导体普遍出现在每一种产品类型中，而且正变得无处不在。”仅仅在我们每天使用的智能手机中就包含RF收发器、功率放大器、天线开关模块、前端模块、双工器、滤波器及合成器等关键射频元件。而且有报告指出，2011年这些射频器件的市场规模为36亿美元，预计2011~2015年的年复合增长率为5.6%，到2016年主要的射频器件市场将达47亿美元。此外，目前应用比较广泛的WiFi及物联网都与射频集成电路有着密切的关系。这些切实应用由于与学生的生活以及将来的就业息息相关，因此，相关内容的讲述能够有效地激发学生的学习热情。
二、如何让学生成为课堂的主人
“以教师为中心”“以灌输为主要形式”的传统教学方式已经无法适应新时代的需求。如果教师仅根据教材对内容进行枯燥的讲解，无法抓住学生的注意力，学生很容易溜号，影响课堂教学质量。因此可以通过引进研究型教学模式、师生互动来活跃课堂气氛。所谓“研究型教学模式”即将教师由知识的传授者转变为学习的指导者，将学生由被动的学习转变为主动的学习。如何使学生成为课堂的主人，在教学实践中发现培养学生的问题意识是课堂教学的有效手段，教师可以通过创设开放的问题情景，引导学生进入主动探求知识的过程，使学生围绕某类主体调查搜索、加工、处理应用相关信息，回答或解决现实问题。比如，以射频技术在物联网中的应用为开放课题，学生通过查资料，分析整理，更深刻体会了射频技术在智能家居、交通物流、儿童防盗等方面的应用，使学生在学习过程中主动把“自我”融入到课程中，敢于承担责任，善于解决问题。
三、让学生走上讲台
学生是课堂的主人，因此，可以改变以往教师在讲台上讲、学生坐在下面听的传统教学模式。让学生走上讲台可以将传统的讲授方式转换为专题研讨的教学模式。教师可以提前布置专题内容，如射频器件模型、射频电路设计、射频技术发展、射频技术的应用及未来发展趋势等。有个专题内容作为核心，学生可以在老师的指导下通过检索资料，组织分析资料，最终走上讲台向老师和其他学生讲述相关的内容。通过几年的实践，发现这样可以增加学生学习的主动性和自觉性、同时也能使学生对相关的问题发表各自的观点，形成对问题各抒己见、取长补短的研讨学习方式，大大拓宽学生的知识面以及综合表述能力。
四、通过实践教学加深理解理论教学内容
理论教学是掌握一门技术的基础，但实践教学也是必不可少的。学生在掌握一定的基础理论的同时，须要通过设计实践来强化巩固。实践教学的引入，不仅能够加深学生对理论知识的深入理解，洞悉细节，提高学生的动手能力，还可以培养学生创新思维及科研能力。因此，教师可以通过设置几个开放的课程设计内容来让学生主动研究探索。在本课程的教学中，本人已经有计划地进行了实践教学活动，例如，在实践教学中，曾经给学生布置了“用于GPS的低噪放电路设计”的实践设计。在该设计过程中，学生须要深入理解多方面知识，比如明确GPS的频段、确定低噪放的电路结构，并有效评估电路性能等。为了课程设计的顺利进行，学生须要进行查阅分析资料、软件安装、软件学习、电路设计、课程论文撰写等几个环节的分析设计工作，并最终在实践中系统深刻地理解掌握课程的理论内容，为以后的工作及深造打下坚实的基础。
五、鼓励学生参与科研项目
篇8
本文分析了智能功率集成电路的发展历程、应用状况和研究现状，希望能抛砖引玉，对相关领域的研究有所贡献。
【关键词】智能功率集成电路 无刷直流电机 前置驱动电路 高压驱动芯片
1 智能功率集成电路发展历程
功率集成电路（Power Integrated Circuit，PIC）最早出现在七十年代后期，是指将通讯接口电路、信号处理电路、控制电路和功率器件等集成在同一芯片中的特殊集成电路。进入九十年代后，PIC的设计与工艺水平不断提高，性能价格比不断改进，PIC才逐步进入了实用阶段。按早期的工艺发展，一般将功率集成电路分为高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit，HVIC）和智能功率集成电路（Smart Power Integrated Circuit，SPIC）两类，但随着PIC的不断发展，两者在工作电压和器件结构上（垂直或横向）都难以严格区分，已习惯于将它们统称为智能功率集成电路（SPIC）。
2 智能功率集成电路的关键技术
2.1 离性价比兼容的CMOS工艺
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺是目前最主要的SPIC制造工艺。它将Bipolar，CMOS和DMOS器件集成在同一个芯片上，整合了Bipolar器件高跨导、强负载驱动能力，CMOS器件集成度高、低功耗的优点以及DMOS器件高电压、大电流处理能力的优势，使SPIC芯片具有很好的综合性能。BCD工艺技术的另一个优点是其发展不像标准CMOS工艺，遵循摩尔定律，追求更小线宽、更快速度。该优点决定了SPIC的发展不受物理极限的限制，使其具有很强的生命力和很长的发展周期。归纳起来，BCD工艺主要的发展方向有三个，即高压BCD工艺、高功率BCD工艺和高密度BCD工艺。
2.2 大电流集成功率器件
随着工艺和设计水平的不断提高，越来越多的新型功率器件成为新的研究热点。首当其冲的就是超结（SJ，Superjunction）MOS器件。其核心思想就是在器件的漂移区中引入交替的P/N结构。当器件漏极施加反向击穿电压时，只要P-型区与N-型区的掺杂浓度和尺寸选择合理，P-型区与N-型区的电荷就会相互补偿，并且两者完全耗尽。由于漂移区被耗尽，漂移区的场强几乎恒定，而非有斜率的场强，所以超结MOS器件的耐压大大提高。此时漂移区掺杂浓度不受击穿电压的限制，它的大幅度提高可以大大降低器件的导通电阻。由于导通电阻的降低，可以在相同的导通电阻下使芯片的面积大大减小，从而减小输入栅电容，提高器件的开关速度。因此，超结MOS器件的出现，打破了“硅极限”的限制。然而，由于其制造工艺复杂，且与BCD工艺不兼容，超结MOS器件目前只在分一立器件上实现了产品化，并未在智能功率集成电路中广泛使用。
其他新材料器件如砷化嫁（GaAs），碳化硅（SiC）具有禁带宽度宽、临界击穿电场高、饱和速度快等优点，但与目前厂泛产业化的硅基集成电路工艺不兼容，其也未被广泛应用于智能功率集成电路。
2.3 芯片的可靠性
智能功率集成电路通常工作在高温、高压、大电流等苛刻的工作环境下，使得电路与器件的可靠性问题显得尤为突出。智能功率集成电路主要突出的可靠性问题包括闩锁失效问题，功率器件的热载流子效应以及电路的ESD防护问题等。
3 智能功率集成电路的用
从20年前第一次被运用于音频放大器的电压调制器至今，智能功率集成电路已经被广泛运用到包括电子照明、电机驱.动、电源管理、工业控制以及显示驱动等等广泛的领域中。以智能功率集成电路为标志的第二次电子革命，促使传统产业与信息、产业融通，已经对人类生产和生活产生了深远的影响。
作为智能功率集成电路的一个重要分支，电机驱动芯片始终是一项值得研究的课题。电机驱动芯片是许多产业的核心技术之一，全球消费类驱动市场需要各种各样的电动机及控制它们的功率电路与器件。电机驱动功率小至数瓦，大至百万瓦，涵盖咨询、医疗、家电、军事、工业等众多场合，世界各国耗用在电机驱动芯片方面的电量比例占总发电量的60%-70%。因此，如何降低电机驱动芯片的功耗，提升驱动芯片的性能以最大限度的发挥电机的能力，是电机驱动芯片未来的发展趋势。
4 国内外研究现状
国内各大IC设计公司和高校在电机驱动芯片的研究和开发上处于落后地位。杭州士兰微电子早期推出了单相全波风扇驱动电路SD1561，带有霍尔传感器的无刷直流风扇驱动电路SA276。其他国内设计公司如上海格科微电子，杭州矽力杰、苏州博创等均致力于LCD，LED，PDP等驱动芯片的研发，少有公司在电机驱动芯片上获得成功。国内高校中，浙江大学、东南大学、电子科技大学以及西安电子科技大学都对高压桥式驱动电路、小功率马达驱动电路展开过研究，但芯片性能相比于国外IC公司仍有很大差距。
而在功率器件的可靠性研究方面，世界上各大半导体公司和高校研究人员已经对NLDMOS的热载流子效应进行了广泛的研究。对应不同的工作状态，有不同的退化机制。直流工作状态下，中等栅压应力条件下，退化主要发生在器件表面的沟道积累区和靠近源极的鸟嘴区；高栅压应力条件下，由于Kirk效应的存在，退化主要发生在靠近漏极的侧墙区以及鸟嘴区。当工作在未钳位电感性开关（UIS} Unclamped Inductive Switching）状态的时候，会反复发生雪崩击穿。研究表明，NLDMOS的雪崩击穿退化主要是漏极附近的界面态增加引起的，且退化的程度与流过漏极的电荷量密切相关。雪崩击穿时流过器件的电流越大，引起的退化也越严重。
参考文献
[1]洪慧，韩雁，文进才，陈科明.功率集成电路技术理论与设计[M].杭州：浙江大学出版社，2011.
[2]易扬波.功率MOS集成电路的可靠性研究和应用[D].南京：东南大学，2009.
[3]马飞.先进工艺下集成电路的静电放电防护设计及其可靠性研究[D].杭州：浙江大学，2014.
[4]郑剑锋.基于高压工艺和特定模式下的ESD防护设计与研究[D].杭州：浙江大学，2012.
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关键词：集成电路EDA 课程改革 教学内容
中图分类号：G642.0 文献标识码： A 文章编号：1672-1578（2013）10-0029-01
1 引言
高职教育的目的是使学生获得从事某个职业所需的实际技能和知识，具备进入岗位所需的能力与资格，并且应当具备良好的职业道德和熟练的职业技能，走上职业岗位之后能够胜任岗位，并有后续发展能力。然而，鉴于多方面因素，高职教育的教学质量不断下降，高职学生职业能力的欠缺直接影响了就业。因此，高职院校必须进行课程改革，构建符合高职教育规律、适应高职课程的教学模式。下面，笔者就简单谈谈我院集成电路EDA课程改革的情况。
2 课程定位
集成电路EDA技术是集成电路及电子系统设计的综合技术，是现代科技创新和IC产业发展的关键技术。该课程作为高等职业院校微电子专业的一门重要的主干专业课程，紧扣专业理论和生产实践需求，具有较强的岗位实践操作技能，是电子类专业毕业生必须具备的专业技能之一；而且该课程能贯穿整个专业教学环节，掌握本课程能使学生更好地学习掌握其他专业课程。
3 课程设计理念
按照“基于工作过程”的课程开发体系进行课改，重视职业技能的训练，充分体现以应用型技术人才为培养目标；形成以行业需求为导向，以职业实践为主线，“教、学、做一体化”的专业课程体系；构建工学结合的高职课程开发模式，落实“强化实践、重在应用”，着重 “职业能力” 培养的指导思想。通过典型的实践项目课题，多样化的教学方法，形成实践教学和工作过程一体化、课堂与生产线一体化、实践教学与培养岗位能力一体化，激发学生的学习兴趣，引导学生将学到的知识应用于实践中，加强课程知识点的连接，充分体现EDA技术在电子电路实际设计中的应用，使课程教学真正体现实践性、应用性。
4 改革目标
目前，集成电路EDA设计工具主要市场份额为美国的Cadence、Synopsys和Mentor等少数企业所垄断。我院该课程采用的是Tanner Pro 软件，在教学过程中，以职业实践为主线，通过课程改革，逐步实现“教、学、做一体化”的专业课程体系。通过对实用电路的设计，激发学生学习先进的电子电路设计技术的兴趣，使学生掌握集成电路设计和布局图设计的基本方法，了解IC组件库的电路模型、符号模型的设计方法；能熟练创建电路文件、版图文件，生成网表文件，进行电路仿真模拟，并熟悉电路与版图对比方法；养成按规范进行集成电路设计与应用，并按照企业规范设计版图的职业素养；培养了学生使用现代先进设计工具的能力和团队沟通能力，为以后工作打下一定的基础。
5 教学内容
随着IC 技术的发展，对集成电路EDA课程教学内容提出了更高的要求。这次为适应科学技术的发展以及对人才培养的要求，我们走访企业、征求用人单位意见，特别聘请企业专家进行技术指导，结合专业培养目标和就业岗位群，我们对EDA课程的教学进行了修订，教学内容进行了调整和充实。
为加强对学生实践能力、创新能力和工程实践能力的培养，将EDA技术理论和实训课单独开设，促进了对学生实际动手能力和分析、设计能力的培养。为了培养学生的创新能力，我们加重了设计性实验、综合实验的分量，加强各种实践环节，使学生通过理论课程的学习和实训课程的实践，基本掌握EDA技术，再通过相应的课程设计将理论用于实践，将理论与设计融为一体，使学生在毕业设计中，既能提高运用所学知识进行设计的能力，又能在这一过程中体会到理论设计与实际实现中的距离，锻炼了学生分析问题、解决问题能力。
6 课程改革中的重点、难点及解决办法
课改的重点：“基于工作过程”的项目式课程开发
难点：项目式教学内容的确定，教材、教学设备的准备，学生对实际生产环境和生产过程的体验和学习，工程实际应用的系统设计。
解决方法：（1）采用全新的教学理念和教学方式，以“必须”“够用”的原则组织教学内容，将教学与EDA工程技术有机结合，设计由浅入深的实验项目，以实现良好的教学效果。（2）根据课程实践性强的特点，加强实验室建设，提倡学生进行自主教学活动。（3）多方面综合考虑，全面优化教学效果。（4）加强校企合作，提高授课教师的理论水平和工程实践能力，让学生进入企业进行生产实习，将教学、实验和科研紧密结合。
7 教学方法与手段
EDA技术涉及面广、实践性强，对教师和学生的要求较高。在EDA技术教学方法上，我们改变了过去以教师为中心、以课堂讲授为主、以传授知识为基本目的的传统教学模式。采用教师讲授与学生实践相结合，理论知识与现实工程问题相结合的灵活的教学方式，留给学生充分的思考和实践时间，鼓励学生勤于思考，把握问题实质，不断提高自己解决实际问题的能力。把“教、学、做”一体化，体现到实处。
讲课时突出重点、难点，注重知识点重组。教学中引入大量的EDA实际例题，重视培养学生的运用知识，解决实际问题的能力，充分调动了学生的学习积极性。
实践表明，采用多元化的教学方法可以取得较好的效果。多元化教学方法包括：（1）交互讨论教学法；（2）目标驱动教学法；（3）开放式自主实践；（4）课外兴趣小组；（5） 鼓励学生参与大学生创新活动。
在课堂教学中，让学生多实践，多动脑、勤思考，才能发挥他们的学习主动性，起到良好的教学效果。
8 结语
通过课程改革，改变了常规的教学模式，以学生为主，教师为辅，再结合多种教学方式，以激发学生的学习兴趣，提高学生的学习能动性，并且重视学生的理论与实践的结合能力，使学生深切感受到学有所用，大大提高了集成电路EDA课程的教学效果。
参考文献：
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一、加快推进国内集成电路企业科研平台建设
近年来，国家加大集成电路科研平台建设，建设了包括面向集成电路重点产品的高性能工艺及技术服务平台、集成电路先进封测工艺技术开发平台、国产设备、材料成套验证和配套工艺开发平台、国内集成电路制造企业的公共技术IP和“专利池”建设等多个平台。
南通富士通是崇川区一家专门从事集成电路封测的企业，近几年来，公司主管科技部门通过推动企业科研平台的建设，成功地实现了产品的转型。早在2002年之前，该公司的主导产品还是DIP、SIP系列的单芯片，直插式的封装产品，从2003年开始，南通市通过培养企业成立工程技术研发中心平台，研发具有先进前瞻性的集成电路封装产品，公司逐渐向集成电路封装先进高端产品进军，2007年，公司在省、市、区科技部门的帮助下，成立省级工程技术研究中心，攻克了汽车点火模块的系统级封装技术。2008年，再次实施了BGA封装技术开发及产业化项目，并首次实现公司在国内本土企业的第一个“第一”：国内BGA封装量产第一。2011年，公司通过引进上海微系统所王曦院士，成立省级企业院士工作站，同年，进一步整合企业研发资源，成立了南通市首家集成电路封测企业研究院。通过一系列的平台建设，公司研发能力大幅提升，现有封装技术水平达到国际先进，研发平台同时能够为省内的其他中小型集成电路企业提供技术服务，更好地带动集成电路产业链的发展。
二、加大科技项目研发资金扶持力度
企业创新的动力是利润，在企业之间的激烈竞争中，只有通过创新提高利润的企业才能生存下来，新的技术不断地取代传统的落后技术。目前，国内本土集成电路企业与国外集成电路企业相比，具有起步晚，起点低，企业资金规模小的特点。一方面，国内集成电路要面临国外集成电路的技术垄断，另一方面，因为研发成本高，投入资金过大，面临自身的资金压力，企业研发积极性不强。
为了带动企业研发积极性，解决企业研发资金不足难题，国家、地方各级政府大力发展集成电路产业，集成电路产业再一次迎来了快速发展的新机遇。2009年开始，国家开始实施重大科技专项，集成电路作为02专项首次被列入到重大发展项目行列，国家每年拿出十多亿资金用作集成电路企业研发引导资金，省市地方科技部门予以配套支持，企业利润部分用作自筹资金。项目取得巨大成效，辖区企业南通富士通牵头承担了2009年02专项“先进封装工艺开发及产业化”、2011年02专项“高集成度多功能芯片系统级封装技术研发及产业化”两个项目，其中2009年项目已实施完成，项目总投资3.6亿元，形成新增产值33亿元，利润1.5亿，税收7400多万元。项目开发了BGA/CSPBGA、newWLP、FC/FCBGA、高可靠汽车电子封装技术开发、MCP特殊封装等技术，共形成新产品新工艺5项，申报专利100项，获国家重点新产品认定2项，获省科学技术奖1项。
多年来，富士通公司通过实施各级各类科技计划项目，不仅提升了技术和进行产品的更新换代，更带动了国内产业链的健康发展，一批集成电路新兴产业在不断发展。
三、加强国际合作，促进技术消化吸收再创新
企业技术要得到尽快发展，一方面依托企业自身技术积累，另一方面要借“东风”，这个“东风”就是国际先进技术。诚然，国外对集成电路先进技术进行垄断，要引进国外技术，往往是花大价钱买了国外落后的设备和专利，到国内没过多长时间就被淘汰了，难以达到目标。所以，企业要想从国外引进技术，就必须要与国外企业进行产学研合作，建立海外研发机构，及时了解国际集成电路技术动态。国家、省市地方科技部门相继成立了产学研合作处，通过提供政策便利、资金引导，帮助企业成功实现国际产学研合作，推动一批海外研发机构的建立。
辖区企业南通富士通2009年通过建立海外研发机构JCTECH，与日本富士通株式会社进行技术合作，引进了富士通高可靠圆片级封装技术，通过进一步消化吸收再创新，成功地实现国内圆片级封装技术产品的达产，减少了技术开发过程中的弯路。
四、建立健全知识产权管理体系
知识产权作为一种无形财产权，是一种十分重要的经济资源。在省、市、区科技部门的指导下，南通富士通公司最早实施了省级知识产权战略推进项目、省知识产权贯标工作。通过实施各级各类知识产权项目，公司强化知识产权管理部门、确立知识产权战略目标、完善知识产权相关制度、建立专利预警制度、加强专利培训和专利挖掘、注重竞争合作。通过不断增强自身知识产权实力，为公司发展争取了全球广阔的市场空间。
目前，南通富士通公司主要客户遍布世界半导体知名企业，其中包括摩托罗拉、西门子、东芝等世界排名前二十位的半导体企业，具有较强的海外市场开发能力和竞争力，出口占比70%。
五、结束语
通过科技管理，促进集成电路企业研发资源的整合及科研平台的建设，提高企业自身创新能力；使用研发引导资金能够有效地增强集成电路企业创新积极性，增强企业研发能力，技术水平及研发能力上缩短甚至赶超国际先进水平；产学研国际合作引进国外先进技术，减少企业研发过程中的弯路，知识产权体系的建立，确保集成电路企业权益不被侵犯。通过一些列有效的科技管理，相信国内集成电路企业在近几年内打破国外技术封锁，填补国内空白，向世界级企业转变。
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参考文献
[1]江苏省集成电路产业发展报告 电子工业出版社 2011.
