半导体材料范文
时间：2023-03-14 20:36:23
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篇1
1、常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等,以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。
2、半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
（来源：文章屋网 ）
篇2
关键词：半导体材料；教学内容；教学方法；实践教学
中图分类号：G642.0 文献标志码：A 文章编号：1674-9324（2016）10-0085-02
材料是人类文明的里程碑，其中半导体材料更是现代高科技的基础材料。近年来，半导体材料在国民经济和前沿科学研究中扮演越来越重要的角色，引起了社会的广泛关注。半导体材料作为材料科学与工程专业的核心专业课，主要是通过研究学习Si、Ge、砷化镓等为代表的半导体材料的性质、功能，内容涉及晶体生长、化学提纯、区熔提纯等半导体材料的生长制备方法及半导体材料的结构、缺陷和性能的分析和控制原理。随着现代科技的飞速发展，该学科也更新换代加快，形成了一些新的理论和概念。为了进一步提高对半导体材料课程的教学质量，我们借鉴国内外大学先进的教学理念，对该课程存在的问题进行了总结，并提出了新的教学改革。
一、课程存在的问题
在半导体材料课程的教学实践过程中，存在诸多的问题，例如该课程教材包含的内容非常宽泛，理论强且概念多而抽象；部分内容与其他课程的重复性相对较高，使得学生缺乏学习兴趣；更主要的是教材内容大多注重理论，而忽视了实践的重要性，缺少对前沿科学知识的相关介绍。此外，目前传统的课堂教学方法主要是简单的教师讲述或者板书课件的展示形式，学生被动地接受知识，部分学生只能通过死记硬背的方式来记住教师所传授的基础理论知识，长此以往，只会加重学生对该课程的厌学情绪。此等只会与因材施教背道而驰，扼杀学生的个性和学习的自主性，不利于培养创造新型科学性专业型人才。
二、课程改革的必要性
《半导体材料》课程以介绍半导体材料领域的基础理论为目的，从常见半导体的性质，揭示不同半导体材料性能和制备工艺之间的关系，全面阐述各半导体材料的共性基础知识与其各自适应用于的领域。在当今信息时代科技的飞速发展中，只有结合理论和实践才能发挥半导体的最大效用，才能更有效地掌握其深度和广度，这些对后续课程的实施也有着一定的影响。作为材料科学与工程专业的重要专业课程之一，除了让学生学习理论知识，更重要的是培养学生的科学实践能力和职业技能，以适应当今社会的发展。针对以上存在的问题，半导体材料的教学改革迫在眉睫。由此才可以改变学生的学习现状，调动和提高学生的学习兴趣，提高教学质量，使得我们所学知识真正为我们所用。
三、教学内容的改革
1.内容的改革。对传统的半导体材料教学内容的改革，从根本上来看最重要的是引入前沿知识，实现内容的创新，并且使得理论联系实际。下图是目前我校的半导体材料的基本内容，如下：
目前我校的半导体材料课程内容主要由以上几个部分组成，其中A、B两部分的内容为重要部分，整个学期都在学习；而C部分相对来说比较次要，在学习过程中大概讲述一至两种半导体材料，剩下的部分属于自学部分，也不在考试范围内；至于专业课的实验，也相对较少且没有代表性。该课程是在大三上学期开设的，对于处于这个阶段的学生来说，面临这考研或就业的选择与准备过程中。所以作为一门专业课，除了注重半导体材料的特性、制备和应用方面的知识外，更重要的是半导体材料的应用领域和研究现状相结合，增加其实用性，不管对考研，还是就业的同学来说，都有一定的帮助。对于改革后的教学内容，除了增加对图1中C部分的重视度，其次，应增加各模块：目前半导体材料的热点应用领域及研究现状。还有图1中的A、B部分可适当地减少，因为在其他的专业课程都有学习过，对于重复的知识巩固即可，没必要再重点重复学习。对于实验课，相对于实验室来说，能够操作的实验往往没有多大的挑战性，有条件的话能够进入相关企业观摩，身临其境的感受有意义得多。
在实际的课程教学过程中，除了学习常见半导体材料的发展历史和研究方法外，介绍一些新型的半导体材料及其应用领域，例如半导体纳米材料、光电材料、热电材料、石墨烯、太阳能电池材料等，使学生能够区分不同半导体各自的优缺点；除了介绍晶体生长、晶体缺陷类型的判定及控制的理论知识外，介绍几种生产和科研中常见的材料检测方法，如X射线衍射、扫描电子显微镜、红外光谱仪、荧光光谱等。此外，还可以介绍当前国内外的半导体行业的现状和科技前沿知识，让学生清楚半导体行业存在的一些问题需要他们去完成，以激发学生的使命感和责任感。在讲授各种外延生长的设备和原理时，应介绍一些相关的科学研究工作，如真空镀膜、磁控溅射等。另外，可以以专题的形式，介绍一些前沿内容，如半导体纳米材料、石墨烯方面的研究进展和应用前景等，拓宽学生的知识面，以激发学生的研究兴趣和培养创新意识。
2.教材参考书的选择。《半导体材料》课程内容较多，不同的教材的侧重点不一样，所以仅仅学习教材上的内容往往不够，所以根据课程的改革要求和《半导体材料》课程自身的特点，需要与本课程密切相关的、配套齐全的参考教程，例如半导体器件物理（第二版）、微电子器件与IC设计基础（第二版）、半导体器件原理等。
四、教学方法的改革
由于传统的教学观念的影响，半导体材料课程的仍是以板书课件为主的传统的教学方法。这种单一枯燥的教学方式忽视了学生的学习兴趣和学习的主观能动性，极大地阻碍了对学生创新能力的培养。此外，该课程的考核方式单一，以期末考试为主，一定程度使学生养成了为考试而学的心态，对所学知识死记硬背，没有做到真正的融会贯通、学以致用的目的。大部分学生以修学分为目的，期末考试后对所学知识所知无几，学一门丢一门的心态，严重影响了教学效果，更重要的对学生今后的研究和工作没有任何的帮助。可见，对这种灌输知识的教学方式和考核机制的改革迫在眉睫。在教学过程中采用小组式讨论，网络教学平台，专题式讲解，实验教学等多种教学方式，将有益于改善教学效果。
1.小组讨论式教学。为了充分发扬学生的个性特点和体现教学的人性化，使得学生真正成为主体，必须提供新颖、易于讨论的课程环境，从而培养学生自主创新的意识和能力。小组讨论式教学模式就很好地体现了这一点，在小组讨论中，可以使学生发表自己所思所想，相互学习，集思广益，取长补短。教师在教学过程中应鼓励学生质疑的精神，使其敢于突破传统，思维独到，鼓励学生在错误中积累宝贵经验；给予学生正能量，引起学生的学习热情和兴趣，营造轻松、积极的课堂环境。
2.网络教学平台。在多媒体盛行的时代，开放式、多媒体式教学方式备受关注，即建设一个融入教师教和学生学为一体的、便于师生互动的网络教学平台。在网络教学平台上可以提供各种学习辅助资料和学习支持服务。例如一对一的视频辅导、课堂直播、网上答疑、学习论坛、名师讲解等形式。学生可根据自身的学习爱好和学习习惯自主选择学习时间。通过这种便利的人机交互学习，为学习者提供了一个针对性强、辅助有利、沟通及时、互动充分、独立自主的学习环境，同时提供了丰富的学习资源。
3.专题式讲解。半导体材料课程包含的内容很广泛，有许多的分支；由于教学内容的增多，往往会给学生造成错乱，理不清思绪。专题式讲解是更系统的学习，使学习过程有条不紊。专题式讲解既可以由教师主讲，也可以由学生自己学习整理，再以PPT的形式将所学所思讲给同学听。既锻炼了学生的自学能力，又锻炼了学生的口语和实践能力。
4.实验教学。实验是一种提高学生感性认识的有效手段，实验教学将有助于学生深入理解所学理论知识，并在实验中应用相关理论，为学生获得新的理论知识打下良好的基础。例如，可以通过实践教学方法来传授半导体材料的生长制备、结构表征、性能测试以及应用等方面的知识。合理安排实验，通过在实验设计过程中制定实验方案、实验操作、实验报告或论文撰写等环节，不仅提高了学生的动手能力，对学生创新能力的培养也起到极大的促进作用。对实验过程中出现的实验偏差、操作失误、环境改变等对实验结果的影响分析，为将来的科研工作打下坚实的基础。此外，建立校企合作新机制，依托企业、行业、地方政府在当地建立多个学生教学实习基地，为加强实践教学提供有力支撑，让学生有实地模拟学习的机会，提高教学效果，增强学习兴趣。
五、结论
《半导体材料》课程是材料科学与工程专业的重要专业课程。半导体材料课程的教学改革，对提高材料专业的人才培养质量具有一定的意义。依据科学技术的发展，及时更新教学内容改革教学方法，因材施教。同时在教学实践中，我们将半导体材料的新理论、新应用和一些科学研究成果引入到教学内容当中，处理好基础性和创新性、先进性、经典和现代的关系，加强理论联系实际的教学环节建设，有利于提高教学质量，加强学生的学习效果，培养出具有扎实理论基础、较强的实践能力的应用技术型人才和一定科研能力的研究型人才。
参考文献：
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关键词：半导体材料 量子线 量子点材料
上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和gaas激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
一、硅材料
从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（cz-si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后cz-si发展的总趋势。目前直径为8英寸（200mm）的si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（ic’s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm，0.18μm工艺的硅ulsi生产线已经投入生产，300mm，0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。
从进一步提高硅ic’s的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，soi材料，包括智能剥离（smart cut）和simox材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和soi材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。
理论分析指出30nm左右将是硅mos集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、sio2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高k介电绝缘材料（如用si3n4等来替代sio2），低k介电互连材料，用cu代替al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ulsi的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和dna生物计算等之外，还把目光放在以gaas、inp为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容gesi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。
二、gaas和inp单晶材料
gaas和inp与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
目前，世界gaas单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（vgf）和水平（hb）方法生长的2-3英寸的导电gaas衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4，6和8英寸）的si-gaas发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的si-gaas集成电路生产线。inp具有比gaas更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的inp单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。
gaas和inp单晶的发展趋势是：（1）增大晶体直径，目前4英寸的si-gaas已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的si-gaas也将投入工业应用。（2）提高材料的电学和光学微区均匀性。（3）降低单晶的缺陷密度，特别是位错。（4）gaas和inp单晶的vgf生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。
三、半导体超晶格、量子阱材料
半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（mbe，mocvd）的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。
1.ⅲ-v 族超晶格、量子阱材料。gaaias/gaas，gainas/gaas，aigainp/gaas；galnas/inp，alinas/inp，ingaasp/inp等gaas、inp基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管（hemt），赝配高电子迁移率晶体管（p-hemt）器件最好水平已达fmax=600ghz，输出功率58mw，功率增益6.4db；双异质结双极晶体管（hbt）的最高频率fmax也已高达500ghz，hemt逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。
2.硅基应变异质结构材料。硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究，但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料（纳米si/sio2），硅基sigec体系的si1-ycy/si1-xgex低维结构，ge/si量子点和量子点超晶格材料，si/sic量子点材料，gan/bp/si以及gan/si材料。最近，在gan/si上成功地研制出led发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道，使人们看到了一线希望。
另一方面，gesi/si应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。si/gesi modfet和mosfet的最高截止频率已达200ghz，hbt最高振荡频率为160ghz，噪音在10ghz下为0.9db，其性能可与gaas器件相媲美。
篇4
太阳能作为一种清洁无污染的新型能源，受到了各国政府和组织的青睐，而太阳能电池正是目前最主流的转换和储存太阳能的方式。数十年来，人类对太阳能电池高效率的追求从未停止。从简单的单晶硅太阳能电池，到异质结太阳能电池、薄膜太阳能电池，再到目前研究火热的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池，光伏材料的能量转换效率不断被刷新。在对光伏材料的研究过程中，我们对半导体中载流子的运动规律有了清楚的认识，可以通过设计光伏结构和组分来调节载流子的输运行为，同时也发展了一系列新颖的实验观测手段。鉴于单节光伏电池的效率已经开始逼近肖克基（ShockleyQueisser）极限，因此很有必要对目前的光伏发展现状进行总结，同时对今后的新型光伏材料探索提供指导，本书就是以此为出发点而写作的。
全书共9章：1.传统的三维结构光伏材料，包括Si， 碲化镉（CdTe）， 铜铟硫（CIS），铜铟镓硫（CIGS），砷化镓（GaAs）， 氧化锌（ZnO）等。主要介绍结构设计过程对各项参数的不断优化，尤其是一些微纳米结构的设计。但是如何将微纳米结构中得到的高效率用于大规模实际应用仍是一个巨大的挑战；2. Cu2ZnSn（S，Se）4 （CZTSSe） 光伏材料。该材料最大的优势是所含元素地表储量丰富，成本低廉。本章主要介绍了CZTSSe材料不同的制备方法，包括脉冲激光沉积，磁控溅射、气相沉积等；3.详细分析Cu2ZnSnS4类型材料，通过元素替换和组分调控，实现能带调节与缺陷控制，最终得到最优的组合方式；4.ZnO光伏材料。介绍n型、p型和共掺杂的ZnO， 实现了结构调控与性能优化；5.利用可见光在TiO2/Metal/CdS三明治结构中实现产氢与光降解过程。主要介绍材料制备和表征方法，并对反应机理进行了分析；6.有机光伏材料。有机材料制备成本低廉，同时具有极好的可印刷性，是未来光伏电池领域极具应用潜力的材料之一；7.有机半导体光伏材料中的{米调控。通过掺杂和热处理等手段，实现能带的调控和最优的光伏性能；8.光伏电池的表征手段；9.太阳能光伏电池的实际应用。
本书内容详实，对从事光伏材料研究的科研人员和教学工作者是一本极好的参考资料。低年级研究生可以重点参考第8章，学习光伏材料表征的基本手段和分析方法。对于从事产业化研究的学者，学习第9章的内容也许大有裨益。对于绝大部分从事新型光伏材料的研究人员，从中汲取灵感，找到光伏材料新的发展方向才是最重要的。自瑞士联邦理工学院Michael Gratzel教授首次发现钙钛矿光伏材料的高转换效率以来，大批的科研人员投身于该新兴领域。2015年，华中科技大学陈炜教授在国际顶级期刊Science上发表文章，实现大面积钙钛矿太阳能电池的国际认可最高效率 （15%），为钙钛矿光伏材料的大规模产业化提供了可能，并且该效率仍有很大的上升空间，所以值得全世界的科研人员投入更多的精力进行研究。
篇5
现在最高效的热电材料一般由铋、碲、硒等相对来说比较少见的无机半导体组成，这些元素昂贵、易碎，而且有些还有毒。有机半导体不仅便宜、储量丰富而且轻便、坚固，但一直以来，这类热电材料在热-电转化过程中的表现差强人意。无机半导体热电材料的热电转化效率几乎是有机半导体热电材料的4倍。
科学家们一般用“性能指数”这一值来反映材料的热电转化效率。目前，在室温下，最高效的无机热电材料的“性能指数”接近1；而有机半导体热电材料的“性能指数”仅为0.25。
现在，科学家们将最好的有机半导体热电材料聚3，4-亚乙二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸（PEDOT：PSS）的“性能指数”提高了70%，达到0.42，为目前最好的无机半导体热电材料的一半。
PEDOT：PSS由PEDOT和PSS两种物质构成，PEDOT是EDOT（3，4-亚乙二氧噻吩单体）的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐。PEDOT：PSS以前被用作有机发光二极管（OLED）、有机太阳能电池等设备的透明电极；也被用来做胶片等材料的防静电剂。
科学家们一般采用掺杂这一过程来增加材料的导电能力，当朝某种材料添加搀杂剂时，掺杂剂就给主材料提供了电载体，每个添加进去的电载体都能增强原材料的导电能力。然而，当在PEDOT中掺杂PSS时，实际上只有很少量的PSS同PEDOT结合，其余的PSS分子并没有离子化，化学活性也不强。研究人员发现，这些过量的PSS分子会显著抑制PEDOT：PSS的导电能力和热电性能。
该研究的领导者、密歇根大学机械工程、电子工程和计算机副教授凯文·派普表示：“不活跃的PSS分子会进一步将PEDOT分子推开，使电子更难在PEDOT分子之间跳跃。离子化的PSS分子会提高PEDOT：PSS的导电性，而没有离子化的PSS分子则会降低其导电性。”
篇6
我县村（居）两委换届选举工作从1月份开始，到6月底结束。整个换届选举工作分四个阶段进行，即准备阶段、选举实施阶段、工作交接阶段、验收与总结阶段。下面根据我县村（居）两委换届选举工作的日程顺序，就我县的村委会换届选举工作提出以下意见。
一、村委会选举的基本原则
根据《宪法》、《广东省村民委员会选举办法》和《村委会组织法》的规定，村委会选举的基本原则是：普遍选举权原则、平等选举权原则、直接选举原则、差额选举原则、竞争选举原则、秘密投票原则等六项基本原则。
（一）普遍选举权原则（或称“普选权”原则）
就享有选举权的主体范围而言，凡达到法定年龄、居住期限、法律无限制性规定的公民，均有选举权和被选举权，而不受民族、种族、性别、家庭出身、、教育程度、财产状况等的限制。《村委会组织法》第十二条第一款的规定充分体现了这一原则。
（二）平等选举权原则
就享有选举权的主体实现权力的效力而言，所有选民在一次选举中只能投一张选票，即一人一票原则，而且所有选票的效力完全相等。在村委会选举办法中，一般都规定“每次选举所投的票数，等于或者少于投票人数的选举有效，多于投票人数的选举无效”。这条规定就是根据平等选举权的原则制定的。
（三）直接选举原则
它是相对于间接选举而言的。在村委会选举中，就是由选民直接选出村委会成员。对此，《村委会组织法》第十一条第一款做出了规定。为贯彻这一原则，在村委会选举中，不得由户代表、村民代表间接选举，也不得先选村委会委员，再由委员选主任、副主任，而应由选民直接选举产生村委会主任、副主任、委员。
（四）差额选举原则
它是相对于等额选举而言的，指候选人名额多于应选名额。我省村委会《选举办法》第十五条中规定：“村民委员会主任、副主任候选人应当分别比应选名额多一人，委员候选人应当比应选名额多一至三人。”差额选举的优点在于，扩大了选民的选择余地，体现了选举的选择性本质，有利于选民在几个候选人中进行比较，选择自己最满意的人。
（五）竞争选举原则
所谓竞争选举，是指候选人或其他有意竞选的村民为了争取选民的信任而主动采取的自我宣传、自我表现，主动承诺和相互竞争的活动。在村委会选举中，“竞争选举”一般采取两种形式。一是由负责选举的领导机构组织候选人向选民介绍自己的情况，宣讲自己的治村方案，回答选民提问；二是实行“自主竞选”。即自由安排的竞选活动。“竞选”的优点在于候选人或其他有意竞选的村民处于积极主动的地位，便于选民进一步全面了解他们的情况，以便最后作出正确的选择。
（六）秘密投票原则
秘密投票是相对公开投票而言的，又称无记名投票，也就是说，选民的投票选择只有他自己知道。这样可以免除选举人的思想顾虑，把自己的真实选择表达出来。村委会选举实行的/:请记住我站域名/就是秘密投票，并要求普遍设立秘密写票间，保证选民在没有他人干扰的情况下，填写自己的选票。
二、准备阶段（1月10日至4月5日）
我县的村两委换届选举工作的准备阶段主要有八项工作内容，即成立机构、宣传发动、调查摸底、村财审计，选举产生村民选举委员会，培训工作、制定方案、选举村民代表和选举村民小组长。
（一）成立机构
1、县成立村（居）两委换届选举工作领导小组。
2、各镇成立村（居）两委换届选举工作指导小组。
（二）宣传发动
1、利用各种手段，大张旗鼓进行宣传，使全体选民都知道村两委换届选举工作。
2、设立选举工作咨询站，专人负责，要求做到有记录、有汇报、有答复。
（三）调查摸底
进行深入调查研究，广泛听取基层群众的意见和建议，掌握社会动态和各种情况。调查的方法：第一召开各种类型的座谈会。第二，开展家访谈心活动。第三，印发调查问卷，发给调查对象进行书面调查，然后进行统计分析。
（四）村财审计
在进行换届选举前必须做好村财务审计工作。
通过审计，提高村务、财务管理的透明度，调动村民关心、参与、支持村委会选举的积极性，给村委会成员一个公正的评价，为顺利完成村委会选举打下基础。
（五）选举产生村民选举委员会
村委会换届选举，应依法选举产生村委会选举委员会。由村民选举委员会领导，组织和主持村委会换届选举工作。村民选举委员会成员由村民会议或者各村民小组会议选举产生。
1、选举委员会的组成
村民选举委员会由7至11人组成。具体到某一个村的数额，可以由村民会议或者村民代表会议决定。村民选举委员会可设主任一人，副主任一至二人。内部分工可以通过内部协商或者投票决定。
村民选举委员会成员，如被提名确定为村委会成员候选人的，应辞去选举委员会的职务，村民选举委员会所缺名额从上次推选结果中依次递补。
2、产生方式
村民选举委员会成员可召开村民会议选举产生，也可以由各村民小组分别召开村民小组会议选举，按得票多少顺序确定当选；也可以将名额分配到各村民小组，由各村民小组分别召开村民小组会议选举，按得票多少的顺序确定当选。投票选举村民选举委员会前，村党支部，村民委员会可根据大多数选民的意见，提出村民选举委员会成员候选人建议名单，引导选民选举村中的优秀分子为选举委员会成员。任何组织或个人不得指定、委派或撤换村民选举委员会成员。
（1）村民会议选举。
选举村民选举委员会成员的村民会议，由上一届村委会召集和主持。村民选举委员会参照村委会成员正式选举的程序进行。
可召开全体18周岁以上本村村民参加的村民会议，也可以召开每户派1名代表参加的户代表会议投票选举。依照法律被剥夺政治权利者除外。如召开18周岁以上村民参加的村民会议，参会村民须过18周岁以上村民的半数；如召开户代表会议，参会的户代表须过本村三分之二以上的户数，选举会议才为有效，选举才能进行。村民选举委员会成员按得票多少的顺序确定当选。
（2）各村民小组会议选举。
由各村民小组选举村民选举委员会成员时，可以采用以下两种办法：一是按本村村民选举委员会人数规定实行无记名投票。经村民小组有选举权的过半数选民参加或三分之二以上户的代表参加投票，获得多数选票者当选为本村村民选举委员会成员；二是按分配给本村民小组的村民选举委员会名额实行无记名投票。村民小组召开小组村民会议，有选举权的过半数本组村民参加，或本组三分之二以上户的代表参加，采用无记名投票的方式，按分配给本村民小组的村民选举委员会成员数额选举本组的村民选举委员会成员。在村委会召集村民小组长的主持下，公开唱票、计票，按照简单多数原则确定当选。
村民选举委员会成员选举产生并认定有效后，上一届村委会应公告，告知本村全体村民，并报镇级选举工作指导小组备案。
3、变更。
在依法选举产生的村民选举委员会及其成员辞职，或因故不能履行职责时，应及时进行重新选举或补缺。成员要补缺的应从原选举村民选举委员会成员的得票结果中以得票多者递补。
（六）培训工作
1、县举办村（居）两委换届选举培训班。
2、各镇举办培训班。培训的对象主要是各镇参与村两委换届选举的指导人员，工作人员，村委选举产生的选举委员会成员。培训的内容主要有村两委换届选举的法律法规以及换届选举规程。
（七）制定方案
各镇根据县委县政府的统一部署和要求，结合本镇的实际情况制定实施意见，并上报县民政局。
各村委选举委员会根据镇的实施意见结合本村的具体情况，制定本村的选举工作实施方案。
（八）选举村民代表和村民小组长
村民代表会议是村民会议授权的议事决策机构，村民小组是村委会按照村民居住状况设立的村民自治单位，都是村民自治组织的重要组成部分。村民代表与村民小组长的选举，也是村委会选举的重要内容。
1、选举村民代表。
按规定凡200户以下的村一般不选村民代表，不实行村民代表会议制度，而是实行村民会议制度。凡200户以上的村应当选举村民代表，在实行村民会议制度的同时，实行村民代表会议制度。
（1）代表数额与任期。
①代表数额。村民代表的数额受本村的户数、人口和居住条件制约。至于一个村产生多少代表为宜，在坚持便于代表联系村民、便于代表开会、议事、决策的前提下确定。我省《实施＜村委会组织法＞办法》规定，村民代表按五户至十五户推选一人或者由各村民小组选举若干人产生，500户以下的村，村民代表的名额应在50人左右，1000户以下的村，代表名额应在100人左右，1000户以上的村，代表名额应在100人以上。确定村民代表名额一般应取单数。
②代表任期。村民代表的任期与村委会相同，每届任期三年，可连选连任。
③选举的方式。根据村委会选举办法的规定，村民代表由村民会议或各村民小组的选民无记名投票选举产生。
本届村民代表选举产生后，村民选举委员会应向全体村民公告。并对代表造册登记一式三份，一份报县民政局，一份报镇人民政府，一份留存归档。
2、选举村民小组长。
我省村委会《选举办法》规定，村民小组长参照村委会选举办法选举产生。既是参照，一些必要的程序不能少，如召开村民小组的选举大会、无记名投票、秘密写票、公开唱票、当场宣布选举结果、公告等，都应参照村委会投票选举和程序。
（1）村民小组长的条件与任期。
条件：①年满18周岁以上的本组村民；
②在本村民小组有一定的群众基础和威望；
③廉洁自律、秉公办事；
④有一定的组织领导和处理问题的能力；
⑤能带头勤劳致富，热心为本组村民服务。
任期：村民小组长的任期与村委会相同，每届三年。可连选连任。
（2）村民小组长的选举。
①选举的时间与组织。选举村民小组长的时间，可在村委会选举前，也可以与村委会同时进行，还可以在村委会选举之后进行。选举村民小组长的村民小组会议，由村民选举委员会成员召集和主持。
②选举的程序。一是召集选举会议。由村民选举委员会成员召集并主持村民小组会议。二是清点人数。应由本组18周岁以上的村民过半数或三分之二以上户的代表参加，才可进行投票工作。三是无记名投票。由参加会议的本组18周岁以上的村民或三分之二以上户的代表进行。四是计票。由三票人员在选民的监督下，公开计票。五是宣布当选。获得参加会议的本组18周岁以上的村民或三分之二以上户的代表过半数赞成票，始得当选。
③公告。村民小组长选举产生后，村民选举委员会应张榜公布，并造册登记，一式三份，一份报县民政局，一份报镇人民政府，一份留村。
三、选举实施阶段（4月6日至5月30日）
（一）选民登记和确定选举日
1、选民登记
选民登记是整个选举过程的一个重要环节，这个环节不搞好，投票选举工作就无法进行，选举的合法性就难以保证。
（1）选民资格
选民资格是指选民依法享有选举权和被选举权必须具备的条件。确认村民是否具有选民资格，是进行选民登记的前提条件。
根据法律规定，在村委会选举中，一个村民是否有选民资格，即是否成为选民必须同时具备以下几个条件：
①属地条件。必须是本村村民，即出生、户口均在本村，或不在本村出生，但户口在本村。
②年龄条件。必须年满18周岁。计算的年龄以选举日为准，就是说到投票选举日必须年满18周岁。
③政治条件。依法被剥夺政治权力的人，不具有选民资格。
（2）登记办法
选民登记前，村民选举委员会必须先确定选举日。根据我省村委会选举办法的规定，选民名单必须在选举日的20天前以村民小组为单位张榜公布。因此，选民登记工作必须在选举日20天前结束。
①确定选民登记工作人员。
村民选举委员会负责挑选2至3名法律观念强、有一定文化水平、工作认真负责、熟悉情况的村民担任选民登记员。登记工作量大的村，也可以由每个村民小组推荐1名村民，经村民选举委员会认可后担任选民登记员。进行选民登记前，各镇应对选民登记员进行培训。使之明确选民资格，选民登记的法律要求，掌握政策界线，明确任务、方法、时间、要求以及法律责任等。
②明确选民登记对象。
凡具备选民资格，能够行使选举权利，参加村委会选举活动的本村村名，包括外出的村民，都应作为选民进行登记。
a、具有选民资格的村民应在户口所在地的村进行选民登记。
b、本人和家庭在本村，生产生活在本村，同时履行村民义务，仅本人户口不在本村，又未在户口所在村进行选民登记的，应进行选民登记。
c、机关、团体、企事业单位离退休人员，祖籍户口在本村，并承担村民义务的，可应予登记。
d、具有选民资格，但外出的村民，包括外出两年以上的村民，应予以登记。
经村民选举委员会确认登记的选民应在选举日20天前，张榜公布。本届有效选民数应以实际能参加选举的选民数为准（包括委托投票的选民）。
（3）掌握选民登记方法。
经登记确认的选民名单，公布以后未引起争议的这些选民的资格长期有效。村民选举委员会应将登记确认的选民名单收集、归档。
这次村委会选举前，在登记确认选民时，可在本届选民名单的基础上，采取“增、减”的办法，对选民进行补充登记，并对迁出本村、死亡和依照法律被剥夺政治权利的人，予以注销选民登记。这样，就可以确认新一届村委会选举的选民名单。进行选民登记时必须做登记名册，即造册登记并编号，以便发放选民证备查，存档。
2、公布选民名单。
（1）审核选民名单。
凡情况特别的村民，有争议的村民，准予登记或不准予登记要交由村民选举委员会逐个给予审核确认。
（2）公布选民名单。
村民选举委员会审核确认选民名单后，还要张榜公布。一是让村民明确自己是选民；二是让广大村民对公布的选民名单进行审查、监督，纠正偏差。
（3）选民申诉和争议处理。
选民名单公布后，村民对公布的选民名单有不同意见的应按照我省村委会选举办法第十二条的规定：“在选举日的五天以前向村民选举委员会提出”，村民选举委员会应当认真听取村民的申诉和意见，并在选举日的五天以前及时依法作出处理。村民选举委员会和村民都应注意“选举的五天以前”这个时效规定。
（4）颁发选民证。
选民证是确认选民的凭证，也是领取选票的凭证。选民证由村民选举委员会按照选民登记名单及编号填写，并加盖印章。选民证应在最后确认选民人数后及时发给选民。不得多或少发，发后注明签收人或代签收人，并告知选民妥善保管，供投票选举时，作为领取选票的凭证。
3、选民登记的特殊情况。
选民登记的特殊情况，应遵循以下五条基本原则：
1、户籍所在地原则；
2、经常居住地原则；
3、履行本村村民义务的原则；
4、不得重复登记的原则；
5、民主决策的原则。
（二）发选民证
选民证是确认选民的凭证，也是领取选票的凭证，颁发选民证以村民小组为单位，按照选民名单分发，并注明签收和妥善保管。
（三）提名候选人和公告
1、候选人的基本条件。
《村委会组织法》第二十三条规定：“村民委员会及其成员应当遵守宪法、法律、法规和国家的政策、办事公道、廉洁奉公、热心为村民服务”。第九条第二款规定：“村民委员会成员中，妇女应当有适当的名额，多民族村民居住的村应当有人数较少的民族的成员”。这是法律对村委会成员的最基本要求。
为了保证候选人的质量，我省办公厅粤办发20号文规定了候选人应具备的五个基本条件：（1）坚决贯彻执行党的理论和路线方针政策。（2）遵纪守法，廉洁奉公，作风民主，办事公道，密切联系群众，热心为村民或社区居民服务。（3）身体健康，年龄一般不超过60周岁，村“两委”班子成员应具有初中以上学历，社区“两委”班子成员应具有高中以上学历。（4）工作认真负责，有较强的组织协调和管理能力。（5）村“两委”班子成员候选人要有较强的带头致富和带领群众致富的能力，社区“两委”班子成员候选人要有较强的服务社区居民的能力。
下列五种人不宜提名为村委会成员候选人：（1）违反计划生育法律法规超计划生育未经处理，处理未完结或处理完结未满五年的；（2）被处管制以上刑罚，解除劳动教养或刑满释放不满三年的；（3）受撤销党内职务，、处分不满三年或正被纪检、司法机关立案侦查的；（4）外出不能回村社区工作的。（5）拖欠集体资金、侵占集体土地违章乱搭乱建的。
必须指出，候选人应具备的条件是软性的，只能做正面宣传，引导选民之间不得把应具备的条件规定为必须具备的硬性条件，更不得另行制定硬性规定，是否具备候选人条件到具体的人只能由选民自己去判断。
2、候选人的提名确定方式。
（1）候选人的人数。
①村委会的职位和职数。《村委会组织法》规定：“村委会由主任、副主任和委员共三至七人组成”。根据这一规定，结合我县村规模的实际，我县第四届村委会职数的划分原则：人以下的村委会职数为3人；人以上的村委会，职数为5人。村民委员会成员中妇女和少数民族应当有适当的名额。镇级人民政府在确定各村村委会的职数时应征求并考虑村的意见。新一届村委会设的职位和职数，经镇级人民政府决定后，村民选举委员会应向全体村民公布，为有选举权的村民按职位和职数的要求提名候选人作准备。
②候选人的差额人数。法律规定村委会成员的候选人的名额应当多于应选名额，即实行差额选举。根据这一精神，我省村委会选举法规定，村委会主任、副主任的候选人应当分别比应选名额多1人、委员候选人的人数应比应选名额多1至3人。
（2）一人一票提名确定。
一人一票提名确定村委会成员候选人的方式，是《村委会组织法》规定的选举村民委员会，由本村有选举权的村民直接提名候选人的最佳实现方式。我省村委会选举办法规定：“村民委员会成员候选人由本村选民直接提名，村民选举委员会应当召开村民会议或者各村民小组会议进行提名，过半数的选民参加会议提名有效”。因此，村民选举委员会对候选人的提名要严格按程序认真组织。
根据广东省村民委员会选举办法实施细则（试行）第二十二条规定，乡镇党委在村民选举委员会召开提名会之前，可以根据考察和民意调查意见，提出新一届村委会成员候选人建议意见，由村民选举委员会在召开提名大会前将建议意见张榜公布或印发给选民，并在一定范围内作出说明。
召开村民会议提名的，应当在监票人的监督下，当场公开唱票、计票，由村民小组会议提名的，应当到指定的地点汇总，并在监票员的监督下，当场公开唱票、计票。候选人名单由村民选举委员会依法审查后，按得票多少的顺序确定，并在选举日的五天前公布。
村委会正式候选人公布以前，依照我省村委会选举办法第十六条第三款的规定，还必须经过村民选举委员会依法审查。审查的内容，一是被提名人是否具有选民资格；二是本次提名确定候选人大会是否依法定程序和法律、法规规定进行；三是被确定的候选人是否有配偶、父母子女、兄弟姐妹关系。如果有，一般应保留得票最多的候选人；票数相同的，应保留职务较高的候选人；也可以协商确定其中一人保留为候选人。
3、公告。
正式候选人确定后，村民选举委员会应于选举日的五日以前公告，张榜公布正式候选人名单。
（四）投票前的准备
做好正式选举投票前的准备是维护选举秩序、保证依法选举和选举质量，保障选民民利的关键。上级选举领导、指导小组要指导村民选举委员会做好如下准备工作：
1、决定投票办法。
为保证本村本届村委会选举顺利进行，各村民选举委员会应根据法律、法规和县领导小组的工作要求，结合本村的实际情况，提请村民会议或村民代表会议讨论通过本届村委会选举的投票办法。办法要规定以下内容：
（1）投票方式。投票可分为选举大会投票、兼投票站投票和流动票箱投票两种方式。
依照我省村委会选举办法第十九条的规定，选举（包括提名投票选举）必须召开选举（提名选举）大会投票。对居住分散以及老弱病残、个别不能中断工作确实不便到选举会场和投票站投票的，村民选举委员会可以报乡级选举指导小组批准，并报县级民政部门备案，设若干流动票箱组织投票。
（2）投票次数。投票次数是指一次性投票和分次投票。一次性投票是指将主任、副主任、委员的候选人印在一张选票上，选民一次将票投入票箱；或者将主任、副主任、委员分别印在三种不同颜色的选票上，选民也一次性将三张选票同时投入票箱。分次投票是指先投主任票，选出主任后，再投副主任票；选出副主任后，再投委员票，三次发票，三次计票，三次投票。这两种投票次数都是可以的，合法的。但是一个村只能选择其中一种。
2、确定、培训投票选举工作人员。
村委会成员候选人及其配偶、父母子女、兄弟姐妹不得担任投票选举过程中的“三票人员”及人，以上人员必须由村民会议或村民代表会议选举或确定。
投票选举工作人员的数量根据工作的实际需要确定，选举大会会场的投票选举工作人员，除村民选举委员会成员外，应有维持秩序的工作人员若干人，总监票员1人、唱票、计票、监票员若干人，秘密写票间监督员若干人，人若干人。必要时设立投票站和流动票箱。每个投票站要确定相应的工作人员，投票站的工作人员参照投票选举大会确定；每个流动票箱要有3名工作人员以上。上述工作人员，都应从本村有选举权的村民中产生，由村民选举委员会提名，提交村民会议或村民代表会议事先表决通过，并以公告形式公布。人可由村民选举委员会从本村教师中聘请。投票选举工作人员确定，公布以后，村民选举委员会要对他们进行培训，使他们熟悉选举规程，特别是投票选举大会的程序和注意事项，使每个工作人员明确自己的职责和任务。
3、公布投票时间和地点。
虽然在选民登记前已公布了选举日，但未公布具体的投票时间和投票地点。因此，在正式投票选举之前，村民选举委员会有必要将具体的投票时间和投票地点以公告的形式向村民公布。
选举日和投票的方式、时间、地点一经公布，任何组织和个人不得随意变动和更改。如遇到不可抗拒的自然灾害，或无法产生和确定候选人的特殊情况，需要更改选举日的，必须报镇人民政府批准。更改的选举日，村民选举委员会应再次向村民公告。
4、办理委托票手续。
外出的有选举权的村民在选举日不能回村参加投票的，但又不愿意放弃投票权利，解决的办法是委托投票。
委托投票，即外出的有选举权的村民委托有选举权的家庭成员或本人信任的有选举权的村民代表本人选举投票。为此委托投票必须办理书面委托手续。具体程序是外出的有选举权的村民本人填写“委托投票证”，写清楚委托村民的姓名和理由，经村民选举委员会批准后，委托生效。未经村民选举委员会批准，不办理委托手续，不得委托他人投票。选民只有“在选举期间外出的”才可以办理委托票。不是这种情况则不能办理委托投票。
由于委托投票容易使村委会的直接选举变相成为间接选举，所以能不用委托投票的尽量不用，非用不可的也应控制委托投票的总量和张数。每一选民接受委托票不得超过三人。
5、印制选票和制作票箱。
（1）印制选票。根据我县的实际情况，我县的选票用统一的选票样式，由县民政局设计样式，然后下发到各镇。各村的正式候选人名单出来以后，由各镇汇总，然后到县“两委”换届选举办公室（设在民政局三楼）核对选票样式和候选人名单，到县“两委”换届选举办公室指定的印刷厂印制。选票印制完后要加盖选举委员会的公章。
（2）制作票箱。票箱是选举活动中保证选民自由表达选举意愿的物质手段。选民在秘密写票间（处）写好选票（提名选举票，下同）后，应由选民自己将选票对折好投入密封的票箱，投票结束后，再由工作人员开箱计票。因此，对票箱的基本要求就是在投票前当众密封，票箱投票口仅能投入一张选票，选票投入后要到统一开箱时间的才能取出。票箱一般由村民选举委员会负责制作。票箱一般用木板或硬纸板等材料制作，形状为竖立的长方体，投票口开在上方，后面有可封闭、开启的活动门。票箱尺寸不宜过大，要方便工作人员搬动。
6、布置投票选举大会会场、投票站和流动票箱。
（1）布置选举大会投票会场。选举大会投票会场应布置得既庄严、隆重又要有喜庆、欢乐的氛围。要设立主席台，有条件的摆放麦克风，主席台上方要悬挂“村第届村委会选举大会”字样的会标，两旁悬挂标语和插彩旗，可在主席台的侧方设立来宾席和观察员席，会场应以村民小组划分区域，小组前方应插有“村民小组”的标牌，并以村民小组为单位设验证发票处、秘密写票处和票箱。设计好村民排队领票、写票、投票的循环路线，保证投票选举整齐有序进行。
（2）布置投票站投票。凡规模不大，居住比较集中的村只召开选举大会投票，不设另外的投票站。对于边远、分散不便到选举大会会场投票的村民小组（自然村），可以设立投票站。一般一个村民小组或一个自然村设立一个投票站。各投票站均应按照选举大会会场的设置要求，设立验证发票处、秘密写票间、处和票箱。选举日那天，所设立的投票站与选举大会会场同时开放，同时进行投票。
（3）设置流动票箱。流动票箱是由三名以上选举工作人员携带并登门接受选民投票的票箱。我省村委会选举办法第十九条中规定：“对居住分散，确实不便到会场或者投票站投票的，经乡级村民委员会选举工作指导小组审定，可以设立流动票箱。”此外，还要报县民政部门备案。
7、检验认定选票。
我省村委会选举办法第二十条第二款规定：“选民在投票选举时对候选人可以投赞成票，可以投反对票，可以弃权，也可以另选其他选民”。第二十四条规定：“全体选民的过半数参加投票，选举有效，每次选举所投的票数多于投票人数，选举无效；等于或少于投票人数的，选举有效。选票上所选的每项职务人数多于应选人数的，选举无效；等于或少于应选人数的有效”。“书写模糊无法辩认或者不按规定符号填写的部分无效。”这就是法律法规对选票的规范。那么什么是全体选民？什么是投票人数？什么是参加投票的选民？什么是有效票？无效票？弃权票呢？请阅读《选举规程》第98—101页。
（五）选举大会投票程序。请阅读《选举规程》第102—112页。
（六）另行选举与重新选举
另行选举与重新选举，也是村委会选举的重要组成部分和重要内容。我省村委会选举办法规定“当选人数少于应选名额时，不足的名额应当另行选举”。采用“二合一”选举方式，一次提名投票选举大会后，没有人达到“两个过半”当选，只能进行重新选举，不适用另行选举规定；但只要有一人或一人以上当选的，可适用另行选举规定。
（1）另行选举。
另行选举，是指本届村委会选举举行第一次正式投票时，出现当选人数少于应选名额，为选出不足名额而举行的再次投票，或第三次投票，甚至第四次投票，统称另行选举。它的特征是村委会选举第一次投票的继续，或者说是本次投票是上一次投票的继续。
①另行选举日的确定。
由于另行选举是村委会选举第一次投票的继续，不再进行有选举权的村民补充登记，所以另行选举的时间，应在第一次投票选举日的当天或次日举行，最迟不得超过10天。
②另行选举候选人的确定。
我省村委会选举办法规定：“另行选举时，根据前一次投票时得票多少的顺序，按照本办法第十五条规定的差额数，确定候选人名单。如果只选一人，候选人应为二人”，就是说另行选举。必须实行差额选举，候选人人数 应比应选名额（即缺额数）多一人到三人。如果只选一人，候选人应为二人，并按前一次投票选举时未当选人得票多少的顺序确定候选人。
③另行选举的当选票计算。
我省村委会选举办法规定：另行选举时候选人或其他选民“以得票多的当选，但获得赞成票数不得少于所投票数的三分之一”。获得不少于三分之一选票的人数多于应选名额时，以得票多的当选。
④缺额的处理。
我省的村委会选举办法第二十六条规定：“经过三次投票选举，当选人仍少于应选名额但已达到三人以上，不足的名额是否另行选举，由村民会议或者村民代表会议决定”。即是说，经过另行选举，当选人数仍不足应选名额，但已达3人或者3人以上，可以组成新一届村委会的，不足名额可暂缺。缺主任的，由当选得票多的副主任暂时主持工作；主任、副主任都缺额的，由当选得票多的村委会委员暂时主持工作。不足的名额是否另行选举，什么时间另行选举，由村民会议或者村民代表会议决定。
我省村委会选举办法第二十六条第二款规定：“当选人数不足三人，不能组成新一届村民委员会的，应当在十日之内对不足的名额另行选举。”但是如进行了三次另行选举仍未选出3人，无法组成新一届村委会的，换届选举工作可以暂停，村委会工作暂由原村委会主持。
（2）重新选举
重新选举，通常是指选举领导，指导机构和行为人的违法行为，导致选举未按法律、法规规定的程序和办法进行，妨害了村民行使选举权、被选举权，破坏村委会选举，造成了整个选举无效，经县级民政部门认定，必须进行的、重新组织的选举为重新选举。
重新选举与另行选举，是两个性质不同的选举。第一种重新选举要同时具备三个条件：一是选举过程中出现违法；二是有检举举报；三是经县级民政部门认定，是推倒重来的再次投票选举。第二种重新选举是实行“三合一”选举方式，但提名投票选举没有任何人达到“两个过半”而当选所进行的投票选举。而另行选举是村委会选举第一次投票出现缺额的选举。重新选举是推倒重来的再次投票选举，当选人必须符合“两个过半”的要求；另行选举是应选人数缺额、继续第一次投票的再次投票选举，只要获得三分之一以上赞成票始得当选。
（七）无效选举和违法行为的处理
村委会选举应依法进行，执法必严，违法必究。由于种种原因，在村委会选举过程中，选举违法违规现象时有发生，某些组织或个人为达到某种目的，违反有关法律、法规的规定，扰乱和破坏选举工作。选举违法违规，侵害村民的民主选举权利，也造成选举结果整体无效或部分无效。不仅干扰选举工作的顺利进行，阻碍村民行使民主选举权利，而且经常引起选民、村民上访告状和一些社会矛盾的发生，影响到农村社会的和谐稳定和经济发展，以及村民正常的生产与生活。对此，应认真对待，给予足够重视，即时调查、认定，并作出相应的处理。
（1）无效选举
无效选举是指在选举中因违背选举法律法规或因选举工作失误造成选举结果无效的选举。无效选举包括整体选举无效和具体当选人当选无效两种情况。
①无效选举的认定机关
无效选举的认定机关是各级民政部门。民政部门是负责农村基层政权和群众性自治组织建设的政府职能部门，是负责村委会选举的行政执法机关。对村委会选举结果的法律认定工作一般由县（市、区）民政局负责。
②无效选举的认定标准
认定标准是衡量选举是否合法有效的尺度。这些衡量尺度是《村委会组织法》、《广东省实施（村委会组织法）办法》和我省村委会选举办法。
认定整体选举是否合法有效，应从下面五个方面进行衡量：
a、是否体现直接、差额、无记名原则。这是合法选举的最基本要求。
b、选民数和投票数是否准确。
c、候选人是否依法产生。
d、投票选举是否依照法定程序进行。
e、当选票数计算方式是否正确，当选人得票数是否准确。
（2）无效选举的处理
无效选举的认定结论作出后，必须及时做好善后处理工作。
①整体选举无效的处理
整体选举无效的，应区别情况作出处理。具体处理办法有两种：一是重新选举；二是局部纠正。
②局部选举无效的处理
局部选举无效是指选举过程中某一环节违法造成，但不影响选举结果真实性的，可在镇选举指导小组的指导下，由村民选举委员会主持纠正其中的违法环节。
（3）违法行为的处罚
一旦经调查认定为选举违法的，要根据《村委会组织法》和我省村委会选举办法的有关规定，以及村委会选举违法的适用法律，追究违法主体的法律责任，依法进行处罚。
①选民违法行为的处罚
村民实施了选举违法行为，情节较轻微的，由所在村村民选举委员会予以制止，并进行批评教育。情节严重的，由镇（乡）级人民政府给予警告，违反《中华人民共和国治安管理处罚法》的，由公安机关依法予以处罚，构成犯罪的，由司法机关依法追究其刑事责任。
②选举机构或选举工作人员违法行为的处罚
选举机构或选举工作人员实施了选举违法行为，是选举机构的，由其上级机关对其行为予以制止；是选举工作人员的，由其所在单位对其行为予以制止，并对有关责任人给予批评教育或纪律处分。责任人为行政机关工作人员的，由其所在单位或行政监察机关给予行政处分。属违反治安管理条例行为的，由公安机关依照《中华人民共和国治安管理处罚法》予以处罚，构成犯罪的，由司法机关依法追究其刑事责任。
四、工作交接阶段（5月17日至6月6日）
新一届村委会选举产生后，上一届村委会应进行工作交接。中办发17号文件规定：村民委员会换届工作结束后，原村民委员会应将公章、办公场所、办公用具、集体财务账目、固定资产、工作档案、债权债务及其他遗留问题等，及时移交给新一届村民委员会。
（一）召开会议交接
1、会议的主持和召集。新一届村委会选举产生后，在乡级人民政府的主持下，由村民选举委员会召集上一届村委会成员向新一届村委会成员进行工作交接。
2、会议的出席人员。上一届村委会全体成员和保管公章的文书及村委会计，新一届村委会全体成员，村民选举委员会全体成员。会议还应邀请党支部成员，村民代表列席参加。
3、会议的时间。会议应在新一届村委会产生组成后的七月内进行。
4、会议的议程。参照《选举规程》第__页。
5、村民选举委员会宣布职责自行终止。
（二）特殊情况的处理
五、验收与总结阶段（6月7日至7月31日）
（一）验收与总结
验收是对村委会换届选举工作的事后检查。验收的对象是村，镇对所辖村进行普查。各村应做好如下的几项工作：
1、填写各类报表。
2、进行查漏补缺。
3、搞好材料的上报和归档工作。
4、进行换届选举工作的总结。
5、修改、完善村委会的各项规章制度。
（二）各镇组织对所辖村的检查验收
1、各镇组织好对所辖村的检查验收。
2、整理好镇级的档案材料。
3、召开总结大会。
篇7
关键词：半导体制冷技术； 小型恒温箱； 应用
1.国内外研究概况
就我国而言，对于半导体制冷技术的研究最早开始于上世纪50年代末60年代初，爱60年代中期，我国的半导体材料研究取得了一定程度的进步，所研究的半导体材料的性能已经能够与国际水平相符合。然后，从上世纪60年代末期开始到80年代初期，这段时间是我国半导体制冷片技术发展的关键时期，在这这一时期之内，我国的半导体制冷技术研究取得了关键性的突破，主要表现在两个方面：一方面，半导体制冷材料的优值系数得到了一定程度上的提高；另一方面，就半导体制冷技术的应用方面而言，其应用层次更深，应用范围也更为广泛。
2.工作原理分析
在半导体制冷技术当中，有一个核心材料，即半导体制冷片，它又被称作为热点制冷片。其优点主要表现为半导体制冷片之中不含有滑动部件，且无制冷剂污染的场合。但是也存在着一定程度上的缺陷，主要表现为应用在一些空间会受到相应的限制。一般情况下，半导体制冷片的工作运转主要是通过直流电流为其进行供电，因此，它可以达到制冷以及加热的双重效果，而这一效果的主要是通过对直流电流的极性进行一定程度上的改变来进行有效实现的。对于一个单片制冷片而言，它主要是由两片陶瓷片组成，在陶瓷片的中间存在着相应的N型与P型的半导体材料。半导体制冷片之所以能够有效的运行，主要是通过以下的原理实现的：将一块N型半导体材料与一块P型半导体材料进行一定程度上的联结，这样一来，就形成了电偶对，当有直流电在这一电路中进行流通时，就会发生一定程度上的能量转移，电流从N型半导体材料流入到P型半导体材料的接头，并对热量进行一定程度的吸收，成为冷端；而当电流从P型半导体材料流入到N型半导体材料的接头并释放能量，就形成了热端。
3.原理方案设计及工艺流程
半导体制冷不需要制冷剂，所以不需要考虑破话坏臭氧层问题；由于没有运动构件，噪音非常小而且体积也很小。由于这两方面的突出优点，我们这里利用了半导体芯片，热交换器、隔热箱、风扇安装了小型恒温箱。
①芯片安装：芯片安装对一块半导体芯片进行一定程度上的使用；为了对冷热端断路进行有效的防止，在芯片的通过运用隔热板来达到隔热效果；散热板的安装。
②电路接线：芯片接线与风机采用并联形式，由电源直接进行一定程度的供电。除此之外，对无级调节电压进行了有效运用，这样一来，就可以根据温度的变化来对电压的高低进行一定程度的调节。
③外壳安装：外壳主要使用泡沫封装，只留封口和引线位置。尺寸是200mmX150mmX150mm3、用保温棉保温，同时在机箱外壳之上对散热装置进行了有效的设置。
4.半导体制冷系统的功能及特点分析
将半导体制冷技术应用于小型恒温箱之中，形成了一种新型的空调系统，较之于传统的功能系统，这种新型空调系统表现出较大的优越性，其特点主要表现在如下几个方面：
（1）在这一制冷系统当中，不再需要任何制冷剂，且当系统处于运行状态之中，具有较强的连续性。同时，正是不需要任何制冷剂，使得这一系统没有污染源、没有相应的旋转部件，这样一来，就不会产生回转效应，进而对减震抗噪的效果起到一定的促进作用。除此之外，这种制冷系统使用寿命较长，且安装过程简单方便。
（2）这一新型制冷系统中有效运用了半导体制冷片，因此能够对制冷与加热两种效果进行有效的实现。根据相关实践表明，这一系统的制冷效率一般不高，但在制热方面，系统发挥出十分高的效率，永远大于1.因此，只需要对一个片件进行有效的使用，就能够对分立的加热系统以及制冷系统进行一定程度上的替代。
（3）半导体制冷片是电流换能型片件，通过对输入电流进行一定程度上的控制，就可以对温度进行有效的控制，且这种控制能够达到高精度的要求。除此之外，再加之温度的检测与控制手段，就能够进一步对遥控、程控以及计算机控制进行有效的实现。这样一来，这一系统的自动化程度也得到了较大程度上的提升。
（4）对于半导体制冷片而言，它具有相对较小的热惯性，因此制冷系统的制冷、制热时间相对较快，在热端散热良好冷端空载的情况下，通电不到一分钟，制冷片就能达到最大温差。
（5）一般情况下，对于单个制冷元件而言，它难以发挥出很大的功率，但如果将之进行一定程度上的组合，使其成为一个电堆，用同类型的电堆串、并联的方法组合成制冷系统的话，就可以对其系统进行有效的扩大。正是因为这一原因，制冷系统的功率的范围非常大，既能是几毫瓦，也能是上万瓦。
5.结束语
本文主要针对半导体制冷技术在小型恒温箱的应用进行研究与分析。首先对国内外的研究状况进行了一定程度上的介绍，然后在此基础之上阐述了制冷系统的工作原理。最后重点分析了半导体制冷系统的功能及特点。希望我们的研究能够给读者提供参考并带来帮助。
参考文献：
[1] 王军，唐新峰，张清杰. p型Bi2Te3CoSb3系结构梯度热电材料性能研究[J]. 武汉理工大学学报. 2004（10）
[2] 马秋花，赵昆渝，李智东，刘国玺，葛伟萍. 热电材料综述[J]. 电工材料. 2004（01）
篇8
1、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
2、半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。
3、无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。
4、常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
（来源：文章屋网 ）
篇9
《投资者报》：尽管公司认为从半导体转入光伏领域是由于两者技术共通，但有投资者认为公司要么是盲目跟风，要么是原来的半导体产业做得不好了，你认为公司是被迫转型还是顺势而为？
安艳清：公司转型看上去很突然，但背后的逻辑是，IC半导体材料和光伏硅材料同属半导体材料，是同种物质的两种用途存在方式。公司1988年就已经开始从事太阳能级半导体材料的生产制造，因此公司只是将光伏领域的太阳能半导体材料实施了放大。而且，由于用于芯片的IC半导体材料在技术方面的要求远高于用于太阳能电池的硅材料，因此在光伏领域有着技术方面的先天优势。
另外，公司专注于半导体硅材料的研发、生产和制造，是公司的主业，IC半导体材料不但没有做不下去，而且做得非常好。在全球范围内我们的区熔单晶硅（FZ）综合实力排名前三，2010年我们的市场份额为12%至18%，2011年底我们占全球区熔单晶硅（FZ）市场份额约为20%。
《投资者报》：国内做半导体的企业不少，为何是中环率先掌握最领先的技术，你认为中环技术上的优势主要来自于哪些方面？
安艳清：一方面来自公司这些年在半导体材料领域上的技术积淀。早在2002年，环欧公司在国内率先采用多线切割技术切割半导体及太阳能硅片。2007年至2009年期间，环欧公司采用国内领先的晶体生长模拟技术开始研发新一代的太阳能晶体生长技术及设备。
另一方面，也离不开公司总经理沈浩平和技术团队多年的潜心研究。沈总1983年物理系毕业时，毕业论文就是关于薄膜电池的研究，并在重量级学术刊物上刊载，此后沈总一直在中环旗下全资子公司环欧公司从事技术研发，即便后来担任环欧公司副总经理，他也一直在一线工作，坚持在一线工作19年。并带出一大批技术骨干，形成了有着核心竞争力的团队，这才是中环技术不断创新和升级的最重要源泉。
《投资者报》：目前光伏行业一片惨淡，中环股份受到的冲击有多大？你如何看待这次光伏行业调整？
安艳清：这个行业前期是一窝蜂式涌入的跟风行业，只要有资金，各行各业的人都可以进入，不管是专业的还是非专业的，大家都能赚到钱。在这样的时候，像我们这样拥有技术优势但规模不太大的企业是体现不出优势的，只有那些大规模生产的企业才有优势。但这样一个人人参与人人赚钱的行业一定是不正常的，调整和洗牌是必然的。
现在中环一半的利润贡献来自光伏，当然不可能不受影响，但我们主要做单晶硅，而且是品质较高的高端产品，影响相对较小。2011年下半年，30%的企业处于停产和半停产状态，70%的处于产闭状态。但我们目前一直处于满产状态。
《投资者报》：公司受影响小的原因是什么？
安艳清：我们受影响小的原因是这个行业经历一轮疯狂发展后，下游客户的需求发生了变化，前两年是需求大供方少，上游厂商生产什么样的产品都有市场，但现在下游客户变得理性了，也变得挑剔了，需求开始向高端发展，那些产品品质好的、有信誉的而高端需求在向高端企业靠拢，我们这种有长久技术实力，有市场资源和和管理资源的企业才会胜出。
但在这个洗牌过程中，无论是资本市场的人，还是行业外的人，分不清哪个是真李逵哪个是假李逵，在这种情况下，对我们公司有质疑是可以理解的，我们也希望通过我们的业绩说话，通过市场表现说话。
《投资者报》：一项新技术的应用过程比较复杂，得先试生产，再小批量生产，最后才能达到工业生产里面的大规模生产。公司直拉区熔技术正式应用到光伏领域并转化为规模生产？对公司业绩的贡献有多少？
安艳清：公司CFZ技术的大规模生产不存在任何的瓶颈，因为CFZ产品技术是公司CZ技术和FZ技术两种技术的融合，而且公司CZ和FZ的规模化生产历史超过20年。
我们不会担心市场，公司的产品都是以市场为导向的，事实上，是因为当前时点已经有了客户资源，我们才宣布要规模化生产的。对公司的业绩会有大的贡献。
《投资者报》：是因为资金有限还是担心行业低谷产品市场受限？
安艳清：目前公司CFZ没有实现大规模化生产的真正瓶颈来自于资金，我们的计划不是一次性投资之后一次性投产，而是循序渐进，一边增加投入一边扩大产能。
关于行业低谷产品市场受限的问题，我个人认为，如同手机市场中的苹果，没有人能阻挡苹果手机的市场。
《投资者报》：从2009年开始，中环股份的管理层也作了调整理，现在看来，新的管理层为公司带来了哪些变化？
安艳清：2009年我们七个高管中新上任四个，而且来自不同的行业，我认为对公司经营和管理注入了一些活力，这些人不仅仅追求稳定，也属于“折腾型”的高管，喜欢多做些事。从业务层面看，一方面依托公司此前的技术和市场优势，将半导体材料产业规模放大了，通过中环领先项目实现了从材料到器件的枢纽，也布局了新能源项目，这三年里产业转型与布局基本完成，并步入一个良性的发展通道。
《投资者报》：在经营层面和市值管理方面，公司有何近期和中长期的战略规划？
安艳清：目标是至2015年力争实现过百亿的规模，市值达到五百亿至一千亿。
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关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si发展的总趋势。目前直径为8英寸（200mm）的Si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（IC‘s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm，0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm，0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。
从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，SOI材料，包括智能剥离（Smartcut）和SIMOX材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。
理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料（如用Si3N4等来替代SiO2），低K介电互连材料，用Cu代替Al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。
2.2GaAs和InP单晶材料
GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
目前，世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（VGF）和水平（HB）方法生长的2－3英寸的导电GaAs衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4，6和8英寸）的SI－GaAs发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的SI－GaAs集成电路生产线。InP具有比GaAs更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。
GaAs和InP单晶的发展趋势是：
（1）。增大晶体直径，目前4英寸的SI－GaAs已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI－GaAs也将投入工业应用。
（2）。提高材料的电学和光学微区均匀性。
（3）。降低单晶的缺陷密度，特别是位错。
（4）。GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。
2.3半导体超晶格、量子阱材料
半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（MBE，MOCVD）的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。
（1）Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。
GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管（HEMT），赝配高电子迁移率晶体管（P－HEMT）器件最好水平已达fmax=600GHz，输出功率58mW，功率增益6.4db；双异质结双极晶体管（HBT）的最高频率fmax也已高达500GHz，HEMT逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前，研制高质量的1.5μm分布反馈（DFB）激光器和电吸收（EA）调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了80×40Gbps传输40km的实验。另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。
虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件，但由于其有源区极薄（～0.01μm）端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。我国早在1999年，就研制成功980nmInGaAs带间量子级联激光器，输出功率达5W以上；2000年初，法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。最近，我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。
为克服PN结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。自从1994年InGaAs／InAIAs／InP量子级联激光器（QCLs）发明以来，Bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，QCLs在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。2001年瑞士Neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1μm的QCLs的工作温度高达312K，连续输出功率3mW.量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段（3－87μm），并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120K5μm和250K8μm的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功3.7μm室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。
目前，Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的MBE和M0CVD设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸。英国卡迪夫的MOCVD中心，法国的PicogigaMBE基地，美国的QED公司，Motorola公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有这种外延材料出售。生产型MBE和MOCVD设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。
（2）硅基应变异质结构材料。
硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究，但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料（纳米Si／SiO2），硅基SiGeC体系的Si1－yCy/Si1－xGex低维结构，Ge／Si量子点和量子点超晶格材料，Si／SiC量子点材料，GaN／BP／Si以及GaN／Si材料。最近，在GaN／Si上成功地研制出LED发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道，使人们看到了一线希望。
另一方面，GeSi／Si应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。Si/GeSiMODFET和MOSFET的最高截止频率已达200GHz，HBT最高振荡频率为160GHz，噪音在10GHz下为0.9db，其性能可与GaAs器件相媲美。
尽管GaAs／Si和InP／Si是实现光电子集成理想的材料体系，但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效，防碍着它的使用化。最近，Motolora等公司宣称，他们在12英寸的硅衬底上，用钛酸锶作协变层（柔性层），成功的生长了器件级的GaAs外延薄膜，取得了突破性的进展。
2.4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料
基于量子尺寸效应、量子干涉效应，量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造（通过能带工程实施）的新型半导体材料，是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。它的发展与应用，极有可能触发新的技术革命。
目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上，如GaAlAs／GaAs，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP，InGaAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。俄罗斯约飞技术物理所MBE小组，柏林的俄德联合研制小组和中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组等研制成功的In（Ga）As／GaAs高功率量子点激光器，工作波长lμm左右，单管室温连续输出功率高达3.6～4W.特别应当指出的是我国上述的MBE小组，2001年通过在高功率量子点激光器的有源区材料结构中引入应力缓解层，抑制了缺陷和位错的产生，提高了量子点激光器的工作寿命，室温下连续输出功率为1W时工作寿命超过5000小时，这是大功率激光器的一个关键参数，至今未见国外报道。
在单电子晶体管和单电子存贮器及其电路的研制方面也获得了重大进展，1994年日本NTT就研制成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管，并在150K观察到栅控源－漏电流振荡；1997年美国又报道了可在室温工作的单电子开关器件，1998年Yauo等人采用0.25微米工艺技术实现了128Mb的单电子存贮器原型样机的制造，这是在单电子器件在高密度存贮电路的应用方面迈出的关键一步。目前，基于量子点的自适应网络计算机，单光子源和应用于量子计算的量子比特的构建等方面的研究也正在进行中。
与半导体超晶格和量子点结构的生长制备相比，高度有序的半导体量子线的制备技术难度较大。中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组，在继利用MBE技术和SK生长模式，成功地制备了高空间有序的InAs／InAI（Ga）As／InP的量子线和量子线超晶格结构的基础上，对InAs／InAlAs量子线超晶格的空间自对准（垂直或斜对准）的物理起因和生长控制进行了研究，取得了较大进展。
王中林教授领导的乔治亚理工大学的材料科学与工程系和化学与生物化学系的研究小组，基于无催化剂、控制生长条件的氧化物粉末的热蒸发技术，成功地合成了诸如ZnO、SnO2、In2O3和Ga2O3等一系列半导体氧化物纳米带，它们与具有圆柱对称截面的中空纳米管或纳米线不同，这些原生的纳米带呈现出高纯、结构均匀和单晶体，几乎无缺陷和位错；纳米线呈矩形截面，典型的宽度为20－300nm，宽厚比为5－10，长度可达数毫米。这种半导体氧化物纳米带是一个理想的材料体系，可以用来研究载流子维度受限的输运现象和基于它的功能器件制造。香港城市大学李述汤教授和瑞典隆德大学固体物理系纳米中心的LarsSamuelson教授领导的小组，分别在SiO2／Si和InAs／InP半导体量子线超晶格结构的生长制各方面也取得了重要进展。
低维半导体结构制备的方法很多，主要有：微结构材料生长和精细加工工艺相结合的方法，应变自组装量子线、量子点材料生长技术，图形化衬底和不同取向晶面选择生长技术，单原子操纵和加工技术，纳米结构的辐照制备技术，及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等通过物理或化学方法制备量子点和量子线的技术等。目前发展的主要趋势是寻找原子级无损伤加工方法和纳米结构的应变自组装可控生长技术，以求获得大小、形状均匀、密度可控的无缺陷纳米结构。
2.5宽带隙半导体材料
宽带隙半导体材主要指的是金刚石，III族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（ZnO等）及固溶体等，特别是SiC、GaN和金刚石薄膜等材料，因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料；在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外，III族氮化物也是很好的光电子材料，在蓝、绿光发光二极管（LED）和紫、蓝、绿光激光器（LD）以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景。随着1993年GaN材料的P型掺杂突破，GaN基材料成为蓝绿光发光材料的研究热点。目前，GaN基蓝绿光发光二极管己商品化，GaN基LD也有商品出售，最大输出功率为0.5W.在微电子器件研制方面，GaN基FET的最高工作频率（fmax）已达140GHz，fT=67GHz，跨导为260ms／mm；HEMT器件也相继问世，发展很快。此外，256×256GaN基紫外光电焦平面阵列探测器也已研制成功。特别值得提出的是，日本Sumitomo电子工业有限公司2000年宣称，他们采用热力学方法已研制成功2英寸GaN单晶材料，这将有力的推动蓝光激光器和GaN基电子器件的发展。另外，近年来具有反常带隙弯曲的窄禁带InAsN，InGaAsN，GaNP和GaNAsP材料的研制也受到了重视，这是因为它们在长波长光通信用高T0光源和太阳能电池等方面显示了重要应用前景。
以Cree公司为代表的体SiC单晶的研制已取得突破性进展，2英寸的4H和6HSiC单晶与外延片，以及3英寸的4HSiC单晶己有商品出售；以SiC为GaN基材料衬低的蓝绿光LED业已上市，并参于与以蓝宝石为衬低的GaN基发光器件的竟争。其他SiC相关高温器件的研制也取得了长足的进步。目前存在的主要问题是材料中的缺陷密度高，且价格昂贵。
II－VI族兰绿光材料研制在徘徊了近30年后，于1990年美国3M公司成功地解决了II－VI族的P型掺杂难点而得到迅速发展。1991年3M公司利用MBE技术率先宣布了电注入（Zn，Cd）Se／ZnSe兰光激光器在77K（495nm）脉冲输出功率100mW的消息，开始了II－VI族兰绿光半导体激光（材料）器件研制的。经过多年的努力，目前ZnSe基II－VI族兰绿光激光器的寿命虽已超过1000小时，但离使用差距尚大，加之GaN基材料的迅速发展和应用，使II－VI族兰绿光材料研制步伐有所变缓。提高有源区材料的完整性，特别是要降低由非化学配比导致的点缺陷密度和进一步降低失配位错和解决欧姆接触等问题，仍是该材料体系走向实用化前必须要解决的问题。
宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大失配异质结构材料，所谓大失配异质结构材料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的材料体系，如GaN／蓝宝石（Sapphire），SiC／Si和GaN／Si等。大晶格失配引发界面处大量位错和缺陷的产生，极大地影响着微结构材料的光电性能及其器件应用。如何避免和消除这一负面影响，是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题。这个问题的解泱，必将大大地拓宽材料的可选择余地，开辟新的应用领域。
目前，除SiC单晶衬低材料，GaN基蓝光LED材料和器件已有商品出售外，大多数高温半导体材料仍处在实验室研制阶段，不少影响这类材料发展的关键问题，如GaN衬底，ZnO单晶簿膜制备，P型掺杂和欧姆电极接触，单晶金刚石薄膜生长与N型掺杂，II－VI族材料的退化机理等仍是制约这些材料实用化的关键问题，国内外虽已做了大量的研究，至今尚未取得重大突破。
3光子晶体
光子晶体是一种人工微结构材料，介电常数周期的被调制在与工作波长相比拟的尺度，来自结构单元的散射波的多重干涉形成一个光子带隙，与半导体材料的电子能隙相似，并可用类似于固态晶体中的能带论来描述三维周期介电结构中光波的传播，相应光子晶体光带隙（禁带）能量的光波模式在其中的传播是被禁止的。如果光子晶体的周期性被破坏，那么在禁带中也会引入所谓的“施主”和“受主”模，光子态密度随光子晶体维度降低而量子化。如三维受限的“受主”掺杂的光子晶体有希望制成非常高Q值的单模微腔，从而为研制高质量微腔激光器开辟新的途径。光子晶体的制备方法主要有：聚焦离子束（FIB）结合脉冲激光蒸发方法，即先用脉冲激光蒸发制备如Ag/MnO多层膜，再用FIB注入隔离形成一维或二维平面阵列光子晶体；基于功能粒子（磁性纳米颗粒Fe2O3，发光纳米颗粒CdS和介电纳米颗粒TiO2）和共轭高分子的自组装方法，可形成适用于可光范围的三维纳米颗粒光子晶体；二维多空硅也可制作成一个理想的3－5μm和1.5μm光子带隙材料等。目前，二维光子晶体制造已取得很大进展，但三维光子晶体的研究，仍是一个具有挑战性的课题。最近，Campbell等人提出了全息光栅光刻的方法来制造三维光子晶体，取得了进展。
4量子比特构建与材料
随着微电子技术的发展，计算机芯片集成度不断增高，器件尺寸越来越小（nm尺度）并最终将受到器件工作原理和工艺技术限制，而无法满足人类对更大信息量的需求。为此，发展基于全新原理和结构的功能强大的计算机是21世纪人类面临的巨大挑战之一。1994年Shor基于量子态叠加性提出的量子并行算法并证明可轻而易举地破译目前广泛使用的公开密钥Rivest，Shamir和Adlman（RSA）体系，引起了人们的广泛重视。
所谓量子计算机是应用量子力学原理进行计的装置，理论上讲它比传统计算机有更快的运算速度，更大信息传递量和更高信息安全保障，有可能超越目前计算机理想极限。实现量子比特构造和量子计算机的设想方案很多，其中最引人注目的是Kane最近提出的一个实现大规模量子计算的方案。其核心是利用硅纳米电子器件中磷施主核自旋进行信息编码，通过外加电场控制核自旋间相互作用实现其逻辑运算，自旋测量是由自旋极化电子电流来完成，计算机要工作在mK的低温下。
这种量子计算机的最终实现依赖于与硅平面工艺兼容的硅纳米电子技术的发展。除此之外，为了避免杂质对磷核自旋的干扰，必需使用高纯（无杂质）和不存在核自旋不等于零的硅同位素（29Si）的硅单晶；减小SiO2绝缘层的无序涨落以及如何在硅里掺入规则的磷原子阵列等是实现量子计算的关键。量子态在传输，处理和存储过程中可能因环境的耦合（干扰），而从量子叠加态演化成经典的混合态，即所谓失去相干，特别是在大规模计算中能否始终保持量子态间的相干是量子计算机走向实用化前所必需克服的难题。
5发展我国半导体材料的几点建议
鉴于我国目前的工业基础，国力和半导体材料的发展水平，提出以下发展建议供参考。
5.1硅单晶和外延材料硅材料作为微电子技术的主导地位
至少到本世纪中叶都不会改变，至今国内各大集成电路制造厂家所需的硅片基本上是依赖进口。目前国内虽已可拉制8英寸的硅单晶和小批量生产6英寸的硅外延片，然而都未形成稳定的批量生产能力，更谈不上规模生产。建议国家集中人力和财力，首先开展8英寸硅单晶实用化和6英寸硅外延片研究开发，在“十五”的后期，争取做到8英寸集成电路生产线用硅单晶材料的国产化，并有6～8英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右，我国应有8～12英寸硅单晶、片材和8英寸硅外延片的规模生产能力；更大直径的硅单晶、片材和外延片也应及时布点研制。另外，硅多晶材料生产基地及其相配套的高纯石英、气体和化学试剂等也必需同时给以重视，只有这样，才能逐步改观我国微电子技术的落后局面，进入世界发达国家之林。
5.2GaAs及其有关化合物半导体单晶材料发展建议
GaAs、InP等单晶材料同国外的差距主要表现在拉晶和晶片加工设备落后，没有形成生产能力。相信在国家各部委的统一组织、领导下，并争取企业介入，建立我国自己的研究、开发和生产联合体，取各家之长，分工协作，到2010年赶上世界先进水平是可能的。要达到上述目的，到“十五”末应形成以4英寸单晶为主2－3吨／年的SI－GaAs和3－5吨／年掺杂GaAs、InP单晶和开盒就用晶片的生产能力，以满足我国不断发展的微电子和光电子工业的需术。到2010年，应当实现4英寸GaAs生产线的国产化，并具有满足6英寸线的供片能力。
5.3发展超晶格、量子阱和一维、零维半导体微结构材料的建议
（1）超晶格、量子阱材料从目前我国国力和我们已有的基础出发，应以三基色（超高亮度红、绿和蓝光）材料和光通信材料为主攻方向，并兼顾新一代微电子器件和电路的需求，加强MBE和MOCVD两个基地的建设，引进必要的适合批量生产的工业型MBE和MOCVD设备并着重致力于GaAlAs／GaAs，InGaAlP／InGaP，GaN基蓝绿光材料，InGaAs／InP和InGaAsP／InP等材料体系的实用化研究是当务之急，争取在“十五”末，能满足国内2、3和4英寸GaAs生产线所需要的异质结材料。到2010年，每年能具备至少100万平方英寸MBE和MOCVD微电子和光电子微结构材料的生产能力。达到本世纪初的国际水平。