集成电路概况范文

导语：如何才能写好一篇集成电路概况，这就需要搜集整理更多的资料和文献，欢迎阅读由公务员之家整理的十篇范文，供你借鉴。

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中国集成电路测试产业投资咨询报告

报告属性

【报告名称】中国集成电路测试产业投资咨询报告

【报告性质】专项调研：需方可根据需求对报告目录修改，经双方确认后签订正式协议。

【关键词】集成电路测试产业投资咨询

【制作机关】中国市场调查研究中心

【交付方式】电子邮件特快专递

【报告价格】协商定价（纸介版、电子版）

【定购电话】010-68452508010-88430838

报告目录

一、集成电路测试概述

(一)集成电路测试产业定义、基本概念

(二)集成电路测试基本特点

(三)集成电路测试产品分类

二、集成电路测试产业分析

(一)国际集成电路测试产业发展总体概况

1、本产业国际现状分析

2、本产业主要国家和地区情况

3、本产业国际发展趋势分析

4、2007国际集成电路测试发展概况

(二)我国集成电路测试产业的发展状况

1、我国集成电路测试产业发展基本情况

2、集成电路测试产业的总体现状

3、集成电路测试行业发展中存在的问题

4、2007我国集成电路测试行业发展回顾

三、2007年中国集成电路测试市场分析

(一)我国集成电路测试整体市场规模

1、总量规模

2、增长速度

3、各季度市场情况

(二)我国集成电路测试市场发展现状分析

(三)原材料市场分析

(四)集成电路测试区域市场分析

(五)集成电路测试市场结构分析

1、产品市场结构

2、品牌市场结构

3、区域市场结构

4、渠道市场结构

四、2007年中国集成电路测试市场供需监测分析

(一)需求分析

1、产品需求

2、价格需求

3、渠道需求

4、购买需求

(二)供给分析

1、产品供给

2、价格供给

3、渠道供给

4、促销供给

(三)市场特征分析

1、产品特征

2、价格特征

3、渠道特征

4、购买特征

五、2007年中国集成电路测试市场竞争格局与厂商市场竞争力评价

(一)竞争格局分析

(二)主力厂商市场竞争力评价

1、产品竞争力

2、价格竞争力

3、渠道竞争力

4、销售竞争力

5、服务竞争力

6、品牌竞争力

六、影响2007-2010年中国集成电路测试市场发展因素

(一)有利因素

(二)不利因素

(三)政策因素

七、2007-2010年中国集成电路测试市场趋势预测

(一)产品发展趋势

(二)价格变化趋势

(三)渠道发展趋势

(四)用户需求趋势

(五)服务发展趋势

八、2008年集成电路测试市场发展前景预测

(一)国际集成电路测试市场发展前景预测

1、国际集成电路测试产业发展前景

2、2010年国际集成电路测试市场的发展预测

3、世界范围集成电路测试市场的发展展望

(二)中国集成电路测试市场的发展前景

1、市场规模预测分析

2、市场结构预测分析

(三)我国集成电路测试资源配置的前景

(四)集成电路测试中长期预测

1、2007－2010年经济增长与集成电路测试需求预测

2、2007－2010年集成电路测试行业总产量预测

3、我国中长期集成电路测试市场发展策略预测

九、中国主要集成电路测试生产企业(列举)

十、国内集成电路测试主要生产企业盈利能力比较分析

(一)2003-2007年集成电路测试行业利润总额分析

1、2003-2007年行业利润总额分析

2、不同规模企业利润总额比较分析

3、不同所有制企业利润总额比较分析

(二)2003-2007年集成电路测试行业销售毛利率分析

(三)2003-2007年集成电路测试行业销售利润率分析

(四)2003-2007年集成电路测试行业总资产利润率分析

(五)2003-2007年集成电路测试行业净资产利润率分析

(六)2003-2007年集成电路测试行业产值利税率分析

十一.2008中国集成电路测试产业投资分析

(一)投资环境

1、资源环境分析

2、市场竞争分析

3、税收政策分析

(二)投资机会

(三)集成电路测试产业政策优势

(四)投资风险及对策分析

(五)投资发展前景

1、集成电路测试市场供需发展趋势

2、集成电路测试未来发展展望

十二、集成电路测试产业投资策略

(一)产品定位策略

1、市场细分策略

2、目标市场的选择

(二)产品开发策略

1、追求产品质量

2、促进产品多元化发展

(三)渠道销售策略

1、销售模式分类

2、市场投资建议

(四)品牌经营策略

1、不同品牌经营模式

2、如何切入开拓品牌

(五)服务策略

十三、投资建议

(一)集成电路测试产业市场投资总体评价

(二)集成电路测试产业投资指导建议

十四、报告附件

(一)规模以上集成电路测试行业经营企业通讯信息库(excel格式)

主要内容为：法人单位代码、法人单位名称、法定代表人(负责人)、行政区划代码、通信地址、区号、电话号码、传真号码、邮政编码、电子邮箱、网址、工商登记注册号、编制登记注册号、登记注册类型、机构类型……

(二)规模以上集成电路测试经营数据库(excel格式)

主要内容为：主要业务活动(或主要产品)、行业代码、年末从业人员合计、全年营业收入合计、资产总计、工业总产值、工业销售产值、工业增加值、流动资产合计、固定资产合计、主营业务收入、主营业务成本、主营业务税金及附加、其他业务收入、其他业务利润、财务费用、营业利润、投资收益、营业外收入、利润总额、亏损总额、利税总额、应交所得税、广告费、研究开发费、经营活动产生的现金流入、经营活动产生的现金流出、投资活动产生的现金流入、投资活动产生的现金流出、筹资活动产生的现金流入、筹资活动产生的现金流出……

十五、报告说明

(一)报告目的

(二)研究范围

(三)研究区域

(四)数据来源

(五)研究方法

(六)一般定义

(七)市场定义

(八)市场竞争力指标体系

(九)市场预测模型

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关键词：集成电路产业　金融危机　影响

由于集成电路的重要性，使得集成电路产业成为美国、日本等发达国家国民经济中的支柱产业，而集成电路制造业也正在成为很多新兴发展地区，特别是亚洲发展的重点产业。在国内外集成电路市场加速增长的带动下，中国集成电路产业运行情况良好，产业呈现产销两旺的发展态势。产业逐渐步入高速增长轨道。然而，随着金融危机影响的加深，特别是对实体经济的影响，集成电路产业呈现出了一些新的发展特点。

一、我国集成电路行业发展现状

1、我国集成电路产业发展概况

我国的集成电路产业起步于1965年，先后经历了自主创业(1965～1980年)、引进提高(1981～1989年)、重点建设(1990～1999年)和全面发展(2000至今)4个发展阶段。经过几十年的发展，我国的集成电路产业从无到有，从小到大，目前已初具规模。在我国政府支持政策的激励下，我国集成电路产业得到比以往更为快速的发展：产业规模急剧扩大、芯片制造工艺和技术水平迅速提升、创新能力持续增强、产业格局趋合理、领军带头企业纷纷涌现，IC产业展现出蓬勃生机，进入了高速成长期。目前我国已成为全球集成电路产业发展最快的地区之一。于此同时，我国在IC产业的基础研究、技术开发、人才培养等方面也都取得了较大成绩，我国集成电路产业进入全面快速发展的新阶段。

2、我国集成电路产业发展存在的问题

我国集成电路产业的发展现状是发展集成电路产业的客观前提，认清我国集成电路产业发展的现状是快速发展该产业的关键所在。我国集成电路产业虽已形成了较为完整的产业链，但由于制造业技术层次不一，设计能力相对缺乏，其它产业链也都是处于发展初期，无法参与国际的竞争。然而，集成电路产业的国际化发展趋势，造成了弱肉强食的便于全球集成电路产业利润分配的“金字塔”格局。它包括产品品种分布的“金字塔”格局和产业结构垂直分工的“金字塔”格局。所谓产品品种分布的“金字塔”格局，以PC机为例，美国拥有高档CPU的核心技术占有最大利润，日本、韩国则因拥有DRAM技术而分享第二轮利润，发展中国家一般只能生产低档的电路：所谓产业结构垂直分工的“金字塔”格局，是指美、日、欧地区主要承接芯片设计，日本、韩国、中国台湾省、新加坡等主要承接芯片加工，而欠发达国家主要承接集成电路封装等初级加工组装。在这些金字塔底层的企业，由于不掌握核心技术和创新知识产权，只能得到微薄利润。因此，对于一个要摆脱落后状态、在世界IC市场中占有一席之地的国家或地区而言，就必须打破世界集成电路这两个“金字塔”格局的束缚。为此，我们一定要认清我国集成电路产业发展的现状，加大对集成电路产业发展的投入，特别是注重对人力资源和技术开发的投入，使我国集成电路产业上升到产业格局中的有利地位。

3、我国集成电路产业发展面临的机遇

“九五”以来，我国集成电路产业发展喜人，2000年国务院侣号文件颁布后，使IC产业规模、技术水平大为提升，特别是吸引外资及产品出口明显改观，产业迎来了历史上最好的发展期。主要表现在：(1)国内市场需求旺盛。我国信息产业全行业持续、高速发展，实现了历史性跨越。特别是计算机、通信、信息家电等重点整机产品发展迅猛，为集成电路产业开辟了广阔的市场，提供了强有力的需求拉动。此外，全球信息产业发展的持续低迷、制造加工业向中国的转移以及我国信息产业基地建设的提速，都为我国IC产业带来了巨大的市场空间。2001年我国JC市场占世界市场的7.6％，到2002年世界lC市场同比上年增长1.6％，而我国IC市场需求同比增长63.4％，需求规模占全球IC市场的12.6％，我国已成为全球集成电路产品的消费大国和重要市场(胡晓慧，2008)。这是我国集成电路产业发展之源、成长之本。

(2)投资规模迅速扩大。在国务院18号文件产业政策的引导下，上海、北京、深圳等地出现了投资集成电路业的好势头；天津Motorola公司投资14亿美元，月产2.5万片的8英寸芯片生产线和上海中芯国际投资15亿美元，月产8英寸硅片4.2万片的项目已经投入运行；上海宏力、苏州和舰、上海贝岭、上海先进将投入生产；深圳深港、北京中芯环球8英寸线、深圳先科纳米、上海松江和北京首钢8英寸线都在抓紧建设。杭州士兰6英寸芯片生产线已经投入运行，宁波6英寸芯片生产线和乐山6英寸生产线正在抓紧建设，可望1～2年内建成投产。如果再算上各地和外商的意向投资项目，总投资额将更大。资金来源是多方面的，除了外资投入，国内企业和地方的投资都在增加。预计“十五”期间，我国集成电路行业新增投资将超过600亿元。

(3)国内IC设计业大发展。由于整机高速发展，需求不断变化，给IC设计业带来了机遇与挑战，促其迅速发展。据统计，2001年底我国共有各类集成电路设计单位100家左右，从业人员4，000人，到2002年9月底，我国集成电路设计单位猛增到389家，其中IC专业设计企业270家，通过认定的近60家，从业人员同比上年增长了4倍，有力地推动了我国集成电路设计业的发展。

(4)生产技术与工艺水平不断提高。在芯片制造方面，以华虹NEC、中芯国际等为代表的我国芯片制造企业，已具备8英寸、0，24微米-0，18微米的大生产技术和规模生产能力。特别是上海中芯国际与宏力公司，可具备0，15微米-0，13微米生产工艺技术，与国外差距开始缩小。目前芯片制造业占IC总产量的20％，总销售额的14，4％，多条新生产线正在建设中，制程技术也在不断提升。

(5)企业的经济效益不断改善。自2002年以来，除了少数集成电路制造企业因产品主要出口国外，受到国际IT产业市场低迷的影响外，包括外商独资和合资企业、民营企业、改制改组的国有企业和股份制企业在内的多数集成电路企业的经济效益在不断改善。

二、金融危机对我国集成电路行业的影响

1、需求角度

从出口需求角度而言，一方面，由于中国在制造业方面的成本优势仍然存在。可以帮助我国相关企业在出口受到影响的程度上会适度减弱，甚至因为国外消费能力下降反而可能增加对更具性价比优势的中国制造的集成电路产品的需求；另一方面对于那些主要市场分布于发展中国家与地区的企业而言，由于远离金融风暴中心所以短

期内其出口市场需求受到的影响不会太大。

从国内需求看，我国受到这场金融危机的直接影响并不算大。而国内的问题则主要出在前期的针对通货膨胀以及相应的国家宏观政策背景之下所导致的一定程度的紧缩上。考虑到融资困难等因素使得企业尤其是中小企业的资金紧张从而对工业电子产品的需求受到一定的影响、而家庭用户对于相关消费电子产品的需求则相应地受到通胀的压制，但由于相关产品价格的快速下降及居民消费能力在短期内并未受到金融危机的直接影响所以其对于家庭用户的购买力的直接影响也仍未明显体现出来。不过部分因为金融危机而失业的人群的消费能力肯定会受到直接的影响。另外，也有专家认为尽管目前国内居民的消费能力仍未受金融危机的直接影响但是考虑到对于经济增长前景的忧虑等心理恐慌也会导致居民的消费受到一定程度的影响，但短期内影响还不算太。

2、资金供给角度

资金环境相对复杂，IPO变难，融资成本有望下降。金融危机首先波及了全球证券市场。受其影响，中国股市至今仍处于一蹶不振的状态。中国证券市场的低迷，使得企业通过一级市场与二级市场的融资变得难上加难，包括集成电路企业自身及其用户企业。目前都面临着股价与市值下跌。通过IPO融资困难方面的难题。但是随着通缩迹象的出现，国家针对经济下滑以及通缩的市场调节政策力度正在得到体现。因而，信贷环境将会得到适度放松，这对于集成电路行业的资金供给则成为一种相对的利好。同时，对于大量的中小企业用户而言，短期之内有望因信贷环境改善解决资金紧张的局面。从而使因证券市场而失去融资的机会得到弥补。从更长远的目光来看，如果货币政策与财政政策改变对于经济形成有效地实质性支撑与心理支撑，从而使得国家证券市场走出与经济吻台的独立行情的话，那么证券市场将有望重新增强融资功能。

3、政策角度

面对金融危机的影响，我国政府积极应对，电子信息产业调整振兴规划已获通过。专项规划中设立了2010年中国信息产业各领域的市场目标(俞忠钰，5288)。比如，集成电路产业到2010年，芯片产量要达到800亿块，总收入为3,000亿元，年均增长率达到30％，约占全球集成电路市场份额的10％，国内自给率30％。而软件产业2010年销售额要突破10,000亿元大关，出口超过100亿美元等。

显然，如何贯彻落实电子信息产业调整振兴规划的相关内容，制定应对措施，尽快克服国际金融危机的不利影响，推动国内集成电路产业的成长发展，是当前产业界的紧迫任务。

4、技术与人才角度

由于金融危机中更多的全球集成电路企业巨头将发展的目光转移到中国，因而对于国内集成电路产业而言，获取更多的国外先进技术的可能性大大增加。更多的集成电路企业将发展的重心由本土向中国等发展中国家转移。其中，原来只用于本土的先进技术将会更多地向中国等发展中国家与地区转移，这在短期内使得国内企业有望通过与其合作来得到更好的技术支撑，从长远来看对于中国集成电路行业在技术发展水平与应用水平方面有可能取得更快的发展，从而提高中国集成电路企业的整体竞争实力。

金融危机使发达国家集成电路企业发展环境的短期恶化，导致更多优秀的人才将面临严峻的就业与发展局面，更多的优秀人才将有可能将其发展空间转移到中国。这将为国内集成电路业在解决高级研发人才与高级设计人才需求方面提供良好的机遇。

三、对策建议

1、拓展内需

目前要解快市场和订单问题，就要紧紧抓住扩大内需为集成电路产业带来的市场机遇，重点开拓“家电下乡，3G通信，移动电视，交通电子”等几大新兴市场，在这些新兴市场，许多企业具备研制开发lC产品的技术基础，其中有的品种已开发成功，有的正在研发中，最大的问题是要批量生产占领市场，这需要企业和政府部门做大量艰苦的工作。企业要转型升级，将开拓国内市场与技术创新结合起来，同时，有关部门制定相关政策给予支持。

2、加大投入，提高创新能力

危机时期更要保持企业的科研实力，提高创新能力，力争实现企业在某些特定领域技术和产品的领先地位，这不仅是企业克服当前危机的需要，也是长远发展的需要；做好国家重大科技专项的实施，根据国内市场实际需求加大新产品开发力度，快速占领新兴市场；加大投入，不失时机地实施技术改造和升级，有针对性的增强为本土企业开发产品的服务和支持力度。

3、完善产业政策，加快整合转型，促进产业集聚

我国IC产业已经成为一个上千亿的产业，一批骨干企业成长起来，产业链也基本成型。加快整合转型，促进产业集聚和企业做大做强，同样是“化危机为机遇”的紧迫需要。

4、“内外兼修”应对金融海啸以及行业目前的发展低谷期

一方面，我国集成电路企业要严格控制成本，多进行产品创新，加强研发力量，增加专利拥有量，进行库存管理等；另一方面，我国集成电路企业要了解市场发展趋势和客户需求，多寻找新的市场利润点，甚至可以通过合并方式，获得其他企业的知识产权以期在目标市场获得高速增长。“在这个过程中，肯定会有企业倒闭、重组或者被收购，但只要企业能安稳度过这个低谷期，即将迎接的仍是新一轮的发展上扬期”(马剑芳，2008)。

本文作者：

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1CDIO工程教育理念

 

CDIO工程教育模式，是由美国麻省理工学院、瑞典皇家工学院等四所大学共同创立的工程教育改革模式。是近年来国际工程教育改革的最新成果，CDIO是构思(Conceive)、设计(Design)、实施(Implement)、运作(Operate)4个英文单词的缩写，以产品从研发到运行的生命周期为载体让学生以主动的、实践的、与课程之间有机联系的方式学习掌握知识&-4。迄今已有几十所世界著名大学加入了CDIO国际组织，这些学校采用CDIO工程教育理念和教学大纲开展教学实践，取得了良好的效果。

 

2存在的问题与课程建设思想

 

微电子技术研究的中心问题是集成电路的设计与制造,将数以亿计的晶体管集成在一个芯片上。微电子技术是信息技术的基础和支柱，是21世纪发展最活跃和技术增长最快的高新科技，其产业已超过汽车工业，成为全球第一大产业。微电子工艺课程主要介绍微电子器件和集成电路制造的工艺流程，平面工艺中各种工艺技术的基本原理、方法和主要特点。其课程建设思想是使学生对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，掌握当前微电子芯片制作的工艺流程、主要设备、检测方法及其发展趋势^7]。

 

但目前该课程教学中存在较多问题，教学效果不佳，主要有如下几点：(1)教材陈旧，没有较适合的双语教材，难以适应跨国际的微电子制造工艺新技术的快速发展;(2)教学内容信息量大，在教学时间短、内容多的情况下，教师难以合理安排教学进度;(3)在课程设置上重理论轻实践，技术性和实践性的内容较少，与迅速发展的工业实际脱节;(4)教学方法单一,理论联系实际不紧密，不利于学生课堂积极性的提高与创造性的发挥“5)实践教学环境较差，由于微电子工艺设备十分昂贵，有待加强高校精密贵重仪器设备和优质实验教学资源共享平台和运行机制的建设;(6)教评形式单一，忽略了实践教学与考核，致使大多数学生只是死记硬背书本知识的学习方式来应付考试。

 

3微电子工艺的课程建设

 

3.1教材选取及教学内容改革

 

本课程教材选用经历了《芯片制造一半导体工艺制程实用教程》、《现代集成电路制造工艺原理》到目前的首选教材：国外电子与通信教材系列中，美国MichaelQiurk和JulianSerda著《半导体制造技术》韩郑生的中文翻译本。该书不仅详细介绍芯片制造中的每一关键工艺，而且介绍了支持这些工艺的设备以及每一道工艺的质量检测和故障排除;并吸收了当今最新技术资料，如用于亚0.25pm工艺的最新技术:化学机械抛光、浅槽隔离以及双大马士革等工艺;内容丰富、全面、深入浅出、直观形象、思考习题量大，并附有大量的结构示意图、设备图和SEM图片，学生很容易理解，最主要的相对前两本教材,它更加突出实际工艺，弱化了较抽象的原理。

 

教学内容上采取调整部分章节，突出教学重点，并适当增减部分教学内容。本课程的目的是使学生掌握半导体芯片制造的工艺和基本原理，并具有一定的工艺设计和分析能力,课程仅32学时，而教材分20章,600页，所以教师需要精选课堂授课内容。从衬底制备、薄膜淀积、掺杂技术到图形加工光刻技术以及布线与组装,所涉及的概念比较多，要突出重点：薄膜淀积(氧化、蒸发、溅射、MOCVD和外延等)，光刻与刻蚀技术、掺杂技术，需章节调整系统整合;对非关键工艺的5~8章(介绍半导体制造中的化学药品、污染及缺陷等内容)只作为学生课后自学阅读。第2章的半导体材料特性已在“固体物理”课程中详细介绍，第3章的器件技术已在‘‘半导体物理“晶体管原理”课程中介绍，第20章装配与封装会在“集成电路封装与测试”课程中介绍，故无需重复讲解。将第9章集成电路制造工艺概况放在后面串通整过工艺讲解，即通过联系单项工艺流程,具体分析讲解典型的CMOS芯片制造工艺流程,如由n-MOS和p-MOS两个晶体管构成的CMOS反相器，这样能够加深对离子注入、化学气相淀积、光刻关键技术、集成电路的隔离技术以及VLSI的接触与互连技术等内容的理解。

 

另一方面，指导学生查阅相关资料，对教材内容作必要的补充，微电子工艺技术的发展迅速，因此需要随时跟踪微电子工艺的发展动态、技术前沿以及遇到的挑战。特征尺寸为45nm的集成电路已批量生产，高K介质/金属栅层叠结构、应变硅技术已采用。而现有的集成电路工艺教材很少能涉及到这些新技术，为了防止知识陈旧，应多关注集成电路工艺的最新进展，尤其是已经投入批量生产的工艺技术，及时将目前主流的工艺技术融入课程教学中。

 

3.2教学方法的改革

 

(1)开发多媒体工艺教学软件，利用多媒体技术，将动画、声音、图形、图像、文字、视频等进行合理的处理，利用大量二维和三维的多媒体图片、视频来展示和讲解复杂的工艺构造过程。开发图文声像并茂的微电子工艺多媒体计算机辅助教学软件，给学生以直观、清楚的认识，有助于提高教学质量。

 

(2)微电子工艺综合共享实验平台建设，集成电路的制造设备价格昂贵，环境条件要求苛刻，运转与维护费用很大，国内仅部分高校拥有集成电路工艺试验线或部分实验分析设备。按照有偿服务或互惠互利原则共享设备仪器资源，创建各院校之间和与企业之间的“微电子工艺综合共享实验平台”可极大的提高集成电路工艺及其实验课程教学效果，即解决了一些院校资金短缺问题，同时也部分补偿了大型设备的日常使用和维护费用问题。其综合共享实验平台包括金属有机化合物MOCVD沉积技术、分子束外延、RF射频磁控溅射、XPS、XRD及AFM分析测试、光刻、离子注入等涉及投资巨大的仪器设备实验项目。

 

(3)拓展实践能力的校企合作，让学生带着理论知识走进企业的真实工程环境，探索利用企业先进的工艺线资源进行工艺实验教学与参观实习6-9]。参观实习能够使学生对集成电路的生产场地,超净环境要求具有深刻的感性认识，对单晶硅制造流程、芯片制造工艺过程以及芯片的测试和封装的了解也更加系统和全面。同时利用假期安排学生去企业实习，让学生参与企业的部分生产环节，亲身感受实际工艺生产过程，增加学生对企业的了解，也利于企业选拔优秀学生。

 

(4)工艺视频与工艺实验辅助教学，由于微电子工艺内容与生产密切结合，不能单靠抽象的书本知识教学，对于学生无法了解到的一些工艺实验与设备，可通过录像教学来补充。本学院购置了清华大学微电子所的集成电路工艺设备录像与多媒体教学系统，结合国外英文原版的工艺流程视频,通过工艺视频把实际工艺流程、设备和设备操作等形象地展示在课堂。多媒体教学系统提供了氧化、扩散和离子注入三项工艺设备操作模拟，可使学生身临其境地对所学的基本工艺进行简单的模拟。同时结合课堂教学开设半导体平面工艺实验，主要包括以：氧化、光刻、扩散、蒸铝、反刻、划片、装架、烧结、封装。实验以教师讲解与学生动手相结合，既培养了学生的实际动手能力，又使学生掌握了科学分析问题的方法，激发了学生的学习兴趣,加深学生对课堂理论知识的理解。

 

3.3多元化的考核评价体系

 

对学生的考核是对其具体学习成果的度量，也是检验教学改革成效的重要手段，为了更科学合理的考核学生，我们建立了多元化的更加注重过程参与的考试评价体系，降低了期末考试在总成绩中所占比例，最大限度避免学生靠死记硬背来应付考试和学生创新思维被抑制、高分低能现象产生。这种多元化、过程性的成绩评定方法，强调知识的积累与构建过程，消除了学生重理论轻实践,考前死记硬背应付考试的弊病。总评成绩由平时成绩和期末考试成绩两部分构成。但加大平时成绩的权重,平时成绩即包括了作业与考勤，还包括综合性实验成绩、设计仿真、国外工艺视频翻译、专题小论文和专题PPT论坛团队成绩等。同时在期末考题中增加openanswerquestion型、工艺过程设计型题目110-11。

 

4结语

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关键词：接触式IC卡；检测技术；现状；趋势

中图分类号：F203 文献标识码：A 文章编号：1007-9599（2013）01-0001-03

1 IC卡技术概况

1.1 IC卡的分类

根据卡中所镶嵌的集成电路的不同，IC卡可分为：

（1）存储器卡：卡中的集成电路为电擦除可编程只读存储器EEPROM。这种卡的功能大多数是针对某些特殊的应用的，使用的灵活性受到较大限制，但是价格非常便宜；

（2）逻辑加密卡：卡中的集成电路具有加密逻辑和EEPROM。结构如图1所示。

（3）CPU卡：卡中的集成电路包括中央处理器CPU、EEPROM、随机存储器RAM以及固化在只读存储器ROM中的卡片操作系统COS。结构如图2所示。

严格地讲，只有CPU卡才是真正的智能卡。

按卡与外界数据传送的方式分，IC卡可分为：

（1）接触式IC卡：卡上的集成电路通过有形的电极触点与外部接口设备直接接触连接，进行数据交换；

（2）非接触式IC卡：它不向外引出触点，而是通过射频感应的方式与外部接口设备通信。

1.2 IC卡技术特点

IC卡的技术特点主要体现在芯片的内部存储容量大小和电路的附加控制功能上。存储器卡是以EEPROM为核心的，能多次重复使用的IC卡。由于它本身只是一种数据存储介质，不具备硬件逻辑加密功能，但可以对卡内数据本身进行加密处理，因此没有或仅有很少的安全控制功能。

逻辑加密卡是在存储器卡的基础上，再增加一部分密码控制逻辑单元。由于采用密码控制逻辑来控制对EEPROM存储器的访问和改写，因此它不像存储器卡那样可以被任意的复制和改写。逻辑加密卡的内部存储空间，根据不同的应用需要，通常可分为以下四个功能区域：

（1）制造商代码区，此区域存储不可更改的芯片制造商、IC卡制造商及IC卡发行商等代码数据，该数据用于识别、跟踪有关制造商信息及有关用户的应用情况，为在管理上增强安全性提供了可能；

（2）个人化区，这是与应用相关的区域，该区域中的相关数据控制着对该卡片的个人化过程，并对个人化操作提供安全保证，如使用次数限制、重复使用限制等；

（3）安全区，用以存放不可读取的有关安全数据，如个人密码等；

（4）应用区，用以存储有关应用数据信息。

存储器中的应用区域还有两种不同的实现方法，一种是将相关应用区域做成计数器形式，如公用电话预付费卡、停车计费卡等；另一种是存储器形式，主要用于对数据信息的存/取操作，如病历卡、校园卡等。面向计数形式的存储器主要是位操作，而存储器形式主要是字节操作。目前国内应用较多的此种IC卡芯片主要有Infineon公司的SLE4442、SLE4428等。

CPU卡芯片内部集成有CPU、ROM、RAM、EEPROM、安全逻辑、密码运算协处理器等一系列功能部件，可分为以下三种类型：

（1）普通智能IC芯片：内部设置通用标准部件如CPU、ROM、RAM、EEPROM、简单的安全逻辑等，并且每一部件的功能也较为简单。此种IC芯片的安全性适中，价格相对便宜，应用开发也较为简单，比较适合于中等安全要求的智能IC卡应用。

（2）增强智能IC芯片：内部除设置通用标准部件外，还设置密码运算协处理器（CAU）及增强功能的安全逻辑等，其余部件的功能也有相应增强，其中CAU多支持如DES对称密码算法。另外，此种芯片在制造上也采取一些硬件安全保护措施，安全性较高，价格也相对较高，应用开发较为复杂，比较适合于安全性要求较高的智能lC卡应用。

（3）高级智能IC芯片：内部设置高性能的CAU及安全逻辑等，多支持如RSA非对称密码算法。另外，此种芯片在制造上采取较高的硬件安全保护措施，即使很小缺陷的芯片也必须进行登记、销毁处理。可以认为，这种芯片在软（管理等）硬（设计、制造）两方面条件的保证下，具有十分高的安全性、可靠性等技术性能，适用于高安全性的应用领域。

2 IC卡国际标准现状

1988年，国际标准化组织（ISO）和国际电工委员会（IEC）在信息技术领域创建了联合技术委员会（ISO/IECJTCI），作为ISO或IEC成员的国家团体通过该技术委员会参与信息技术国际标准的制定。JTCI由覆盖信息技术领域的19个分技术委员会组成。分技术委员会 17（SC17）负责识别卡和相关设备方面的标准化工作。随着识别卡越来越多地成为身份识别的重要手段，SC17于2000之后调整了其工作领域，目前它的标准化范围包括：

（l）身份识别和相关文件；

（2）卡；

（3）在行业间及国际交换中应用上述文件和卡时的相关设备。被JTCI采纳的国际标准由个国家团体投票，被作为国际标准至少需要得到75%参加投票的国家团体的赞成。

已的国际标准，在今后仍有可能被修订，因此在使用国际标准时，要注意应用国际标准的最新版本。

目前在IC卡领域主要技术标准有：

（l）ISO/IEC7810《识别卡物理特性》；

规定识别卡的物理特性，包括卡的材料、构造、特性以及各种规格卡的尺寸，是所有的卡（包括磁卡、IC卡、光卡等）都应遵循的准则。

（2）ISO/lEC7816系列《识别卡集成电路卡》；

（3）ISO/IEC10536系列《识别卡无触点的集成电路卡紧藕合卡》；

该系列标准规定的卡需要贴近读写器才能被读出，目前逐渐退出市场。ISO/IEC10536系列标准在 ISO/IECJTCI/SC17目前处于废止状态，其对应的国家标准GB/T17553系列国家标准也处于收回状态。

（4）ISO/IEC14443系列《识别卡无触点的集成电路卡接近式卡》；

该系列标准规定的卡与读写器的识读距离最大可达十几厘米，目前广泛应用于公共交通、身份识别、门禁等各领域。

（5）ISO/IEC15693系列《识别卡无触点的集成电路卡邻近式卡》；

该系列标准规定的卡与读写器的识读距离可达到100cm，目前广泛应用于防伪、门禁、电子标签等各领域。

（6）ISO/IEC10373系列《识别卡测试方法》；

不同IC卡标准之间的关系：

3 接触式IC卡基本结构

3.1 内部结构

接触式IC卡的基本构成是依照国际ISO7816提出的ID-l外形尺寸标准，在塑料片基上嵌人集成电路芯片而组成的卡片，示意图如图1所示。其中，电路芯片是IC卡的核心部分，一般采用0.35～08μm的CMOS或NMOS工艺制造的超大规模集成电路。芯片电路中，通常包括接口驱动、逻辑加密电控制、译码、存储器，甚至微处理器（CPU）等各种功能电路， 示意图如图3和图4所示，而芯片的体积控制在2mm×1mm×0.3mm以内。

芯片电路各输人、输出信号端口与外部读卡设备的连接是通过电极模片（一种精密的PCB印刷电路板）来完成。电极模片的外形长为9.62～13.65mm，宽为9.32～11.56mm。形状一般为矩形或椭圆形。模片外侧表面镀金，并形成6～8个电极，每个电极的中心位置和最小面积均有规定，但各电极表面分隔形状没有规定。

由集成芯片和电极模片封装而成的IC卡模块已经可以实现IC卡的基本功能，一般采用PVC、PET或ABS塑料等基片材料依照国际标准作为IC卡模式块的载体及保护膜，若采用不同的片基，则可以衍生出各种基于IC卡技术的应用系统和产品。

3.2 触点尺寸和位置

接触式IC卡（串行数据）有8个触点，其触点引脚顺

序必须严格按图4所示方法排。各触点表面积最小不得低于2mm×1.7mm，8个触点共占最小面积不小于宽9.62mm×高9.32mm， 两相邻触点最大间距为0.84mm，各触点功能见图5。

3.3 物理特性

符合国际标准的IC卡，主要由国际标准ISO7810～7816等定义，简述如下：

（l）尺寸：按ID-1型识别卡外形尺寸，即86.5mm×53.98mm×0.76mm。

（2）抗X射线：卡每边在一年累计受到0.1Gy的X射线照射时，卡片功能不会丧失。

（3）触点误差：所有触点与卡基表面高度差小于0.01mm。

（4）触点强度：以等效于在Φ1mm的钢球上施加1.5N力时片不会损坏。

（5）触点电阻：在两个短路的触点间，施加≤300mA直流电，其接触电阻应≤0.5Ω，在施加4MHz、10mA交流电时，其触点之间阻抗压降≤10mV。

（6）抗磁性：卡片在稳定的79500A/M磁场下， 不应使芯片丧失功能。

（7）抗静电：在卡的任何触点与地之间通过100pF电容和1500Ω电阻对1500V静电放电时，卡性能不应受到影响。

（8）热耗：芯片电路功耗应≤2.5W。任何环境条件下，卡表面温度不应超过50℃。

（9）抗弯曲、扭曲：在经过1000次标准弯曲和扭曲之后，卡片功能应正常，表面无皱起部分。

3.4 接触式IC卡检测项目

接触式IC卡的检测项目包括卡复位、卡尺寸、触点的表面轮廓、触点尺寸和位置、卡翘曲、温湿度条件下卡尺寸的稳定性和翘曲、弯曲韧性、动态弯曲应力、动态扭曲应力、触点电阻、电磁场、静电、耐化学性、紫外线、剥离强度、粘连或并块、机械强度、电特性。

4 IC卡应用过程中实施严格检测认证的根本原因

目前银行磁条卡在全球范围内广泛使用，从磁条卡到IC卡的迁移，不仅仅是产品简单的更新换代，更是一次银行卡技术革命。银行IC卡不但涉及银行卡及其受理终端的升级或换代，而且涉及发卡行、收单行和信息交换系统的升级改造，是一个庞大的系统工程。如何确保在IC卡迁移过程中严格执行统一的技术标准，是银行IC卡迁移能否顺利实施的关键。一个重要手段是通过全面严格的测试认证确保卡片、终端和系统等符合相关技术、业务标准要求，满足其技术、质量和安全需要。因此，在银行IC卡应用过程中对IC卡及其受理终端和系统实施严格的检测认证，主要是实现三个目的：一是IC卡及其受理终端的物理特性和电特性等符合技术规范要求，确保产品质量稳定可靠；二是应用功能满足技术规范的要求，确保银行卡IC卡互联互通、兼容通用；三是安全性能满足技术安全要求，确保银行IC卡的交易安全。

5 国际EMV卡及终端检测认证的经验

世界各国对银行卡产品的检测认证管理均非常严格，无论是购买银行卡产品的银行还是提供银行卡产品的企业均要严格执行统一的技术标准。而进入银行卡网络的产品是否符合统一的技术标准，是由独立于银行和企业以外的第三方对银行卡产品进行功能检测和安全评估等一系列检测认证，以保障银行卡产品安全可靠和兼容通用。目前由Visa、MasterCard 和JCB等国际组织联合开展的EMV产品检测认证最为成功，在全球的影响也最大。

EMV标准是三个银行卡国际组织共同制定的技术规范，EMVCO是这些国际组织为了管理、维护EMV规范和推广使用统一的芯片卡而成立的机构，目前有MasterCard，Visa，JCB和American Express 4 家成员组织，均分EMVCO的股权，共同对EMVCO进行运营管理，实施EMV认证、推动EMV迁移。EMV迁移的前提是国际银行卡组织会员银行发行和使用EMV卡及其受理终端机具必须符合统一的EMV标准。EMV产品提供商首先按照EMV标准设计、开发和生产产品，然后提交EMV 国际授权实验室根据EMV标准进行严格的检测。

法国电信、德国FORGA研究所开展的IC卡产品质量检测方面有比较丰厚的经验，他们对IC卡研制开发技术的发展趋势，IC卡检测仪器设备都有针对性的研究， 对国外IC卡产品应用情况有比较深入的了解。

法德两国在开展IC卡产品质量检验方面注重实效，IC卡产品检测内容一般按照以下的原则确定：①按有关标准规定检测全部内容；②按有关标准规定检测部分内容；③按照产品应用领域的特殊性，参考有关标准规定检测的内容对某些检测项目检测加严条件；④根据产品应用和新技术发展的需要，开展有关标准规定项目以外的检测内容。

6 接触式IC卡产品检测技术的发展趋势

在IC卡产品的质量检测方面，国外通常的做法是，企业只对产品的某些关键的项目进行检测，多数检测项目委托具有专业资格的检测中心进行，这样做可以充分利用现有资源，减少重复建设造成的浪费，达到降低成本的目的。

德国FORGA检验所就是一个具有承担IC卡产品质量检测能力的综合性检测机构， 它的经费来源为：政府资助三分之一、会员企业资助三分之一、自身收入三分之一，会员企业具有享受产品质量检测收费优惠和共享科技成果的权利，很多做法值得我们借鉴。

随着IC卡产品所使用的材料、微电子技术的进步，设计工艺和生产工艺的改进，有关IC卡的标准也随时在修订，有关IC卡检测的项目也在改变，一些对IC卡产品质量不再构成影响的检测项目不需要再进行，一些新的对IC卡产品质量影响较大的检测项目需要重新开展。因此，开展有关IC卡产品的质量检测需要不断跟踪国际新技术，开展新项目的研究，探索新的检测方法，建设实用的检测环境，添置必要的检测设备，发挥IC卡产品生产企业和专业质检中心的优势，充分利用各自的资源，是今后IC卡产品质量检测的总的发展趋势。

参考文献：

[1]IC卡的现状及发展趋势.信息技术研究院.

[2]集成电路卡及集成电路卡读写机产品生产许可证实施细则，2011.

[3]非接触式IC 卡特点描述，http：//smart.ne t/cn/2004/12-8/115925.him.

篇5

电子元器件是元件和器件的总称。电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。

20xx年1-5月，我国电子信息产业主要产品产量低速平稳增长。受结构调整影响，数码相机、打印机、半导体存储盘、半导体播放器(MP3、MP4)、CRT电视等产品产量连续4个月出现负增长。根据工信部提供的数据。

主要产品产量情况如下：

电子元器件产量增速较上年同期有较大幅度回落。1-5月，生产集成电路330.6亿块，增长30.5%，比2010年同期增速下降个百分点;半导体分立器件累计产量为1388.89亿只，同比增长15.36%，比2010年同期增速下降25.18个百分点。发光二极管(LED)303.9亿只，增长25.0%;液晶显示模组3.4亿套，增长23.2%。5月当月，全行业集成电路产量为69.75亿块，同比增长24.94%，比2010年同期增速回落29.77个百分点。5月当月，中国半导体分立器件产量为310.4亿只，同比增长5.84%，增幅比2010年同期增速下降24.11个百分点。

通信设备行业生产回升，效益下滑。截止到5月底，全行业共生产手机41791万台，增长15.8%;移动通信基站2884.4万信道，增长44.4%;程控交换机1194.8万线，增长23.0%。微型计算机11430万台，增长23.9%，其中笔记本电脑增长16.3%，占比达73.8%;

家用视听行业生产低速增长。1-5月生产数码相机3182万台，下降3.4%。彩色电视机4117万台，下降1.4%，其中液晶电视增长5.6%，占比达73.4%。

那么，电子元器件项目计划书格式具体该怎样呢，请看小编为您解析：

第一部分 总论

一、项目背景

二、项目概况

三、项目可行性与必要性分析

四、融资与财务说明

第二部分 项目单位介绍

一、项目投资方介绍

二、组织架构

三、人力资源配置

第三部分 行业与市场分析

一、市场环境分析

二、电子元器件市场消费发展

三、目标市场分析

四、市场分析小结

第四部分 项目建设规划

一、项目建设原则

二、项目规划及布局

第五部分 项目运营规划

一、经营原则

二、市场运营规划

第六部分 投资估算

一、投资估算范围

二、建设投资估算

三、资金筹措与投资回报

第七部分 财务分析与预测

一、基本假设

二、销售收入估算

三、成本费用估算

四、盈利能力分析

五、不确定性分析

六、财务评价结论

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近年来，印尼积极与各国展开知识产权领域的合作，希望借鉴先进国家的经验，提升印尼在国际上的影响力。如先后与欧洲专利局、日本专利局以及澳大利亚知识产权局等机构签订双边条约，与澳大利亚合作开展“与澳大利亚政府间有关技术合作的专门训练计划”(IASTP)，并积极参加世界知识产权组织(WIPO)、东南亚国家联盟(ASEAN)，亚太经济合作组织(APEC)等组织的知识产权论坛。

印度尼西亚知识产权管理机构概况

1、历史沿革

早在殖民地时期，印尼便已开始向公众提供知识产权方面的法律服务。1894年1月10日，隶属于印尼司法部、专门负责商标注册事务的部门――Hulpbu－reauVoor denInduslrieelenEigendom在巴达维亚(印尼首都雅加达的旧称)核准注册了印尼的第一件商标。随后，遵照有关法令的规定，司法部的职责范围延伸至工业所有权领域。

印尼独立后，根据1945年宪法的有关规定，该机构更名为工艺所有权署(Office of Craft Ownership)。1947年，工艺所有权署迁至苏腊卡尔塔(即梭罗)，同年10月，再次更名为工业所有权署(Office of Industry Ownership)。在印尼联邦共和国政府时期，工业所有权署迁至雅加达。根据1948年出台的政府条例第60条关于司法部的职权范围、组织架构、管理及任务与职责的规定，其下属的工业所有权署由商标注册部(Department ofTrademark Reg－istration)和新收入保护部(Department ofNew Incomes Protection[Octrooi]。)两个部门组成。

1964年，根据第4/4/4号司法部长令中有关司法部的职责与机构组成的规定(后由1965年6月27日颁布的第4/4/24号司法部长令做了进一步补充)，工业所有权署更名为专利方法局(Directorate of Patent Manner)，同时，增加了制定保护发明与创作的规章制度方面的职责。如此，基于司法部长令，印尼专利局当时不仅要处理商标与专利事务，同时还负责版权事务。1966年，内阁主席团颁布了关于部门的组织结构与工作分工的第75(/U/Kep/11/1966)号令，其有关内容规定，专利事务局由司法与宪法管理总局下属的专利局取代，下设商标注册司，专利司和版权司。

1969年，根据第39号总统令，印尼组建了司法总局。经过这次调整，司法与宪法管理总局正式分家，成立司法管理总局与法律恢复总局，专利局包括在法律恢复总局之中。此后，历经数次机构改革和调整，专利局于1975年改为专利与版权局，转属法律与宪法总局，下设管理部、商标分局，专利分局、版权分局、商法与工业分局、执照与公告登记分局等部门。

1988年，根据第32号总统令，专利与版权局从法律与宪法总局中独立出来，升格为版权，专利与商标总局，下设总局秘书处，版权局、专利局和商标局。随后，1998年第144号总统令，将版权、专利与商标总局更名为知识产权总局。与此同时，依照1999年第M.03.PR.07.10号司法部长令，对知识产权总局的组织机构也进行了扩大和重新命名，下设总局秘书处、版权、集成电路布图与工业产品设计局、商标与商业秘密局、专利局、合作与知识产权信息发展局等部门。

此后，知识产权管理机构的设置基本变化不大，只是稍有调整。目前，隶属于法律和人权事务部的印尼知识产权总局(DGIPR)负责管理所有与知识产权相关的审批和行政管理事务，下设总局秘书处、版权、工业品外观设计、集成电路布图设计与商业秘密局，专利局、商标局，合作与发展局、信息技术局等部门。

2、机构职能和发展目标

印尼知识产权总局的职能是实施知识产权制度，对创造活动(创造力)给予保护。奖励和重视，促进以技术和知识为基础的投资和经济成长，营造鼓励创新与发明的文化氛围。其目标为

建设支撑国家发展的、高效且具有国际竞争力的知识产权体系。

3、组织机构和人员状况

截至2008年4月，印尼知识产权总局的雇员总数为512人。其中，总局秘书处105人，专利局128人(其中审查员为75人)，版权，外观设计、集成电路布图设计和商业秘密局63人，商标局145人(其中审查员为48人)，合作与发展局35人，信息技术局36人。

印尼知识产权法律法规

印度尼西亚共和国是WIPO与WTO的成员国，也是《海牙协定》《保护工业产权巴黎公约》《保护文学和艺术作品伯尔尼公约》《专利合作条约》《商标法条约》《世界知识产权组织版权条约》和《世界知识产权组织表演和录音制品条约》等公约或条约的缔约方。依照这些国际组织或条约成员方必须承担的国际义务，同时，出于保持商业、技术，工业等急速发展的国内现状，印尼近年来对本国的知识产权法律、法规和政策进行了一系列的修改与完善。目前，印尼现行的知识产权相关法律法规主要包括

2001年《印度尼西亚共和国专利法》(N0.14)

2001年《印度尼西亚共和国商标法》(NO.15)

2002年《印度尼西亚共和国著作权法》(NO.19)

2000年《印度尼西亚共和国外观设计法》(NO.31)

2000年《印度尼西亚共和国集成电路布图设计法》(NO.32)

2000年《印度尼西亚共和国商业秘密法》(NO.30)

2000年《印度尼西亚共和国植物品种法》(NO.29)

1995年《印度尼西亚共和国反不正当竞争法》(NO.15)

1、《印度尼西亚共和国专利法》

现行的印尼专利法为2001年颁布的第14号法律。其中，规定专利申请应自申请之日起1 8个月内公开，公开时间为6个月，申请人提出审查请求之后36个月之内结案，不服驳回的可在3个月内提出复审请求。印尼专利法要求发明人在印尼实施新产品生产后方能申请专利。专利的保护期限为自申请日起20年，小专利(印尼无实用新型专利)的保护期限为自申请日起10年，两种专利均不得续展。现行专利法规定，涉及以下内容的发明不得授予专利权①违反法律法规、宗教道德、公共秩序和伦理，②人和/或动物的检查治疗、治疗方法，③科学和数学理论、方法以及除微生物外的活体生

物，④动植物培育过程中不可或缺的生物方法。

此外，印尼专利法还规定，在规定期限内不缴纳专利费用的取消专利资格。有关专利的诉讼案件必须在案件提交之后的1 80个工作日之内结案。侵犯他人专利权者最高可处4年监禁和/或5亿印尼盾的罚金。侵犯小专利者则最高可处2年刑期及/或2.5亿印尼盾的罚金。

2、《印度尼西亚共和国商标法》

印尼现行的商标法规定，商标应为由图画、名称、单词、文字、数字、颜色组成或合成的标记，徽章。印尼规定非印尼语的商标必须同时提交印尼语的读音。商标申请提出之后的第14日起至6个月为公示期，期间任何人均可提出异议。公示结束后9个月内结束实审。对不授权决定不服者可在3个月内提出复审请求。印尼赋予商标的保护期限为自申请日起10年，期满可以续展。印尼商标法对原产地名称给予保护。此外还规定，注册后的商标如不使用的时间达到3年，将取消其商标的注册资格。

印尼商标法就商标侵权及其处罚做了详细规定，如在相同产品、服务或制造领域使用与某注册商标整体类似或与某注册商标的构成要素部分类似的标志，最高可对侵权人处以5年监禁及/或10亿印尼盾的罚金，在同类注册商品上使用与他人地理标志实质类似的商标可处以最高4年及/或8亿印尼盾罚金，使用可能欺骗或误导公众相关商品或服务来源的原产地名称标记者可处以最高4年的监禁及/或最高8亿印尼盾。

3、《印度尼西亚共和国著作权法》

印尼现行的著作权法是2002年通过的第19号法，于2003年6月29日开始生效。该法与旧法最大的不同之处，在于将“数据库”这一新兴事物涵盖于版权保护范围之内，从新法实施之日起，数据库在印尼可以依照版权法的规定受到法律保护。印尼著作权法对数据库的定义为

以任意形式编辑、任何可以由机器或计算机读取、但必须是经由智力创造行为加以选择与整理的数据形式。数据库必须具备独创性或创造性。这意味着仅仅是将大量的数据集中在一起并不能受到法律保护。

此次的新法未将间接侵权、网络侵权和平行进口等版权保护领域的重要事项列入。这意味着在印尼，不会追究间接侵权和网络侵权者的责任。另外，可以认为平行进口在印尼是合法行为。

印尼法律规定，非法复制或发行著作权产品者的最低监禁期为1个月，最长则为7年，罚金最低限为100万印尼盾，上限为50亿印尼盾。此外，非法传播、展览侵权产品者的处罚为最高5年的监禁及/或5亿印尼盾的罚金。

4、《印度尼西亚共和国外观设计法》

印尼现行的外观设计法签署于2000年12月20日。一般认为，印尼的外观设计法非常简单并且存在很大程度的不公平。在印尼，外观设计专利的门槛相当低，一个产品只要在公开期内无异议提出，则无需经过实审即可获得专利权。假如出现异议，只需将新产品与异议产品对照，或由申请人提出新的产品，即可授予专利权。外观设计的保护期为10年。

另一方面，印尼给予申请撤销某个外观设计的专利资格的期限是全世界最长的。印尼外观设计法规定，撤销外观设计专利权的申请应由申请人向商业法庭提出诉讼，商业法庭必须在120天之内做出判决。如果对商业法庭的判决不服，可向最高法院提出上诉，最高法院则必须在90天之内做出最终判决。这意味着在印尼撤销一项外观设计专利权的时间最长可达210天。

侵犯外观设计者的刑罚为最长4年的监禁及/或3亿印尼盾的罚金。

5、《印度尼西亚共和国集成电路布图设计法》

印尼的集成电路布图设计法于2000年生效，该法规定，布图设计必须具备独创性，且必须是设计人(或小组)自己的智力成果。布图必须具备能动性、电路中每一部分必须与总体相连以及设计目的明确等要素，且在设计当时和在布图设计人或集成电路制造商群体中不具有普通性。布图设计不得违反现行法律、公共秩序与公共道德。该法规定，如果布图设计已经用于商业目的，提出申请之日不得晚于最初实施之后的两年。印尼对集成电路布图设计采取登记制，保护期限为10年。该法同时规定，如果是出于调查、研究、教育等非商业目的。在不侵犯专利权人权益的前提下，他人可以使用该布图设计。当出现布图设计权利被撤销的情况时，若所有权人与他人签署了实施授权协定，被授权者有权继续自己的实施行为，直至双方协定中所约定的期限到期。集成电路布图设计权可通过继承、赠送、遗言、书面契约或其他不违反法律规定的行为获得。侵害他人集成电路布图设计权利者最高可判处3年监禁及/或3亿印尼盾的罚金。

6、《印度尼西亚共和国商业秘密法》

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第一章：自我认知

做好一份职业生涯规划首先要对自己有一个充分的认识和了解。所谓“知己知彼，百战不殆”，只有自己才是最了解自己的，最对自己有发言权的人，谋定而后动，才能更好的做好每一件事。下面我分别通过人才评估测试结果、亲朋好友的评价及自我的认识从三个方面分别阐述说明。

职业兴趣类型：

类型名称得分类型解释

现实型9分感觉迟钝、不讲究、谦逊、踏实稳重、诚实可靠。

常规型8分有责任心、依赖性强、高效率、稳重踏实、细致、有耐心。

企业型7分善辩、精力旺盛、独断、乐观自信、好交际、有支配愿望。

社会型7分为人友好、热情活跃、善解人意、外向直接、且乐于助人。

探索型5分坚持性强、有韧性、喜欢钻研、为人好奇、独立性强。

艺术型3分有创造性、非传统的、敏感、易情绪化、较冲动、不服从指挥。

职业兴趣类型结构为：

职业倾向：

喜欢使用工具机器，需要基本操作技能的工作。要求具备机械方面才能、体力或从事与物件机器、工具、运动器材、植物、动物相关的职业有兴趣，并具备相应能力。如技术性职业（计算机硬件人员、摄影师、制图员、机械装配工），技能性职业（木匠、厨师、技工、修理工、农民、一般劳动）。

性格与职业特征：

1. 做事手脚灵活，动作敏捷，具有较强的动手能力。

2. 喜欢户外活动与使用工具。通常喜欢与机械和工具打交道，而不愿与人打交道。

3. 在自我表达和向他人表达情感方面稍感困难，不擅长与人交际，思想较保守。

职业价值观评测：

我的职业价值观评测报告结果显示我的主导职业为生活型、辅导职业为自主、独立型。

职业与性格评测：

我的性格维度：

最佳表现

我喜欢组织人和事，然后和别人一起去准确而准时地完成任务。我尽责和忠心，即使是小事也会有始有终， 而我希望别人也一样。我注重安全感和稳定性，善于社交并且外向，我喜欢庆典和传统，并且把个人的关心带到工作和家庭里。我希望别人欣赏您和您为别人所付出的一切。

性格特征

我是热情、有同情心和乐 于助人的；风度不凡、合作和有技巧的。讲求实际、注重现实和脚踏实地的；当机立断、做事彻底、始终如一的。我能够敏锐地察觉到您周围的人的需要，善于提供实际的关怀。

性格认定：

我是一个能够吃苦耐劳，倾外型，热情开朗，充满自信，积极，乐观，喜欢交朋友，拥有冷静沉着的头脑，处事理性；为人诚恳正直，责任心强；比较踏实，能吃苦耐劳，对认定的目标有绝对热情的一个人。

亲朋好友的评价：

做事计划得当、准备充分、敢想敢做、有创新精神，有拼劲、适应环境和再学习的能力较强，为人诚恳正直，责任心强；踏实。

小结：

“知己知彼方能百战不殆”。 以上角度的分析还是有很多重合点的，从上述结论中可以看出，我是一个从小有确定志向，性格外向，容易交流，比较踏实的一个人当机立断、做事彻底、始终如一的。

第二章：职场测评

家庭背景：

我是来自农村的一名的大学生，父亲和母亲都是农民，家庭经济也比较困难，也成就了我脚踏实地、不怕吃苦的性格。

由于来自农村，父母都是农村人，当前他们为我的学业奔波劳累，用辛苦挣来的钱供养我上学，可是他们不是有工资收入的人，就谈不上所谓的养老问题，等他们年老的时候就需要我去赡养，这是我义不容辞的责任。能够赡养父母是我的心愿，所以自己有个稳定的收入就变得非常重要了，有个稳定的工作有个固定的工作单位，不需要像其他工作那样奔波，没有固定的场所。这对于我来说是很重要的。

学校环境分析：

福建农林大学金山学院是经教育部批准成立的全日制本科层次独立学院。学院坐落于风景秀丽的乌龙江畔，与福建农林大学毗邻而居，占地720亩，建筑面积21万平方米。地理位置得天独厚，校园风光优美，教学设施齐全，学生宿舍条件优越。学生不仅可以共享福建农林大学优美清幽的绿色校园，而且耳濡目染的是拥有70多年历史老校严谨求实的校风。

学院依托福建农林大学的优质教育资源办学，秉承面向市场和社会需求的开放办学理念，根据现代科学技术发展趋势和社会发展需求设置专业，现有6个系，27个专业，涵盖理、工、农、经、管、文6大学科门类。

办学四年来，学院始终坚持社会主义办学方向，全面贯彻党的教育方针，在学院董事会的领导下，全院教职员工开拓创新、扎实工作，办学规模、结构、质量协调发展，取得了显著成就。学院现有在校生7000多人，首届毕业生初次就业率达91.38%，社会各界对学院的认可度不断提高。

专业知识分析：

电子科学与技术是培养掌握电子科学与技术的基本理论和基本知识，具备较强的本专业领域的实验能力、计算机应用能力和工程实践能力，具有一定的科学研究、创新、开发和工程应用能力的高级专门人才

主要课程：数字电子技术、高频电子线路、信号处理理论、嵌入式系统原理与设计、数字信号处理、光电子学原理与应用、电力电子功率器件与技术、信息显示技术、光伏发电原理与应用、传感器原理及应用、通讯原理与技术、可编程逻辑器件应用等。

毕业生适宜在光电通信技术、传感技术、光伏发电技术、信息电子等领域内从事各种电子信息材料、信息技术、集成电路及集成电子系统和光电子系统的设计、制造和相应新产品、新技术、新工艺的研究、开发等方面工作。

据介绍，在我国城镇登记失业人员中，35岁以下的青年人比例为70%。20世纪80年代出生的接受高等教育的青年，以每年300万至400万的规模进入就业市场。根据各级学校招生人数的统计预测，2008年以后，高中以上学历的劳动力开始成为劳动力市场的主体。到2011年，大学层次毕业生数量将达到峰值，约758万人，未来相当长的时间内大学生就业压力不会减弱

“08年经济危机噬虐之时，我的大学之路走到了尽头。大学不再是躲避求职的港湾，那一年毕业即代表了失业。”

济某高校的小马回忆说。

“09年大学毕业，经济危机余波意犹未尽，正巧我保送了本校的研究生，可以躲避一下严峻的就业形势，等待三年后再寻找就业机会。”

北京某高校小苏平静地说

“10年经济形势有了很大的转变，招聘单位增加了许多，这一年找工作我有信心。”

四川某高校小孙说

教育部部长袁贵仁在2010年全国普通高校毕业生就业工作视频会议上直言：国际金融危机对我国就业的不利影响还没有消除，如果说09年是经济最困难的一年，10年可能是最复杂的一年，整个宏观层面就业形势就很严峻。那么，10年的毕业生人数630万，再加上往届没有实现就业的，需要就业的毕业生数量有可能达到700万之多。

电子科学与技术-现状与趋势

1.微电子技术相关行业的现状与发展趋势微电子技术相关行业主要是集成电路行业和半导体制造行业，它们既是技术密集型产业，又是投资密集型产业，是电子工业中的重工业。与集成电路应用相关的主要行业有：计算机及其外设、家用电器 、通信器材、工业自动化设备

（1）国内概况

中国内地，集成电路起步于1965年。但在之后30年间发展缓慢，与世界发达国家和地区的差距愈拉愈远。到了“九五”计划期间，国家加大投资，才拉开了新世纪中国内地加速发展微电子产业的序幕。通过启动“909工程”，成功建成25条芯片制造线。中国集成电路市场持续快速增长。2003年中国集成电路产量为96.3亿块，产值达到1470亿元，比2002年增长22.5%。巨大的市场吸引国际知名集成电路企业纷纷来华投资。

（3）发展趋势

1975年摩尔提出了关于集成电路集成度发展的“摩尔定律”，这个定律说，集成度（即电路芯片的电子器件数）每18个月翻一番，而价格保持不变甚至下降。几十年的发展状况基本上符合了这个定律。由此可见这一领域发展速度之快，竞争之激烈。

2.光电子技术相关行业的现状与发展趋势

电子行业的五大类产业格局：光电子材料 （光电子材料）与元件产业、光信息（资讯）产业、传统光学 （光学器材）产业、光通信产业、激光器（能量）产业。

（1）国内概况

近20多年来，随着中国大陆的改革开放，使中国内地的激光、光电子科学事业的发展立足创新、面向市场，取得了前所未有的进步。 “863计划”七大领域中有激光技术和光电子技术（包括用于信息领域的激光技术），1995年又增列了“惯性约束聚变”（高功率激光及激光核聚变）项目。国防预研光电技术作为跨部门项目正式立项。国家“六五”和“七五”攻关计划，激光、光电子技术被列为重大项目。

（2）发展趋势

光电子产业是21世纪的支柱产业之一。国家发展委员会从2002年开始组织实施光电子产业化专项，拟分3年实施。光电子专项产业化目标是：①根据中国在光电子研究开发方面所具有的技术优势和资源特点，重点支持一批技术水平高、市场前景好的光电子产品

电子科学与技术-社会需求

根据前面对国内外电子科学与技术行业的现状和发展趋势分析，美国、西欧、日本、韩国、台湾地区的电子科学与技术产业已经步入上升轨道。中国随着市场开放和外资的不断涌入，电子科学与技术产业开始焕发活力。中国“十一五”规划的建议书将信息产业列入重点扶植产业之一，中国军事和航天事业的蓬勃发展也必然带动电子科学与技术行业的发展和内需。中国电子科学与技术产业将有一个明显的发展空间，高科技含量的自主研发的产品将进入市场，形成自主研发和来料加工共存的局面；中国大、中、小企业的分布和产品结构趋于合理，出口产品将稳步增加；高技术含量产品将向民用化发展，必然促进产品的内需和产量。随着社会需求会逐步扩大，电子科学与技术专业总体就业前景看好。

第三章：职业定位

我的优势（strength）及其使用自身因素（内）外界因素（外）能够与人良好地沟通，建立较好的人际关系； 责任心强。

1、拥有扎实的专业知识 2、人生态度乐观积极，充满自信 3、责任心强，为人诚恳正直 4、拥有冷静沉着的头脑，处事 5、理性热情开朗，能较好地与人沟通1、行业发展迅速，人员需求大 2、福建是发展海西的重点省份 3、校方与企业有调研、合作关系 4学校的师资力量雄厚、注重学生的全面发展

我的弱势（weakness）及其弥补1、专业相关的社会经验不足 2、没有工作经验，为人处事并不是太成熟。 3、英语比较差，尤其是口语发达能力比较差。1、 行业的就业压力还是很大的 2、 技术人员的竞争力很大积极参加社会活动，多积累社会经验； 花更多的时间学习英语，提高英语水平。

我的机会（opportunity）及其利用1担任学生干部，更易被企业看中 2我们不断进行各种实习与深造，锻炼（认识实习，生产实习，各种大学生职业规划大赛等）。1、学校、学院内有资深的就业指导老师做指导 2、就业灵活抓住机会，利用机会； 机遇是给有准备的人的，我们必须做好一切准备，迎接机遇的到来。

我面临的威胁（threat）及其制约1、人才多，竞争大人际关系网络薄弱 2、技术类的要求不断的更新知识 ，各类人才太多，特别是名牌大学的学生理论知识深厚。1、 现在缺乏个人核心竞争力 2、 没有更多的实践机会拥有更多的人际关系； 提高自身的综合素质； 提高自己的知识面。

第四章：目标实施

高级工程师

高级技师

技术员

完成学业

职业生涯规划设计：

在自我认知和职业认知的基础上，根据职业需要及SWOT分析，制定具体规划，缩小与目标职位的差距，从而解决人职之间的矛盾。确定自己的内部发展。围绕可能的职业发展道路，我对未来十年作初步规划如下：

1、在校期间（ 近期职业目标）：这是学业成就期，要充分利用校园环境及其条件优势，认真学好专业知识，培养学习、工作、生活能力，积极参加实践活动，珍惜实习机会，全面提高个人的综合素质，并做好就业的准备。

2、毕业3-4年（职业适应期）：从校园到社会，从学习到工作，这是一个过渡期，在这三四年的时间里，要经过不断的尝试和努力，初步找到适合自己发展的工作环境、岗位。并为自己进一步的提升打下良好的基础。

3、毕业9-10年（职业奋斗期）：这一时期将是自己职业生涯奋斗的黄金时期，全身心地投入到工作中，只为自己的目标--高级计师、高级工程师而奋斗。

短期目标：完成大学的学习，毕业后成功就业

时间：**至**年

主线： 学习专业知识，提高自身综合素质

大学四年阶段规划

1、大学一、二年级（试探期）：

进入大学后通过学校组织参、工厂企业、专业知识讲座，接触社会人，通过了解毕业了的师兄师姐的工作等途径初步了解职业。并通过参加各种培训班、选修课等形式的学习提高自己的文化修养；通过参加各种社团活动和学生会活动来提高自己的人际沟通能力、扩大人际关系网、增加自己的信息来源；通过组织各种活动提高自己的组织策划能力；通过做学生干部多与老师、领导接触扩充自己的知名度。

2、大学二年级（ 定向期）：

加强专业知识的学习，对个别领域（涂料）深入地进行了解、认识。了解企业的用人要求，并通过各种途径提高自己的能力条件，为自己的就业增加砝码。从事兼职、社会实践活动，在课余时间里从事于自己专业有关的专业类工作，和专业性的知识技能比赛等，检验自己的知识技能；同时注意提高自身的基本素质和职业素质，提高自己的责任感、主动性和受挫能力。

3、大学三年（实践期）：

由于我的专业--电子科学技术专业是。第四年下学期，就到工厂企业里进行实习。所以这一年要充分提高自己的操作技能，积累经验，锻炼自己独立在实际生产过程中解决问题的能力和创造性；在平时，学习写简历、求职信，了解搜集工作信息，尝试和企业单位联系，开始毕业前工作的申请，积极参加招聘活动，在实践中检验自己的积累和准备；积极利用学校提供的条件，了解就业指导中心的用人公司资料信息、强化求职技巧，为毕业前找到工作做好准备。

因为长远计划有很多不确定性，所以我更注重短期计划！

①、这个时期就可以做一些发挥自己潜能和特长的工作，毕竟在初期已经积累了部分经验，应该到“用武”的时候了。我本身学的是电子科学技术专业，我会在光电研发和生产的公司就业。这样可以把自己的才能发挥出来了，所谓养兵千日，用在一时。此时如果不抓住机会，以后再想抓住就难了。

②、婚姻家庭：准备成家，做好一切准备心里。如果没有一个幸福的小家就很难在一个社会大家庭中立足，俗话说，“一个成功的男人背后总有一个女人的支持”。这个时期是非常重要的承上启下的过渡时期。

一个车间中有很多名技术员，但要从技术员提升到车间主管是比较少的机会的，那么要成功地从一名技术员提升到车间主管就必须付出比别人更多的努力。虽然这一计划比较长远，有比较多的不可预测因素，但我还是会根据我的目标一步一步前进的

第五章 评估调整篇

1、职业目标评估

我会时刻关注我们电子这行，以及光电，微电子，通信方面，编程等方面，这些跟我专业相关的行业，以便更好的重新选择职业。

2、职业路径评估

依据国家法律法规，以及各项政策，时展方向，适时调整自己的发展方向。

3、实施策略评估

根据自己的能力及要求，采取有效可行的策略，达到想要的那种效果

4、其它因素评估

根据自身身体、家庭、经济以及社会状况，和一些机遇、意外等特殊情况来适时调整变更。

我每一年审查计划完成情况，当出现特殊情况我会适时调整，做的更好。

以服务人民，与时俱进，开拓创新，实事求是，积极进取的原则适时调整适合自己的职业以及调整制定切实可行，易掌握的规划。

总结

职业规划是做好了，但离人生目标还是很远，更重要的是我们要付之与行动，并且取得成功，达到我们最终的目的。然而现实是变幻莫测的，事事都难以预料，我们必须做好心理准备，在遇到突发因素、不良影响时，要注意保持清醒冷静的头脑，不仅要及时面对、分析所遇问题，更应快速果断的拿出应对方案，对所发生的事情，能挽救的尽量挽救，不能挽救的要积极采取措施，争取做出最好矫正。只有这样我们才能更好的去面对人生。

篇8

【关键词】西牛头电站；运行状况；技术改造

1、西牛头电站概况

西牛头电站位于广西岑溪市义昌江河段，是坝后式水电站，距市中心3KM，建于1993年。采用贯流式水轮机，装机容量为3×320KW，设计水头为4m，设计流量3×10.5m3/s，年平均发电量427.5万度，年利用小时数4451小时。水库库容68.2万m3，集雨面积1153平方公里。

2、承担的任务

西牛头电站的首要任务是防洪。由于电站位于市区，肩负着全市人民生命和财产的安全，发挥着不可估量的社会效益。所以，洪水期间，必须保持排洪畅通，确保安全度汛。

西牛头电站的另一个任务是发电。由于电站是企业，自负盈亏，现有职工几十人，必须发挥经济效益，确保安全生产。

3、机组设备运行状况

机组设备阵旧落后，有功出力不足；励磁老化，无功不稳定，经常失控。

（1）正常情况下，#1发电机组单机并网运行时最大出力为280KW，三台机同时并网运行时，最大出力为200KW；#2发电机组单机并网运行时最大出力为300KW，三台机同时并网运行时，最大出力为220KW；#3发电机组单机并网运行时最大出力为300KW；三台机同时并网运行时，最大出力为230KW，远远小于设计装机容量。

（2）2012年12月18日，#1发电机组单机带250KW负荷并网运行，突然间受到冲击，所有表计激烈震荡，断路器跳闸，却没有自动灭磁。手动灭磁后经检查正常，重新并网运行，然而当无功加到100KVA时，励磁失调，开始以为是励磁调节电位器失灵，但更换电位器后仍然是这种现象，检查励磁也没发现损坏元件，只是发现整流和脉冲集成电路板的连线和接点有些许松动，经焊接加固后，这种现象也没消除，仍有时会励磁失调。

（3）2014年1月5日，正常操作开启#2机组，起励建压，并网运行，当有功加到100KW时，有功表读数不再上升，调整无功功率，无功表读数为60时，功率因数为0.9，励磁电流150A，接近额定电流，增大导水叶开度以增加有功负荷，此时有功表读数仍为100不变，但机端电流增大，励磁电流过流，无功无法调整。初步判断为励磁问题，便对励磁系统进行全面检查，快速熔断器、可控硅、续流二极管均完好无损，主控回路没问题，于是又对整流和脉冲回路进行详细的检查，从整流变压器、脉冲变压器到二极管、三极管、稳压管、电阻、电容等一一进行检测，整流电压、脉冲电压正常，均未发现异常，百思不得其解，至今仍未彻底解决这一问题。

（4）2014年2月27日，开#3机组，起励时无法建压，电压起但不能稳定，励磁失控。经检查发现，整流回路有一稳压管烧坏，更换后重新起励，但仍无法建压。再次检查，发现C相整流变压器S4端出线点松脱，形成虚焊，造成缺相，励磁调节电位器也有一根线脱落，重新焊接后起励，建压成功，运行正常。

4、大坝金属结构运行状况

（1）液压闸门

由于义昌江市区河段杂物多，污染严重，闸门面板严重锈蚀，部分已穿孔漏水；导轨、导向轮、定位轮、止水胶等变形，闸门重量变轻，关闭不严，漏水严重。另一方面，液压系统也存在许多问题，液压杆伸缩不平衡，常导致闸门上下不平衡；液压油封容易老化、变形和断裂，经常漏油，严重时无法开启闸门。2010年6月15日，正值主汛期，7#泄洪闸在提升过程中，突然油管破裂，油喷射而出，“轰”的一声巨响，闸门掉下来，非常危险，严重影响泄洪，幸好其它闸门能正常运行，未造成重大损失。

（2）前池拦污栅

拦污栅锈蚀严重，2009年6月，#1、#2、#3拦污栅主梁已严重弯曲变形，经加固后使用至今，洪水期间，若杂物多，压力大，随时可能损坏，杂物越过拦污栅，进入转轮，机组无法正常运行，影响安全生产。

5、原因及危害分析

（1）机组出力不足有多方原因，主要决定于水轮机的流量、水头和机组的效率，而机组的效率设备出厂后已基本确定。作为水电站应从流量、水头的因素进行综合考虑，其中流量的损失产要是闸门的漏水。前池泥沙淤积严重，库容越来越小，流量和水头也在漫漫的减小；尾水和下游受阻，排水不畅，也是影响出力的另一个因素。

（2）励磁失控的原因，就目前三台机组的励磁系统来分析，主要是设备阵旧落后，集成电路老化，电子元件功能不全等引起。机组的励磁方式采用自并励，励磁调节采用手动调节，当需要调整时根据机组出力进行调整。机组运行至今已有二十年，电子元件的经济寿命也就差不多，集成电路已经老化，励磁调节很难达到理想的效果。

（3）液压闸门的不安全因素严重影响防洪度汛的安全，威胁着全市人民生命和财产的安全，必须消除隐患。

（4）拦污栅的不安全直接影响机组运行，影响安全生产，影响经济效益，必须消除隐患。

6、技术改造的设想

西牛头电站的机组设备和金属结构已极度劣化，到了全面更新改造的时候。电站装机容量虽然小，经济效益有限，但西牛头电站位于市区，首要任务是防洪，肩负着全市人民生命和财产的安全，装饰着市容市貌，发挥着不可估量的社会效益，希望上级有关部门引起重视，现就本人的观点提出如下几点设想，仅供参考：

（1）合理选择机型：根据流量和水头，周密设计，合理配套机组，合理利用水资源，充分发挥水轮机、发电机的效能。若机型选择欠佳，机组长期不能在设计工况下运行，不但影响机组的出力，还影响机组的寿命。

（2）更新励磁系统，采用自动调节，实行运行操作自动化：采用先进的电子技术进行自动化控制，运行参数变化时，做到安全、可靠；在出现异常的情况下，能够自动跳闸和关闭机组。励磁能自动按有功、无功的分配，自动调节发电机的定子电流，以满足系统无功负荷的需要。这样可以减少故障，减少维修，增加发电量，从而提高经济效益。

（3）更新改造闸门，将液压启闭机改为卷扬式启闭机，以提高安全性，确保安全度汛。

（4）更新改造前池拦污栅，确保安全生产。

7、结束语

电站作为一个企业，要生存发展，必须科学管理，发展科学技术，结合实际情况，适时更新改造阵旧落后的设备，从根本上消除不安全因素，为企业增添生机与活力。

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关键词：创新主体 需求 发明专利 审查模式

中图分类号：G306 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2013）04（c）-0220-02

科学技术创新能力是衡量企业、产业乃至国家核心竞争力最重要的标准之一。如何提高科学技术创新能力，将科技优势转化为经济竞争优势已经成为各国关注的焦点。我国政府高度重视，在《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020）》中指出了“自主创新，重点跨越，支撑发展，引领未来”的科技工作的指导方针。我国创新主体迫切需求是什么？我国现有的专利审查模式是否能够满足创新主体的迫切需求？带着这些疑问，我们开始本次专利审查需求的调研。选择国家科技重大专项部分课题承担单位作为调查对象，设计调查问卷，就专利申请和审查相关的问题进行了需求调研，最后对调研结果进行详细分析，找出专利审查工作中急需解决的问题，得出调研结果初步结论，并给出建议。

1 调研情况概况

1.1 调研对象

02国家重大专项课题（简称02专项）是极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项。集成电路产业是高新技术最高端、最密集的行业之一。“十一五”时期，集成电路装备专项各单位已累计申请专利4248件，研发成果实现销售总额已超过100亿元，带动相关产业增长近千亿元。由此可见，02专项的课题承担单位对知识产权的认知度较高，运用知识产权的能力较强，具有一定的代表性。

04国家重大专项课题（简称04专项）是高档数控机床与基础制造装备专项，该专项是对我国科技发展具有重大决定性作用的传统重点技术领域，具有一定的代表性。

因此，选择02专项、04专项课题部分承担单位作为调研对象。

1.2 调研问卷设计

首先对02和04专项的部分课题承担单位的发明专利申请和审批情况进行统计和分析。其中包括02专项09年立项涉及的74家重大专项课题承担单位中的前20家、04专项09年立项涉及的194家重大专项课题承担单位中的前20家。分别对上述各单位的专利申请情况进行了详细的检索查询和记录，记录要点包括：申请号、申请日、申请人、发明人、公开日、第一次审查意见通知书发文日、通知书总次数、结案日、是否申请加快审查、结案状态为驳回还是授权、驳回原因、是否提出复审请求、复审结论等。

通过对上述重大专项课题承担单位的专利申请状态的记录和分析，初步了解了各单位的专利申请量、授权率、被驳回申请的驳回原因等基本情况，大致分析了该单位在发明专利申请审查流程中的焦点问题和突出需求，为设计调研问卷提供了一定的依据和参考。

问卷共分五部分，所涉及的方面具体如下：

第一部分：一般性问题。

第二部分：专利申请情况。

第三部分：审查速度和流程。

第四部分：实质审查标准。

第五部分：其他内容。涉及前四部分未涵盖的内容。

1.3 调研结果分析

调研问卷通过02专项办公室和04专项办公室协助发放，共返回调研问卷约130份。部分题目统计结果详见表1。

2 结论

2.1 申请人专利意识提升，但综合能力还需增强

创新主体对于专利申请的重视程度不断增加，知识产权保护意识不断提升，但目前来看，综合实力仍然不强，拥有专利数量不多，海外申请数量更少，这样的状态势必会影响整体专利布局和自主核心技术的竞争力。因此，如何通过创新主体和专利行政部门的共同努力，迅速有效地增强专利申请、保护等各层面的综合能力，是未来开展工作的重点。

2.2 专利指导及其他专利服务的需求较大

调研结果显示，专利申请的质量和核心技术的专利布局已经引起了创新主体的高度重视，但具体如何提高专利申请的质量以及合理进行专利布局还需要专业指导。在申请的准备方面，申请人在申请前大多会进行技术内容的查新工作，但相对较少关注申请文件的撰写和专利法的相关规定。其次现有技术的查新渠道主要通过互联网开放数据库和机构进行检索，但上述两种渠道所能够查阅的数据库有限，某种程度上会影响检索范围的全面和检索结果的准确性。另外，目前申请人专利申请的撰写和答复主要是通过专利公司，仅有不足1/3的单位设置了专门的知识产权部门，部门人员的资质较低，专利申请和管理的系统性和专业程度不高。再有，在申请及审查过程中的困难调查中，申请人对相关专利或专利申请的法律状态及审查信息的获取表示出较迫切的需求。

3 建议

近几年我国发明专利申请量激增，而现行的加快审查、优先审查等专利审查模式严格、单一、周期长，尤其不能满足国家科技重大专项对专利审批的需求。创新审查模式势在必行，在创新审查模式时，可遵循以下几点：

（1）大胆借鉴国外几大局的实践经验[1～3]。借鉴国外加快审查、优先审查、巡回审查、集中审查、延迟审查等特殊审查模式的具体作法，并结合我国具体国情和实际需求，创新审查模式。

（2）对国家科技和经济发展具有重大意义的产业或行业，例如国家科技重大专项，设立专门的特殊审查模式，以快速提高国家科技核心竞争力。

（3）在创新审查模式时，尤其注意审查员和申请人的有效沟通，如审查意见前、后的电话沟通和Email沟通，充分给予申请人意见陈述的机会等。

（4）在创新审查模式时，尤其注意保证审查质量，如审查标准一致、公知常识认定合理、创造性和超范围标准合理等。

参考文献

[1] 李丽娜.美国专利商标局拟建立三种专利审查途径[J].中国发明与专利，2010（7）：105.

篇10

关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体

1半导体材料的战略地位

上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。

2几种主要半导体材料的发展现状与趋势

2.1硅材料

从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si发展的总趋势。目前直径为8英寸（200mm）的Si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（IC‘s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm，0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm，0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。

从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，SOI材料，包括智能剥离（Smartcut）和SIMOX材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。

理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料（如用Si3N4等来替代SiO2），低K介电互连材料，用Cu代替Al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。

2.2GaAs和InP单晶材料

GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。

目前，世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（VGF）和水平（HB）方法生长的2－3英寸的导电GaAs衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4，6和8英寸）的SI－GaAs发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的SI－GaAs集成电路生产线。InP具有比GaAs更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。

GaAs和InP单晶的发展趋势是：

（1）。增大晶体直径，目前4英寸的SI－GaAs已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI－GaAs也将投入工业应用。

（2）。提高材料的电学和光学微区均匀性。

（3）。降低单晶的缺陷密度，特别是位错。

（4）。GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。

2.3半导体超晶格、量子阱材料

半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（MBE，MOCVD）的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。

（1）Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。

GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管（HEMT），赝配高电子迁移率晶体管（P－HEMT）器件最好水平已达fmax=600GHz，输出功率58mW，功率增益6.4db；双异质结双极晶体管（HBT）的最高频率fmax也已高达500GHz，HEMT逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前，研制高质量的1.5μm分布反馈（DFB）激光器和电吸收（EA）调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了80×40Gbps传输40km的实验。另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。

虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件，但由于其有源区极薄（～0.01μm）端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。我国早在1999年，就研制成功980nmInGaAs带间量子级联激光器，输出功率达5W以上；2000年初，法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。最近，我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。

为克服PN结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。自从1994年InGaAs／InAIAs／InP量子级联激光器（QCLs）发明以来，Bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，QCLs在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。2001年瑞士Neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1μm的QCLs的工作温度高达312K，连续输出功率3mW.量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段（3－87μm），并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120K5μm和250K8μm的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功3.7μm室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。

目前，Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的MBE和M0CVD设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸。英国卡迪夫的MOCVD中心，法国的PicogigaMBE基地，美国的QED公司，Motorola公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有这种外延材料出售。生产型MBE和MOCVD设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。

（2）硅基应变异质结构材料。

硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究，但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料（纳米Si／SiO2），硅基SiGeC体系的Si1－yCy/Si1－xGex低维结构，Ge／Si量子点和量子点超晶格材料，Si／SiC量子点材料，GaN／BP／Si以及GaN／Si材料。最近，在GaN／Si上成功地研制出LED发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道，使人们看到了一线希望。

另一方面，GeSi／Si应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。Si/GeSiMODFET和MOSFET的最高截止频率已达200GHz，HBT最高振荡频率为160GHz，噪音在10GHz下为0.9db，其性能可与GaAs器件相媲美。

尽管GaAs／Si和InP／Si是实现光电子集成理想的材料体系，但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效，防碍着它的使用化。最近，Motolora等公司宣称，他们在12英寸的硅衬底上，用钛酸锶作协变层（柔性层），成功的生长了器件级的GaAs外延薄膜，取得了突破性的进展。

2.4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料

基于量子尺寸效应、量子干涉效应，量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造（通过能带工程实施）的新型半导体材料，是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。它的发展与应用，极有可能触发新的技术革命。

目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上，如GaAlAs／GaAs，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP，InGaAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。俄罗斯约飞技术物理所MBE小组，柏林的俄德联合研制小组和中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组等研制成功的In（Ga）As／GaAs高功率量子点激光器，工作波长lμm左右，单管室温连续输出功率高达3.6～4W.特别应当指出的是我国上述的MBE小组，2001年通过在高功率量子点激光器的有源区材料结构中引入应力缓解层，抑制了缺陷和位错的产生，提高了量子点激光器的工作寿命，室温下连续输出功率为1W时工作寿命超过5000小时，这是大功率激光器的一个关键参数，至今未见国外报道。

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半导体材料研究的新进展

在单电子晶体管和单电子存贮器及其电路的研制方面也获得了重大进展，1994年日本NTT就研制成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管，并在150K观察到栅控源－漏电流振荡；1997年美国又报道了可在室温工作的单电子开关器件，1998年Yauo等人采用0.25微米工艺技术实现了128Mb的单电子存贮器原型样机的制造，这是在单电子器件在高密度存贮电路的应用方面迈出的关键一步。目前，基于量子点的自适应网络计算机，单光子源和应用于量子计算的量子比特的构建等方面的研究也正在进行中。

与半导体超晶格和量子点结构的生长制备相比，高度有序的半导体量子线的制备技术难度较大。中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组，在继利用MBE技术和SK生长模式，成功地制备了高空间有序的InAs／InAI（Ga）As／InP的量子线和量子线超晶格结构的基础上，对InAs／InAlAs量子线超晶格的空间自对准（垂直或斜对准）的物理起因和生长控制进行了研究，取得了较大进展。

王中林教授领导的乔治亚理工大学的材料科学与工程系和化学与生物化学系的研究小组，基于无催化剂、控制生长条件的氧化物粉末的热蒸发技术，成功地合成了诸如ZnO、SnO2、In2O3和Ga2O3等一系列半导体氧化物纳米带，它们与具有圆柱对称截面的中空纳米管或纳米线不同，这些原生的纳米带呈现出高纯、结构均匀和单晶体，几乎无缺陷和位错；纳米线呈矩形截面，典型的宽度为20－300nm，宽厚比为5－10，长度可达数毫米。这种半导体氧化物纳米带是一个理想的材料体系，可以用来研究载流子维度受限的输运现象和基于它的功能器件制造。香港城市大学李述汤教授和瑞典隆德大学固体物理系纳米中心的LarsSamuelson教授领导的小组，分别在SiO2／Si和InAs／InP半导体量子线超晶格结构的生长制各方面也取得了重要进展。

低维半导体结构制备的方法很多，主要有：微结构材料生长和精细加工工艺相结合的方法，应变自组装量子线、量子点材料生长技术，图形化衬底和不同取向晶面选择生长技术，单原子操纵和加工技术，纳米结构的辐照制备技术，及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等通过物理或化学方法制备量子点和量子线的技术等。目前发展的主要趋势是寻找原子级无损伤加工方法和纳米结构的应变自组装可控生长技术，以求获得大小、形状均匀、密度可控的无缺陷纳米结构。

2.5宽带隙半导体材料

宽带隙半导体材主要指的是金刚石，III族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（ZnO等）及固溶体等，特别是SiC、GaN和金刚石薄膜等材料，因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料；在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外，III族氮化物也是很好的光电子材料，在蓝、绿光发光二极管（LED）和紫、蓝、绿光激光器（LD）以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景。随着1993年GaN材料的P型掺杂突破，GaN基材料成为蓝绿光发光材料的研究热点。目前，GaN基蓝绿光发光二极管己商品化，GaN基LD也有商品出售，最大输出功率为0.5W.在微电子器件研制方面，GaN基FET的最高工作频率（fmax）已达140GHz，fT=67GHz，跨导为260ms／mm；HEMT器件也相继问世，发展很快。此外，256×256GaN基紫外光电焦平面阵列探测器也已研制成功。特别值得提出的是，日本Sumitomo电子工业有限公司2000年宣称，他们采用热力学方法已研制成功2英寸GaN单晶材料，这将有力的推动蓝光激光器和GaN基电子器件的发展。另外，近年来具有反常带隙弯曲的窄禁带InAsN，InGaAsN，GaNP和GaNAsP材料的研制也受到了重视，这是因为它们在长波长光通信用高T0光源和太阳能电池等方面显示了重要应用前景。

以Cree公司为代表的体SiC单晶的研制已取得突破性进展，2英寸的4H和6HSiC单晶与外延片，以及3英寸的4HSiC单晶己有商品出售；以SiC为GaN基材料衬低的蓝绿光LED业已上市，并参于与以蓝宝石为衬低的GaN基发光器件的竟争。其他SiC相关高温器件的研制也取得了长足的进步。目前存在的主要问题是材料中的缺陷密度高，且价格昂贵。

II－VI族兰绿光材料研制在徘徊了近30年后，于1990年美国3M公司成功地解决了II－VI族的P型掺杂难点而得到迅速发展。1991年3M公司利用MBE技术率先宣布了电注入（Zn，Cd）Se／ZnSe兰光激光器在77K（495nm）脉冲输出功率100mW的消息，开始了II－VI族兰绿光半导体激光（材料）器件研制的。经过多年的努力，目前ZnSe基II－VI族兰绿光激光器的寿命虽已超过1000小时，但离使用差距尚大，加之GaN基材料的迅速发展和应用，使II－VI族兰绿光材料研制步伐有所变缓。提高有源区材料的完整性，特别是要降低由非化学配比导致的点缺陷密度和进一步降低失配位错和解决欧姆接触等问题，仍是该材料体系走向实用化前必须要解决的问题。

宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大失配异质结构材料，所谓大失配异质结构材料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的材料体系，如GaN／蓝宝石（Sapphire），SiC／Si和GaN／Si等。大晶格失配引发界面处大量位错和缺陷的产生，极大地影响着微结构材料的光电性能及其器件应用。如何避免和消除这一负面影响，是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题。这个问题的解泱，必将大大地拓宽材料的可选择余地，开辟新的应用领域。

目前，除SiC单晶衬低材料，GaN基蓝光LED材料和器件已有商品出售外，大多数高温半导体材料仍处在实验室研制阶段，不少影响这类材料发展的关键问题，如GaN衬底，ZnO单晶簿膜制备，P型掺杂和欧姆电极接触，单晶金刚石薄膜生长与N型掺杂，II－VI族材料的退化机理等仍是制约这些材料实用化的关键问题，国内外虽已做了大量的研究，至今尚未取得重大突破。

3光子晶体

光子晶体是一种人工微结构材料，介电常数周期的被调制在与工作波长相比拟的尺度，来自结构单元的散射波的多重干涉形成一个光子带隙，与半导体材料的电子能隙相似，并可用类似于固态晶体中的能带论来描述三维周期介电结构中光波的传播，相应光子晶体光带隙（禁带）能量的光波模式在其中的传播是被禁止的。如果光子晶体的周期性被破坏，那么在禁带中也会引入所谓的“施主”和“受主”模，光子态密度随光子晶体维度降低而量子化。如三维受限的“受主”掺杂的光子晶体有希望制成非常高Q值的单模微腔，从而为研制高质量微腔激光器开辟新的途径。光子晶体的制备方法主要有：聚焦离子束（FIB）结合脉冲激光蒸发方法，即先用脉冲激光蒸发制备如Ag/MnO多层膜，再用FIB注入隔离形成一维或二维平面阵列光子晶体；基于功能粒子（磁性纳米颗粒Fe2O3，发光纳米颗粒CdS和介电纳米颗粒TiO2）和共轭高分子的自组装方法，可形成适用于可光范围的三维纳米颗粒光子晶体；二维多空硅也可制作成一个理想的3－5μm和1.5μm光子带隙材料等。目前，二维光子晶体制造已取得很大进展，但三维光子晶体的研究，仍是一个具有挑战性的课题。最近，Campbell等人提出了全息光栅光刻的方法来制造三维光子晶体，取得了进展。

4量子比特构建与材料

随着微电子技术的发展，计算机芯片集成度不断增高，器件尺寸越来越小（nm尺度）并最终将受到器件工作原理和工艺技术限制，而无法满足人类对更大信息量的需求。为此，发展基于全新原理和结构的功能强大的计算机是21世纪人类面临的巨大挑战之一。1994年Shor基于量子态叠加性提出的量子并行算法并证明可轻而易举地破译目前广泛使用的公开密钥Rivest，Shamir和Adlman（RSA）体系，引起了人们的广泛重视。

所谓量子计算机是应用量子力学原理进行计的装置，理论上讲它比传统计算机有更快的运算速度，更大信息传递量和更高信息安全保障，有可能超越目前计算机理想极限。实现量子比特构造和量子计算机的设想方案很多，其中最引人注目的是Kane最近提出的一个实现大规模量子计算的方案。其核心是利用硅纳米电子器件中磷施主核自旋进行信息编码，通过外加电场控制核自旋间相互作用实现其逻辑运算，自旋测量是由自旋极化电子电流来完成，计算机要工作在mK的低温下。

这种量子计算机的最终实现依赖于与硅平面工艺兼容的硅纳米电子技术的发展。除此之外，为了避免杂质对磷核自旋的干扰，必需使用高纯（无杂质）和不存在核自旋不等于零的硅同位素（29Si）的硅单晶；减小SiO2绝缘层的无序涨落以及如何在硅里掺入规则的磷原子阵列等是实现量子计算的关键。量子态在传输，处理和存储过程中可能因环境的耦合（干扰），而从量子叠加态演化成经典的混合态，即所谓失去相干，特别是在大规模计算中能否始终保持量子态间的相干是量子计算机走向实用化前所必需克服的难题。

5发展我国半导体材料的几点建议

鉴于我国目前的工业基础，国力和半导体材料的发展水平，提出以下发展建议供参考。

5.1硅单晶和外延材料硅材料作为微电子技术的主导地位

至少到本世纪中叶都不会改变，至今国内各大集成电路制造厂家所需的硅片基本上是依赖进口。目前国内虽已可拉制8英寸的硅单晶和小批量生产6英寸的硅外延片，然而都未形成稳定的批量生产能力，更谈不上规模生产。建议国家集中人力和财力，首先开展8英寸硅单晶实用化和6英寸硅外延片研究开发，在“十五”的后期，争取做到8英寸集成电路生产线用硅单晶材料的国产化，并有6～8英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右，我国应有8～12英寸硅单晶、片材和8英寸硅外延片的规模生产能力；更大直径的硅单晶、片材和外延片也应及时布点研制。另外，硅多晶材料生产基地及其相配套的高纯石英、气体和化学试剂等也必需同时给以重视，只有这样，才能逐步改观我国微电子技术的落后局面，进入世界发达国家之林。

5.2GaAs及其有关化合物半导体单晶材料发展建议

GaAs、InP等单晶材料同国外的差距主要表现在拉晶和晶片加工设备落后，没有形成生产能力。相信在国家各部委的统一组织、领导下，并争取企业介入，建立我国自己的研究、开发和生产联合体，取各家之长，分工协作，到2010年赶上世界先进水平是可能的。要达到上述目的，到“十五”末应形成以4英寸单晶为主2－3吨／年的SI－GaAs和3－5吨／年掺杂GaAs、InP单晶和开盒就用晶片的生产能力，以满足我国不断发展的微电子和光电子工业的需术。到2010年，应当实现4英寸GaAs生产线的国产化，并具有满足6英寸线的供片能力。

5.3发展超晶格、量子阱和一维、零维半导体微结构材料的建议

（1）超晶格、量子阱材料从目前我国国力和我们已有的基础出发，应以三基色（超高亮度红、绿和蓝光）材料和光通信材料为主攻方向，并兼顾新一代微电子器件和电路的需求，加强MBE和MOCVD两个基地的建设，引进必要的适合批量生产的工业型MBE和MOCVD设备并着重致力于GaAlAs／GaAs，InGaAlP／InGaP，GaN基蓝绿光材料，InGaAs／InP和InGaAsP／InP等材料体系的实用化研究是当务之急，争取在“十五”末，能满足国内2、3和4英寸GaAs生产线所需要的异质结材料。到2010年，每年能具备至少100万平方英寸MBE和MOCVD微电子和光电子微结构材料的生产能力。达到本世纪初的国际水平。

宽带隙高温半导体材料如SiC，GaN基微电子材料和单晶金刚石薄膜以及ZnO等材料也应择优布点，分别做好研究与开发工作。

（2）一维和零维半导体材料的发展设想。基于低维半导体微结构材料的固态纳米量子器件，目前虽然仍处在预研阶段，但极其重要，极有可能触发微电子、光电子技术新的革命。低维量子器件的制造依赖于低维结构材料生长和纳米加工技术的进步，而纳米结构材料的质量又很大程度上取决于生长和制备技术的水平。因而，集中人力、物力建设我国自己的纳米科学与技术研究发展中心就成为了成败的关键。具体目标是，“十五”末，在半导体量子线、量子点材料制备，量子器件研制和系统集成等若干个重要研究方向接近当时的国际先进水平；2010年在有实用化前景的量子点激光器，量子共振隧穿器件和单电子器件及其集成等研发方面，达到国际先进水平，并在国际该领域占有一席之地。可以预料，它的实施必将极大地增强我国的经济和国防实力。